🗊 Презентация Полевые транзисторы

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Полевые транзисторы, слайд №1 Полевые транзисторы, слайд №2 Полевые транзисторы, слайд №3 Полевые транзисторы, слайд №4 Полевые транзисторы, слайд №5 Полевые транзисторы, слайд №6 Полевые транзисторы, слайд №7 Полевые транзисторы, слайд №8 Полевые транзисторы, слайд №9 Полевые транзисторы, слайд №10
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полевые транзисторы. Доклад-сообщение содержит 10 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Полевые транзисторы Выполнил: ГБОУ РМ (ССУЗ) «АИТ» В.Б.СИДОРОВА – преподаватель.
Описание слайда:
Полевые транзисторы Выполнил: ГБОУ РМ (ССУЗ) «АИТ» В.Б.СИДОРОВА – преподаватель.

Слайд 2


Определение: Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием...
Описание слайда:
Определение: Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

Слайд 3


Классификация полевых транзисторов
Описание слайда:
Классификация полевых транзисторов

Слайд 4


Схема и структура полевого транзистора
Описание слайда:
Схема и структура полевого транзистора

Слайд 5


Вольт-амперные характеристики
Описание слайда:
Вольт-амперные характеристики

Слайд 6


Полевые транзисторы, слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7


Принцип работы С - сток, И - исток, З - затвор 1.На затворе нету потенциала, подаём разность потенциалов на сток и исток(допустим на сток + а на...
Описание слайда:
Принцип работы С - сток, И - исток, З - затвор 1.На затворе нету потенциала, подаём разность потенциалов на сток и исток(допустим на сток + а на исток -, хотя без разницы) на исток. Ток при этом проходит через транзистор, точнее через n+ слой, так как имеются носители заряда - электроны. Ток через p слой не течёт вследствие подсоединения к нему отрицательного потенциала напряжения от истока.(этот случай соответствует рисунку) 2.Уменьшаем потенциал затвора (U0), при положительном потенциале вследствие того же эффекта поля положительный потенциал уже притягивает электроны, поэтому канал расширяется за счёт электронов под истоком и стоком и ток при напряжении насыщения становится максимальным. Нетрудно догадаться, что при максимальном токе глубина n слоя везде одинакова.

Слайд 8


Полевой транзистор с индуцированным каналом .
Описание слайда:
Полевой транзистор с индуцированным каналом .

Слайд 9


условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к...
Описание слайда:
условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою. условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою.

Слайд 10


ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Напряжение отсечки Uотс Крутизна характеристики: S=∆Iс/∆Uзи при U с=const Входное сопротивление : Rвх =∆ Uзи...
Описание слайда:
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Напряжение отсечки Uотс Крутизна характеристики: S=∆Iс/∆Uзи при U с=const Входное сопротивление : Rвх =∆ Uзи max ∆Iз max Выходное сопротивление: Rвых = ∆ Uс при Uзи = сonst ∆Iс

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию