Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс"

Нажмите для полного просмотра!

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №2

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №3

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №4

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №5

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №6

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №7

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №8

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №9

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №10

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №11

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №12

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №13

Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс", слайд №14

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс". Доклад-сообщение содержит 14 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Слайд 2

Описание слайда:

1. История развития 2. Производство 3. Продукция 4. IGBT транзистор 5. Принцип работы IGBT (БТИЗ) 6. Особенности IGBT (БТИЗ) 7. Сферы применения IGBT (БТИЗ) 8. Освоение CAD-системы SOLIDWORKS 9. Построение в CAD-системе SOLIDWORKS отдельных частей IGBT модуля с использованием 3D моделирования 10. Заключение

Слайд 3

Описание слайда:

1996 - Год основания АО «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС». Предприятие было создано специалистами, которые имели опыт в области микроэлектроники. Первый самостоятельный проект молодого коллектива - выпуск в 1996 году быстродействующих полупроводниковых приборов. 1997 - Организовано механическое производство, поставлено более 1О тысяч различных силовых сборок. 1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности 1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности 2002 - Договор с компанией GvA Leistungselektronik GmbH (Германия) 1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности 2002 - Договор с компанией GvA Leistungselektronik GmbH (Германия) 2003 - Производство силовых полупроводниковых приборов в модульном исполнении 2006 - Была создана дочерняя компания АО «Торговый Дом «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС». 2009 - Организована техническая приемка продукции представителями ОАО «РЖД» 2010 - Создание совместного российско-китайского предприятия Hebei Proton-Electrotex Electronic СоLtd в провинции Хебей, КНР 2010- В Москве создан Научно-технический Центр АО «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС» 2016 - Запуск производства IGВТ-модулей в корпусах MIFA и MIM. До этого более 95% IGBT поставлялись в Россию из-за рубежа

Слайд 4

Описание слайда:

Производство Для изготовления биполярных силовых полупроводниковых приборов – диодов и тиристоров – АО «Протон-Электротекс» имеет полный производственный цикл, развитую инфраструктуру, современные технологические линии, измерительное оборудование и площади для «чистых технологий».

Слайд 5

Описание слайда:

На сегодняшний день поставляются: – высоковольтные тиристоры и диоды (на напряжения до 6500 В) с прецизионно подобранными характеристиками обратного восстановления для работы в последовательных сборках или готовые последовательные сборки таких приборов;

Слайд 6

Описание слайда:

Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) в переводе на русский: Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором (БТИЗ)

Слайд 7

Описание слайда:

Весь процесс работы БТИЗ может быть представлен двумя этапами: как только подается положительное напряжение, между затвором и истоком открывается полевой транзистор, то есть образуется n - канал между истоком и стоком. При этом начинает происходить движение зарядов из области n в область p, что влечет за собой открытие биполярного транзистора, в результате чего от эмиттера к коллектору устремляется ток.

Слайд 8

Описание слайда:

Отличительные качества IGBT: Управляется напряжением (как любой полевой транзистор); Имеют низкие потери в открытом состоянии; Могут работать при температуре более 1000 C; Способны работать с напряжением более 1000 Вольт и мощностями свыше 5 киловатт.

Слайд 9

Описание слайда:

Слайд 10

Описание слайда:

SolidWorks — это система гибридного параметрического моделирования, предназначенная для проектирования деталей и сборок в трехмерном пространстве с возможностью проведения различных видов экспресс-анализа, а также оформления конструкторской документации в соответствии с требованиями ЕСКД.

Слайд 11

Описание слайда:

Можно также получить массовые характеристики данной детали с помощью CAD-системы SOLIDWORKS: Материал: пластик ABS Масса = 8.012 граммов Объем = 7663.38 кубических миллиметров Площадь поверхности = 9932.52 квадратных миллиметров

Слайд 12

Описание слайда:

Слайд 13

Описание слайда:

Производственная практика предоставила возможность вживую узнать о работе инженера на производстве АО Протон-Электротекс, ознакомиться с производством продукции IGBT транзисторов, а также с их проектированием в CAD-системе SOLID WORKS