🗊Презентация Полупроводниковые дозиметрические детекторы

Полупроводниковые дозиметрические детекторы

Введение Применение полупроводников в качестве дозиметрических детекторов основано на их способности регистрировать ионизирующие частицы. В природе имеется огромное количество соединений, минералов и чистых элементов, которые относятся к классу полупроводников, но лишь немногие из них нашли применение для регистрации ионизирующих излучений. Общим признаком полупроводников является значение их электрической проводимости, которое занимает промежуточное место между электрической проводимостью диэлектриков и проводников. С точки зрения зонной теории полупроводни­ковыми свойствами обладают такие вещества, ширина запрещенной зоны которых не превышает 2—3 эВ. У диэлектриков запрещенная зона значительно шире, у металлов она практически от­сутствует. Полупроводник в качестве счетчика элементарных частиц выступает как аналог импульсной ионизационной камеры, но в основе работы счетчика лежит ионизация атомов твердого тела. По сравнению с газовыми ионизационными детекторами полупроводниковые счетчики имеют особенности, которые определяют их преимущества и недостатки и возможность использования для дозиметрии.

Носители заряда в полупроводнике Носителями электрических зарядов в полупроводнике могут быть электроны, дырки и ионы кристаллической решетки. Все они могут участвовать в создании электрического тока. Свободные электроны создают ток путем непосредственного перемещения от катода к аноду. Перемещение дырок происходит иначе. Каждая отдельно взятая дырка сама по себе не перемещается. Появление дырок —это появление одного свободного состояния в распределении электронов по состояниям валентной зоны. Наличие таких свободных состояний позволяет электронам перемещаться против электрического поля, в результате чего можно 'сказать, что дырки перемещаются по полю.

Появление свободных .носителей электрических зарядов в полупроводнике может быть вызвано: Появление свободных .носителей электрических зарядов в полупроводнике может быть вызвано: переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости вследствие энергии теплового движения. Одновременно появ­ляются дырки в валентной зоне; переходам электронов в зону проводимости и образованием дырок в валентной зоне вследствие поглощения энергии ионизирующего излучения. Число возникающих при этом носителей служит мерой дозы излучения; ионизацией примесей. Полупроводники, электрическая проводимость которых обусловлена переходами электронов из заполненной, валентной зоны в зону проводимости, называются собственными полупроводниками. Полупроводники, электрическая проводимость которых обусловлена ионизацией примеси, называются примесными.

Примесные полупроводники Примеси увеличивают электрическую проводимость полупро­водника, так как повышается число носителей электрических зарядов. Однако примеси не только увеличивают общее число но­сителей, но и могут изменить соотношение между концентрациями n и р так, что число положительных и отрицательных зарядов окажется неодинаковым. Если донорная примесь обусловливает электронный механизм электрической проводимости. Такие полупроводники называются электронными, или полупроводниками n-типа. В случае когда электрическая проводимость обусловлена преимущественно дырками такие полупроводники называются дырочными, или полупроводниками р-типа. Основными носителями в полупроводниках р-типа являются дырки, а неосновными — электроны.

р-n переход Переходом называется область полупроводника, где происхо­дит смена типа проводимости, например, с электронной на дырочную или, наоборот, с дырочной на электронную. Укажем наиболее важные особенности р-n-перехода. В области р—n-перехода концентрация равновесных носителей зарядов на несколько порядков ниже, чем в остальном объеме кристалла. Следовательно, р-n-переход обладает значительно более высоким сопротивлением. Обедненная носителями область р—n-перехода является основной рабочей областью полупроводникового детектора. Переходы могут быть симметричными или несимметричны­ ми. В симметричных переходах концентрация основных носителей в обеих областях примерно одинакова, т. е. pp=nn Положительные заряды в р—n-переходе сосредоточены у границы n-слоя в очень узкой области, а отрицательные — распределены равномерно по всему переходу. Это приводит к неоднородности электрического поля, созданного пространственным зарядом в переходе, величина которого максимальна у границы n-области.

Схема полупроводника с p-n переходом

р-n переход

Вольт – амперная характеристика

Образование носителей заряда в полупроводнике под действием ионизирующего излучения В полупроводнике при прохождении ионизирующей частицы возникают быстрые электроны, которые в каскадном процессе ударной ионизации выбивают электроны из различных энергетических зон, в том числе и самых глубоких. Этот процесс продолжается пока энергия электронов не станет порядка 1.5Eg. Первая стадия процесса, когда в зонах обычно не занятых появляются электроны, а в заполненных – дырки длится около 10-12 сек. Во второй стадии в результате различных взаимодействий электронов с решеткой кристалла электроны падают на дно зоны проводимости, а дырки поднимаются к верхнему краю валентной зоны. Вторая стадия также занимает 10-12 сек.

Преимущества и недостатки полупроводниковых дозиметров Преимущества полупроводниковых детекторов: высокое временное разрешение высокая чувствительность малыми габаритами низким внешним напряжением. Недостатки: сложная технология изготовления необходимость иметь предельно чистые исходные материалы фоновые явления зависимостью от условий среды.

Дозиметрические характеристики Счетчиковый режим Полупроводниковый детектор с p-n-переходом в счетчиковом режиме аналогичен импульсной ионизационной камере. Есть, однако, существенные различия Во-первых, число носителей заряда, образованных ионизирующей частицей в веществе полупроводника, может оказаться сравнимым с флюктуациями числа свободных носителей, обычно присутствующих в чувствительном объеме; возникает проблема шумов (собственного фона), которая практически отсутствует при работе с обычными ионизационными камерами. Во-вторых, чувствительная область детектора, сак правило, не распространяется на весь объем полупроводника. Когда ионизирующая частица проходит через чувствительную область перехода, вновь образованные носители заряда уносятся электрическим полем на электроды за время, исчисляемое долями микросекунд.

Токовый режим При высокой мощности дозы счетно-импульсный метод становится непрактичным из-за слишком большой скорости счета. В дозиметре с p-n-переходом при обратном смещении наблюдается ток утечки, зависящий от напряжения смещения и температуры. Под действием ионизирующего излучения концентрация неосновных носителей возрастает и ток, протекающий через переход, увеличивается. Дополнительные носители могут возникнуть как в обедненной зоне, так и в соседних областях в пределах диффузионной длины. Все они в конечном счете вносят свой вклад в ток в зависимости от постоянной времени системы. Ток, вызванный излучением, практически не зависит от напряжения смещения, за исключением самого начального участка. Это объясняется тем, что время жизни неосновных носителей было достаточно велико, так что диффузионная длина превышала размеры кристалла. В результате на электроды собрались все носители из полного объема детектора. Этот своеобразный ток насыщения нельзя, однако, использовать для измерения низкой мощности дозы, так как соответствующий ток утечки превосходит его в несколько раз.

Фоновый ток При напряжение U фоновый ток i=U/R. Пусть ионизирующая частица образовала N зарядов в детекторе. Число фоновых зарядов попавших за время  - Nф  - время собирания заряда. Nф=i /e=U /eR

Характеристики полупроводниковых материалов

Современные приборы основанные на полупроводниковом методе СЕГ-002-«АКП-П»

Технические хорактеристики Предназначен для идентификации радионуклидов в сложной смеси изотопов в счетном образце, определения их удельной активности или относительного содержания по спектру внешнего гамма-излучения. Блок детектирования типа БДЕГ БДЕГ - 35 190 Диапазон измеряемых энергий гамма-излучения, кэВ4 0 – 10 000 Эффективность регистрации, % к NaJ >35 Энергетическое разрешение: для 122 кэВ, эВ 875 для 1.3 МэВ, кэВ 1.9 Отношение пик/комптон 601 Автоматический подъем напряжения, В 0-4000 Толщина свинца пассивной защиты, мм 100 Экран от К-альфа свинца медь, мм 0.1 кадмий, мм 0.1

Дозиметр ДКГ-05Д

Технические характеристики

Список литературы 1. Иванов И.В. Курс дозиметрии. 2. Кашковский В.В. Специальный физический практикум. http://www.rubikon.com http://www.akp.kiev.ua http://www.isotop.ru