🗊Презентация Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №1Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №2Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №3Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №4Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №5Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №6Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №7Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №8Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №9Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №10Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №11Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №12Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №13Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №14Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №15Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №16Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №17Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №18Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №19Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №20Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №21

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах. Доклад-сообщение содержит 21 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





 Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах
Описание слайда:
Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах

Слайд 2





Твёрдое тело
Одно из 3-х агрегатных состояний в-ва - стабильность формы и малый характер теплового движения атомов, совершающих колебания около положений равновесия. 
Кристаллы           Аморфные тела 
Моно-  и поликристаллы:             Дальний порядок отсутствует
дальний порядок в 
расположении атомов 
Наинизшее энергетическое состояние системы атомных частиц (атомов, ионов, молекул) - периодическое расположение одинаковых групп, т. е.    кристаллическая структура.
Описание слайда:
Твёрдое тело Одно из 3-х агрегатных состояний в-ва - стабильность формы и малый характер теплового движения атомов, совершающих колебания около положений равновесия. Кристаллы Аморфные тела Моно- и поликристаллы: Дальний порядок отсутствует дальний порядок в расположении атомов Наинизшее энергетическое состояние системы атомных частиц (атомов, ионов, молекул) - периодическое расположение одинаковых групп, т. е. кристаллическая структура.

Слайд 3





Твёрдое тело
Изучение св-в т. т. - знания его атомно-молекулярного строения, законов движения атомных (атомов, ионов, молекул) и субатомных (электронов, атомных ядер) частиц. 
Исследование строения, структуры и св-в т. т.: кристаллография, рентгеновский структурный анализ, кристаллохимия, кристаллофизика , физика твёрдого тела,  химия твёрдого тела,   квантовая химия,  металловедение, материаловедение, и др.
Описание слайда:
Твёрдое тело Изучение св-в т. т. - знания его атомно-молекулярного строения, законов движения атомных (атомов, ионов, молекул) и субатомных (электронов, атомных ядер) частиц. Исследование строения, структуры и св-в т. т.: кристаллография, рентгеновский структурный анализ, кристаллохимия, кристаллофизика , физика твёрдого тела, химия твёрдого тела, квантовая химия, металловедение, материаловедение, и др.

Слайд 4





КРИСТАЛЛЫ в природе
Описание слайда:
КРИСТАЛЛЫ в природе

Слайд 5





Симметрия кристаллов 
Симметрия кристаллов - св-во кристаллов совмещаться с собой в различных положениях путём поворотов, отражений, параллельных переносов. 
Операции симметрии.  Каждой операции симметрии может быть сопоставлен геометрический образ — элемент симметрии — прямая, плоскость или точка, относительно которой производится данная операция.
Описание слайда:
Симметрия кристаллов Симметрия кристаллов - св-во кристаллов совмещаться с собой в различных положениях путём поворотов, отражений, параллельных переносов. Операции симметрии.  Каждой операции симметрии может быть сопоставлен геометрический образ — элемент симметрии — прямая, плоскость или точка, относительно которой производится данная операция.

Слайд 6





Кристаллическая решетка
Описание слайда:
Кристаллическая решетка

Слайд 7





Кристаллические системы
Описание слайда:
Кристаллические системы

Слайд 8





Кристаллографические плоскости (hkl)
Описание слайда:
Кристаллографические плоскости (hkl)

Слайд 9





Физика рентгеновских лучей 
Взаимодействие их с веществом
Описание слайда:
Физика рентгеновских лучей Взаимодействие их с веществом

Слайд 10





Свойства рентгеновских лучей
Эл.магнитное излучение: λ =10-4 - 102 Å (жесткое и мягкое)
Возникает  при торможении ē (др. заряженных частиц), и при взаимодействии γ-излучения с в-вом. 
Распространяются прямолинейно, преломляются, поляризуются и дифрагируют (как и видимый свет). 
Проходят ч\з непрозрачные для видимого света тела (чем короче λ, тем больше проникающая способность). 
Производят фотографическое действие (засвечивают фотографические пленки и бумагу). 
Ионизируют газы, и вызывают люминесценцию многих в-в. 
Можно разложить в «спектр» с помощью кристаллов.
Фотоны электромагнитного излучения обладают св-ми, как волны, так и частицы.
Описание слайда:
Свойства рентгеновских лучей Эл.магнитное излучение: λ =10-4 - 102 Å (жесткое и мягкое) Возникает при торможении ē (др. заряженных частиц), и при взаимодействии γ-излучения с в-вом. Распространяются прямолинейно, преломляются, поляризуются и дифрагируют (как и видимый свет). Проходят ч\з непрозрачные для видимого света тела (чем короче λ, тем больше проникающая способность). Производят фотографическое действие (засвечивают фотографические пленки и бумагу). Ионизируют газы, и вызывают люминесценцию многих в-в. Можно разложить в «спектр» с помощью кристаллов. Фотоны электромагнитного излучения обладают св-ми, как волны, так и частицы.

Слайд 11





Рассеяние рентгеновских лучей (неупругое) 
	Упругое столкновение фотонов с заряженными частицами - испускание фотонов с той же частотой, а при неупругом - наличие эффекта Комптона.
Описание слайда:
Рассеяние рентгеновских лучей (неупругое) Упругое столкновение фотонов с заряженными частицами - испускание фотонов с той же частотой, а при неупругом - наличие эффекта Комптона.

