Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02

Нажмите для полного просмотра!

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №2

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №3

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №4

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №5

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №6

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №7

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №8

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №9

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №10

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №11

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02, слайд №12

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02. Доклад-сообщение содержит 12 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02

Слайд 2

Описание слайда:

Содержание: Полупроводниковые лазеры и их особенности Историческая справка Люминесценция и инверсия населенностей в полупроводниках Методы накачки в п.л. Инжекционные лазеры П.л. с электронной накачкой П.л. материалы Применение п.л.

Слайд 3

Описание слайда:

Полупроводниковый лазер - полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В П. л. возбуждаются и излучают (коллективно) атомы, слагающие кристаллическую решётку.

Слайд 4

Описание слайда:

Важные особенности п.л. Компактность Высокая эффективность преобразования электрической энергии в энергию когерентного излучения (до 30—50%); Малая инерционность, обусловливающая широкую полосу частот прямой модуляции (более 109 Ггц); Простота конструкции; Возможность перестройки длины волны излучения и наличие большого числа полупроводников, непрерывно перекрывающих интервал длин волн от 0,32 до 32 мкм.

Слайд 5

Описание слайда:

Историческая справка: 1959 г. – опубликована первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера 1961 г. – для этих целей предложено применение p-n переходов 1962 г. – осуществлены п.л. На кристалле GaAs (США) 1964 г. – осуществлен п.л. с электронным возбуждением; сообщено о создании п.л. с оптической накачкой 1968 г. – созданы п.л. с использованием гетероструктуры.

Слайд 6

Описание слайда:

Люминесценция в полупроводниках (а) Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия населённостей в полупроводниках (б)

Слайд 7

Описание слайда:

Методы накачки в п.л. Инжекция носителей тока через р—n-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник (инжекционные лазеры); Накачка пучком быстрых электронов; Оптическая накачка; Накачка путём пробоя в электрическом поле. Наибольшее развитие получили П. л. первых двух типов.

Слайд 8

Описание слайда:

Инжекционные лазеры

Слайд 9

Описание слайда:

П.л. с электронной накачкой

Слайд 10

Описание слайда:

Полупроводниковые лазерные материалы:

Слайд 11

Описание слайда:

Применение п.л. Оптическая связь (портативный оптический телефон, многоканальные стационарные линии связи); Оптическая локация и специальная автоматика (дальнометрия, высотометрия, автоматическое слежение и т.д.); Оптоэлектроника (излучатель в оптроне, логические схемы, адресные устройства, голографические системы памяти), Техника специального освещения (скоростная фотография, оптическая накачка др. лазеров и др.); Обнаружение загрязнений и примесей в различных средах; Лазерное проекционное телевидение