🗊Презентация Проектирование и производство изделий интегральной электроники

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ПРОИЗВОДСТВО ИЗДЕЛИЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ И МЕТОДЫ ИХ НАНЕСЕНИЯ

Функции диэлектрических слоев в технологии изделий интегральной электроники

Области применения диэлектрических слоев

Требования к свойствам диэлектрических слоев Электрофизические; Химические; Физические; Технологические.

Электрофизические свойства

Химические свойства Контролируемый химический состав; Стабильность химического состава; Геттерирование ионов щелочных металлов; Низкое содержание примесей; Осаждение при низкой температуре.

Физические свойства Отсутствие пор, микротрещин, дисперсных включений, раковин; Низкие остаточные напряжения; Однородная толщина слоев; Хорошая адгезия к нижележащим слоям;

Технологические свойства Конформное покрытие ступенек рельефа; Совместимость со структурой ИМС и требованиям к ее характеристикам; Возможность формирования рисунка с помощью прецизионной фотолитографии и селективного травления; Возможность оплавления для сглаживания рельефа при планаризации.

Формирование слоев химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ) Химическое осаждение из газовой фазы - процесс, при котором вещества, находящиеся в газовой фазе, образуют твердый продукт, вступая в химическую реакцию на поверхности подложки или вблизи нее. ХОГФ позволяет получить практически все функциональные слои, используемые в производстве ИИЭ.

Типы химических реакций при ХОГФ Типы химических реакций при ХОГФ Пиролиз: SiH4(г) → Si(тв) + 2H2(г); Восстановление: WF6(г) + 3H2(г) → W(тв) + 6HF(г); Окисление: SiH4(г) + 4N20(г) → Si02(тв) + 4N2(г) + 2H20; Гидролиз: Аl2Сl6(г)+ЗС02(г)+ЗН2(г)→Аl203(тв)+6НСl(г)+ЗСО(г); Аммонолиз: 3SiH2CI2(г)+4NH3(г)→ Si3N4(тв) + 6H2(г) + 6HCI(г); Образование
карбида: TiCI4(г) + CH4(г) → ТiC (тв) + 4HCI(г); Диспропорционирование: 2GeI2(г) → Ge(тв) + GeI4(г); Металлоорганическая: (CH3)3Ga(г) +AsH3(г) →GaAs(тв)+3CH4(г); Химический перенос: 6GaAs(тв)+6HCl→As4(г)+As2(г)+6GaCl(г) + 3H2(г).

Основные реакции, используемые при ХОГФ Основные реакции, используемые при ХОГФ

Преимущества ХОГФ - Широкий спектр химических реакций; высокая чистота пленок; - Качественное воспроизведение топологического рельефа; - Высокая адгезия пленок к нижележащим слоям; - Отсутствие или уменьшение радиационных повреждений; Селективность процесса осаждения; - ХОГФ–процессы являются базовой технологией создания диэлектриков и проводников вплоть до 7 нм технологии

Кинетические стадии ХОГФ

Типы энергии для инициирования и поддержания реакции при ХОГФ - Термически активируемые реакции; - Реакции с плазменной активацией процесса (PECVD); -Реакции, индуцируемые фотонами - фотохимичес-кие и фоточувствительные реакции (PHCVD), в т.ч. лазерное осаждение (LCVD). Наиболее простым термически активируемым процессом является химическое осаждение из газовой фазы при атмосферном давлении.

Особенности ХОГФ с термической активацией Преимущество: простота процесса. Недостаток: тенденция к гомогенному зароды-шеобразованию, приводящему к формированию мелких частиц, для егопредотвращения требуют-ся специальные методы инжекции газов.

Параметры ХОГФ, влияющие на однородность пленок распределение и величина температуры в реакторе ; -уровень давления в реакторе и скорости потоков газообразных реагентов. При низком давлении однородность пленок по толщине и качество покрытия ступеньки значи-тельно улучшаются по сравнению с осаждением при атмосферном давлении.