Слайд 12





Рассеяние рентгеновских лучей (упругое) 
	Электрическое поле рентгеновских лучей способно заставить колебаться заряженные частицы с той же частотой.
Описание слайда:
Рассеяние рентгеновских лучей (упругое) Электрическое поле рентгеновских лучей способно заставить колебаться заряженные частицы с той же частотой.

Слайд 13





Формула Вульфа-Брэгга 
		Разность хода м\у лучами, отраженными от разных плоскостей (GY+YH), кратна длине волны λ падающего излучения - интерференция с усилением (дифракция). 
     Условие дифракции: 
				2dhkl sin θ = n λ , 
	где n - целое число (порядок отражения).
Описание слайда:
Формула Вульфа-Брэгга Разность хода м\у лучами, отраженными от разных плоскостей (GY+YH), кратна длине волны λ падающего излучения - интерференция с усилением (дифракция). Условие дифракции: 2dhkl sin θ = n λ , где n - целое число (порядок отражения).

Слайд 14





Качественный и количественный 
рентгенофазовый анализ
Описание слайда:
Качественный и количественный рентгенофазовый анализ

Слайд 15


Основы кристаллографии. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах, слайд №15
Описание слайда:

Слайд 16





Качественный рентгенофазовый анализ 
(рентгенофазовая идентификация)
(Search/Match)
Описание слайда:
Качественный рентгенофазовый анализ (рентгенофазовая идентификация) (Search/Match)

Слайд 17





Количественный рентгенофазовый анализ (КРФА)
	Группы методов КРФА : 
Использующие стандартные образцы:
	- метод внутреннего эталона, 
	- метод внешнего эталона;
Модифицирующие состав анализируемой пробы:
	- метод добавок определяемой фазы,
	- метод разбавления пробы;
Бесстандартные методы:
	- ссылочных интенсивностей (по корундовым числам); 
	- группового анализа набора однотипных проб;
Расчетные методы:
        - методы полнопрофильного анализа (метод Ритвельда).
Описание слайда:
Количественный рентгенофазовый анализ (КРФА) Группы методов КРФА : Использующие стандартные образцы: - метод внутреннего эталона, - метод внешнего эталона; Модифицирующие состав анализируемой пробы: - метод добавок определяемой фазы, - метод разбавления пробы; Бесстандартные методы: - ссылочных интенсивностей (по корундовым числам); - группового анализа набора однотипных проб; Расчетные методы: - методы полнопрофильного анализа (метод Ритвельда).

Слайд 18





Основное уравнение КРФА
Описание слайда:
Основное уравнение КРФА

Слайд 19





Метод внешнего эталона
Описание слайда:
Метод внешнего эталона

Слайд 20





Безэталонные методы «корундовых чисел» КРФА
	Метод «корундовых чисел» (RIR) основан на накоплении в БД и использовании для КРФА корундовых чисел:  отношения интенсивностей максимальных линий фазы j и корунда в смеси 1:1,   т.е:
Описание слайда:
Безэталонные методы «корундовых чисел» КРФА Метод «корундовых чисел» (RIR) основан на накоплении в БД и использовании для КРФА корундовых чисел: отношения интенсивностей максимальных линий фазы j и корунда в смеси 1:1, т.е:

Слайд 21





Точность результатов КРФА
	Факторы, влияющие на интенсивность аналитических линий фаз: 
Размеры частиц фаз (эффект микропоглощения). 
		Верхняя граница размеров частиц, при которой эффект микропоглощения пренебрежительно мал (поправка по Бриндлею):
		   							(*)
	где d- диаметр частиц, μi(μ) - линейный коэффициент поглощения i-й фазы (образца).
	При анализе «грубых» порошков (не выполняется условие (*)) требуется введение мультипликативной поправки  на микропоглощение:
									(**)
			
                Поправка  определяется экспериментально по искусственным смесям такого же фазового и гранулометрического состава, что и анализируемые пробы.
Фактор текстуры - преимущественная ориентация частиц (плоская или игольчатая форма). Слабые текстуры учитываются аналогично, в виде мультипликативной поправки (например, по Марч-Далласу).
Описание слайда:
Точность результатов КРФА Факторы, влияющие на интенсивность аналитических линий фаз: Размеры частиц фаз (эффект микропоглощения). Верхняя граница размеров частиц, при которой эффект микропоглощения пренебрежительно мал (поправка по Бриндлею): (*) где d- диаметр частиц, μi(μ) - линейный коэффициент поглощения i-й фазы (образца). При анализе «грубых» порошков (не выполняется условие (*)) требуется введение мультипликативной поправки на микропоглощение: (**) Поправка определяется экспериментально по искусственным смесям такого же фазового и гранулометрического состава, что и анализируемые пробы. Фактор текстуры - преимущественная ориентация частиц (плоская или игольчатая форма). Слабые текстуры учитываются аналогично, в виде мультипликативной поправки (например, по Марч-Далласу).



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию