Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14) - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №1

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №2

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №3

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №4

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №5

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №6

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №7

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №8

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №9

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №10

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №11

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №12

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №13

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №14

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №15

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №16

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №17

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №18

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №19

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №20

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №21

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №22

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №23

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №24

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №25

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №26

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №27

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №28

Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14), слайд №29

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полупроводниковые схемы памяти. (Лекция 14). Доклад-сообщение содержит 29 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Лекция 14 Полупроводниковые схемы памяти Классификация запоминающих устройств (ЗУ) ЗУ с последовательной выборкой. Регистры, стеки. ЗУ с произвольной выборкой. Постоянные ЗУ (ПЗУ), оперативные ЗУ (ОЗУ).

Слайд 2

Описание слайда:

Под памятью цифровых вычислительных систем понимают совокупность технических средств, предназначенных для приема (записи), хранения и выдачи (считывания) информации, представленной двоичным кодом Под памятью цифровых вычислительных систем понимают совокупность технических средств, предназначенных для приема (записи), хранения и выдачи (считывания) информации, представленной двоичным кодом

Слайд 3

Описание слайда:

Основные характеристики запоминающих устройств (ЗУ) информационная емкость, определяемая максимальным объемом хранимой информации в битах или байтах быстродействие, характеризуемое временем записи и считывания информации из ЗУ энергопотребление, определяемое электрической мощностью, потребляемой ЗУ от источников питания в каждом из режимов работы стоимость хранения информации в расчете на один бит энергонезависимость, то есть сохраняется ли информация в ЗУ после выключения электропитания а также надежность, масса, габаритные размеры и др.

Слайд 4

Описание слайда:

Единицы измерения объема памяти (информационной емкости) схем

Слайд 5

Описание слайда:

Классификация полупроводниковых ЗУ Классификация полупроводниковых ЗУ

Слайд 6

Описание слайда:

Классификация по способу выборки информации ЗУ с последовательной выборкой – данные из ячеек выбираются в определенной последовательности, начиная с заранее определенного адреса ЗУ с произвольной выборкой – данные из ячеек могут выбираться в любой последовательности по адресу ячейки (строка и столбец). Характеризуются равенством времен записи (считывания) для всех ячеек памяти

Слайд 7

Описание слайда:

ЗУ с последовательной выборкой SERIAL-ACCESS MEMORY

Слайд 8

Описание слайда:

Способы записи и считывания информации в регистрах-стеках

Слайд 9

Описание слайда:

Последовательно-параллельное регистровое ЗУ

Слайд 10

Описание слайда:

ЗУ последовательного типа на ПЗС-регистрах

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

ЗУ с произвольной выборкой RAM – Random Access Memory

Слайд 13

Описание слайда:

ЗУ с произвольной выборкой с одноступенчатым дешифратором Произвольный доступ к информации обеспечивает схема дешифратора, у которого логическая функция – это получение полного набора минтермов для n переменных. Тогда при числе входов n с выхода снимается 2n минтермов:

Слайд 14

Описание слайда:

ЗУ с произвольной выборкой с двухступенчатым дешифратором

Слайд 15

Описание слайда:

ЗУ с произвольной выборкой АЗУ (ассоциативное ЗУ, Content-addressable memory, associative memory) – схемы с выборкой-сравнением информации с эталоном: при совпадении данных элемент выбирается. ПЗУ (постоянное ЗУ, ROM – Read-Only Memory) – энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных. При изготовлении ИС программируются определенными данными. Для перезаписи требуется специальная операция. ОЗУ (оперативное ЗУ, RAM – Random Access Memory) – энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой во время работы компьютера хранится выполняемый машинный код, а также входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые процессором. Характеризуются возможностью быстрого записи/считывания информации в виде двоичных чисел в свою любую отдельную ячейку. С учетом способа хранения ОЗУ делятся на статические и динамические.

Слайд 16

Описание слайда:

Основные виды ПЗУ Масочные – запрограммированы при помощи шин металлизации на последнем этапе создания разводки. Фотошаблон (маска) металлизации фиксирует навсегда записанную в элемент памяти информацию. Программируемые пользователем (ППЗУ, PROM - Programmable ROM) – возможно перепрограммирование ячеек памяти в зависимости от потребностей пользователей. Репрограммируемые (РПЗУ, EPROM-Erasable Programmable ROM, EEPROM - Electrically Erasable Programmable ROM), в таких схемах памяти возможно многократное перепрограммирование ячеек памяти в зависимости от потребностей пользователей. Существуют различные механизмы перепрограммирования, например, напряжением, током, полем, облучением.

Слайд 17

Описание слайда:

Масочные ПЗУ

Слайд 18

Описание слайда:

ПЗУ, программируемые пользователем, с плавкой перемычкой

Слайд 19

Описание слайда:

Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ)

Слайд 20

Описание слайда:

Программируемые полем ЭП (флэш элемент памяти)

Слайд 21

Описание слайда:

Оперативные ЗУ (ОЗУ) ОЗУ статического типа (SRAM - Static Random Access Memory). Элементом памяти служит триггер. Одно из двух его устойчивых состояний принимается за 0, другое – 1. Эти состояния при отсутствии внешних воздействий могут сохраняться сколь угодно долго. Триггер может быть выполнен в любом схемотехническом базисе. ОЗУ динамического типа (DRAM - Dynamic Random Access Memory). Элементы памяти представляют собой конденсаторы: заряженный конденсатор – 1, незаряженный – 0. Недостатком динамической памяти является самопроизвольный разряд, что ведет к потере информации. Чтобы этого не происходило, конденсаторы динамической памяти необходимо периодически подзаряжать. Такой процесс называют регенерацией ОЗУ.

Слайд 22

Описание слайда:

ОЗУ статического типа

Слайд 23

Описание слайда:

Статические ОЗУ в КМДП-базисе

Слайд 24

Описание слайда:

Организация одноразрядного накопителя с раздельным входом и выходом АБ - адресные буферы, БВК, БРЗ, БDI - буферы выборки кристалла, разрешения записи и входных данных соответственно

Слайд 25

Описание слайда:

Структурная схема М-разрядного накопителя с объединенным входом и выходом

Слайд 26

Описание слайда:

Достоинства и недостатки СОЗУ Достоинства – небольшое энергопотребление, высокое быстродействие. Отсутствие необходимости производить «регенерацию». Недостатки – малый объём, высокая стоимость. Благодаря принципиальным достоинствам широко используется в качестве кеш-памяти процессоров в компьютерах.

Слайд 27

Описание слайда:

Динамические ОЗУ (ДОЗУ)

Слайд 28

Описание слайда:

Слайд 29

Описание слайда:

Достоинства и недостатки ДОЗУ Преимущества динамической памяти: низкая себестоимость высокая степень упаковки, позволяющая создавать чипы памяти большого объема Недостатки динамической памяти: относительно невысокое быстродействие, так как процесс зарядки и разрядки конденсатора, занимает гораздо больше времени, чем переключение триггера большие времена задержки, в основном, из-за внутренней шины данных, в несколько раз более широкой, чем внешняя, и необходимости использования мультиплексора/демультиплексора необходимость регенерации заряда конденсатора из-за его быстрого саморазряда