Схема реактора для ХОГФ слоев нитрида кремния, диоксида кремния и ПКК

Свойства слоев SiO2, осажденных при различных температурах Высокотемпературные процессы: Достоинства - высокая однородность пленок по толщине, большой объем загрузки и возможность обрабатывать подложки большого диаметра. Недостатки - низкая скорость осаждения, использование токсичных, легковоспламеняющихся или способствующих коррозии газов. Среднетемпературные процессы: Достоинство - наилучшее сочетание однородности, скорости осаждения и производительности процесса Недостаток – процесс несовместим с алюминиевой металлизацией. Низкотемпературные процессы: Худшая однородность и конформность покрытий.

Низкотемпературное плазмохимическое осаждение из газовой фазы Осаждение, активируемое плазмой, представляет собой сочетание процесса протекающего в тлеющем разряде, и химического осаждения из газовой фазы при низком давлении. Электрический тлеющий разряд инициируется обычно высокочастотным источником, но может также создаваться источниками переменного тока, постоянного тока либо микроволновыми воздействиями. Происходит образование “горячих” электронов, темпера-тура которых может превышать температуру атомов и молекул на один или даже на два порядка. Взаимодействие этих высокоэнергетических электронов с молекулами газа приводит к образованию реакционно–спо-собных частиц, которые в обычных условиях могут сущес-твовать лишь при очень высоких температурах .

Параметры, влияющие на процесс ПХ газофазного осаждения пленок -плотность и распределение высокочастотной мощности -состав и распределение газовой фазы -общее давление в зоне реакции. Преимущество стимулированных плазмой реакций состоит в том, что они происходят при температурах, значительно меньших, чем в случае чисто термических реакций (200-400° С) Плазмохимическое осаждение в таких в реакторах с параллельным расположением пластин используется также в тех случаях, когда необходима очень низкая температура процесса (100–350°С). Например плазмохимический нитрид кремния (SiN).

Реактор для ПХ осаждения с параллельным расположением электродов

Cтадии плазмохимического осаждения пленок загрузка–выгрузка пластин, откачка, продувка реактора, пуск в реактор рабочих газов, обработка пластин в плазме азота, осаждение нитрида кремния в плазме низкого давления, напуск азота до атмосферного давления. При этом используются так называемые «мягкие» режимы откачки и напуска.

Установка для ПХ осаждения нитрида и оксида кремния с поштучной обработкой пластин “Precision–5000 CVD”

Атомно–слоевое осаждение (ALD) Атомно–слоевое осаждение (ALD процесс) – представляет собой последовательность самоограничивающихся поверх-ностных реакций при низкой температуре, обеспечивающих осаждение монослойных пленок. Рост таких пленок полностью управляется поверхностью подложки. Это основано на отдельных, последовательно выполняемых поверхностных реакциях между подложкой и каждым прекурсорным химикатом. При атомно-слоевом осаждении пленки выращиваются послойно с моноатомной точностью. Покрытия при ALD обеспечивается гораздо лучше, чем при использовании метода ХОГФ Недостатком ALD является только его дороговизна.

Материалы, получаемые ALD Оборудование для ALCVD, позволяющее получать: пленки диэлектриков, в том числе и многослойных оксидов; прозрачные проводники и полупроводники, нитриды, фториды, соединения II–VI и другие материалы. Кроме того, разрабатываются процессы формирования металлов, таких как тантал и медь. Методом атомно–слоевого осаждения можно получать: чистые материалы (С, Al, Si, Ti, Fe, Co, Ni, Ge и др.), оксиды, нитриды, соединения углерода c Si, Se, Te и другие соединения.

Схема атомно–с лоевого осаждения (молекулярная сборка из газовой фазы)

Пленки, получаемые центрифугованием из растворов кремнийорганических соединений (НЦР – пленки) Для планаризации многоуровневой металлизированной разводки СБИС и УБИС широко используются пленки, полученные центрифугованием из кремнийорганических пленкообразующих растворов (НЦР–пленки – Spin–On–Glass (SOG)). Состав полученного из раствора слоя практически соответствует оксиду кремния, что позволяет использовать эти слои в качестве составной части межуровневого диэлектрика. При этом свойства таких слоев близки к свойствам плазмо–химического оксида кремния. Преимущества: низкая стоимость и энергоемкость используемого при этом оборудования, - низкая токсичность используемых реагентов , - простота утилизации продуктов реакции.

Материалы для формирования НЦР-пленок

Процесс нанесения НЦР–пленок

Применение НЦР–пленок