Провідність напівпровідників Корєшкова А. В.

Нажмите для полного просмотра!

Провідність напівпровідників Корєшкова А. В. , слайд №2

Провідність напівпровідників Корєшкова А. В. , слайд №3

Провідність напівпровідників Корєшкова А. В. , слайд №4

Провідність напівпровідників Корєшкова А. В. , слайд №5

Провідність напівпровідників Корєшкова А. В. , слайд №6

Провідність напівпровідників Корєшкова А. В. , слайд №7

Провідність напівпровідників Корєшкова А. В. , слайд №8

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать Провідність напівпровідників Корєшкова А. В. . Презентация содержит 8 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Провідність напівпровідників Корєшкова А. В.

Слайд 2

Описание слайда:

Напівпровідник Напівпровідни́к — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Відрізняються від провідників сильною залежністю питомої провідності від концентрації домішок, температури і різних видів випромінювання. Основною властивістю цих матеріалів є збільшення електричної провідності з ростом температури.

Слайд 3

Описание слайда:

Приклади напівпровідників Напівпровідниками є речовини, ширина забороненої зони яких складає близько кількох електронвольт (еВ). Наприклад, алмаз можна віднести до широкозонних напівпровідників, а арсенід індію — до вузькозонних.

Слайд 4

Описание слайда:

Залежність провідності від тепла Провідність напівпровідників сильно залежить від температури. Поблизу абсолютного нуля температури напівпровідники мають властивості діелектриків (ізоляторів). Кремній, наприклад, при низькій температурі погано проводить електричний струм, але під впливом світла, тепла чи напруги електропровідність зростає.

Слайд 5

Описание слайда:

Фактори, що впливають на провідність Напівпровідники мають повністю заповнену валентну зону, відділену від зони провідності неширокою забороненою зоною. Ширина забороненої зони напівпровідників зазвичай менша за 3 еВ. Неширока заборонена зона призводить до того, що при підвищенні температури ймовірність збудження електрона у зону провідності зростає за експоненційним законом. Саме цим фактом зумовлене збільшення електропровідності власних напівпровідників.

Слайд 6

Описание слайда:

Фактори, що впливають на провідність Невелика ширина забороненої зони також сприяє фотопровідності напівпровідників. В залежності від концентрації домішок напівпровідники діляться на власні (без домішок), n-типу (донори), p-типу (акцептори) і компенсовані (концентрація донорів урівноважує концентрацію акцепторів, й напівпровідник веде себе, як власний). При дуже високій концентрації домішок напівпровідник стає виродженим і поводить себе як метал.

Слайд 7

Описание слайда:

Напівпровідники в ПСХЕ Неорганічні напівпровідники розділяють на типи: Одноелементні напівпровідники IV групи періодичної системи елементів. За сучасною хімічною класифікацією ця група називається група 14 періодичної системи елементів, але в фізиці заведено використовувати стару термінологію. Складні: двоелементний AIII BV і AII BVI з третьої і п'ятої групи, і з другої і шостої групи елементів відповідно. Всі типи неорганічних напівпровідників мають цікаву залежність ширини забороненої зони від періоду, а саме — зі збільшенням періоду ширина забороненої зони зменшується.

Слайд 8

Описание слайда:

Застосування Кремній найчастіше використовується в діодах, світлодіодах, транзисторах, випрямлячах і інтегральних схемах (чипах), сонячних елементах. Окрім кремнію широко використовуються арсенід галію, арсенід алюмінію, германій та багато інших. В останні роки дедалі популярніші органічні напівпровідники, які застосовуються, наприклад, у копіювальній техніці.