🗊Презентация Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11)

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №1Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №2Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №3Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №4Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №5Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №6Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №7Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №8Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №9Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №10Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №11Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №12Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №13Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №14Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №15Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №16Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №17Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №18Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №19Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №20Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №21
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11). Доклад-сообщение содержит 21 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Лекция №11. Тема: Проводниковые материалы в микроэлектронике 1. Основные требования, предъявляемые к материалам в микроэлектронике 2. Металлизация 3. Электродные материалы и их назначение 4. Сплавы с высоким удельным сопротивлением. Керметы.
Описание слайда:
Лекция №11. Тема: Проводниковые материалы в микроэлектронике 1. Основные требования, предъявляемые к материалам в микроэлектронике 2. Металлизация 3. Электродные материалы и их назначение 4. Сплавы с высоким удельным сопротивлением. Керметы.

Слайд 2


Основные требования, предъявляемые к материалам в микроэлектронике - высокая проводимость; -проводимость не должна меняться со временем; -формирование омического контакта (линейная вольт-амперная характеристика); -высокая адгезия к подложке; -способность к бесфлюсовой пайке; -устойчивость к коррозии; -совместимость материалов коммутации и элементов, находящихся с ними в контакте
Описание слайда:
Основные требования, предъявляемые к материалам в микроэлектронике - высокая проводимость; -проводимость не должна меняться со временем; -формирование омического контакта (линейная вольт-амперная характеристика); -высокая адгезия к подложке; -способность к бесфлюсовой пайке; -устойчивость к коррозии; -совместимость материалов коммутации и элементов, находящихся с ними в контакте

Слайд 3


Металлизация Требования, предъявляемые к металлизации чипа
Описание слайда:
Металлизация Требования, предъявляемые к металлизации чипа

Слайд 4


Продолжение таблицы
Описание слайда:
Продолжение таблицы

Слайд 5


Проводники для многоуровневых межсоединений
Описание слайда:
Проводники для многоуровневых межсоединений

Слайд 6


Поликремний – для затворный электродов и очень коротких локальных межсоединений. Для уменьшения сопротивления сэндвичевой структуры полиSi-силицид. Поликремний – для затворный электродов и очень коротких локальных межсоединений. Для уменьшения сопротивления сэндвичевой структуры полиSi-силицид. Силициды – для коротких локальных межсоединений, подвергаемых воздействию высоких температур и окислительной атмосферы Тугоплвкие металлы – сквозные отверстия и контактные переходы, затворные электроды, локальные межсоединения, требующие высокого сопротивления к электромиграции TiN, TiW – барьеры, антиотражательные покрытия, локальные межсоединения
Описание слайда:
Поликремний – для затворный электродов и очень коротких локальных межсоединений. Для уменьшения сопротивления сэндвичевой структуры полиSi-силицид. Поликремний – для затворный электродов и очень коротких локальных межсоединений. Для уменьшения сопротивления сэндвичевой структуры полиSi-силицид. Силициды – для коротких локальных межсоединений, подвергаемых воздействию высоких температур и окислительной атмосферы Тугоплвкие металлы – сквозные отверстия и контактные переходы, затворные электроды, локальные межсоединения, требующие высокого сопротивления к электромиграции TiN, TiW – барьеры, антиотражательные покрытия, локальные межсоединения

Слайд 7


Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №7
Описание слайда:

Слайд 8


Электромиграция
Описание слайда:
Электромиграция

Слайд 9


Формирование холмиков и пустот в результате электромиграции
Описание слайда:
Формирование холмиков и пустот в результате электромиграции

Слайд 10


Современная схема многоуровневой металлизации ИС
Описание слайда:
Современная схема многоуровневой металлизации ИС

Слайд 11


Электродные материалы и их назначение 1. Контакты Омические контакты делятся на два типа: контакты, которые демонстрируют выпрямляющие ВАХ называются барьерами Шоттки, и контакты, которые демонстрируют линейные ВАХ – омические контакты. Контакт является омическим, если падение напряжения на нем пренебрежимо мало в сравнении с падением напряжения на приборе.
Описание слайда:
Электродные материалы и их назначение 1. Контакты Омические контакты делятся на два типа: контакты, которые демонстрируют выпрямляющие ВАХ называются барьерами Шоттки, и контакты, которые демонстрируют линейные ВАХ – омические контакты. Контакт является омическим, если падение напряжения на нем пренебрежимо мало в сравнении с падением напряжения на приборе.

Слайд 12


Требования, предъявляемые к контактным материалам: -малое контактное сопротивление (никогда не равно нулю); - никакого плавления при нагрузке; - никакого истирания при нагрузке; -никакого взаимного смешивания материалов; -никакого износа; -подходящие механические свойства, например, хорошая пластичность
Описание слайда:
Требования, предъявляемые к контактным материалам: -малое контактное сопротивление (никогда не равно нулю); - никакого плавления при нагрузке; - никакого истирания при нагрузке; -никакого взаимного смешивания материалов; -никакого износа; -подходящие механические свойства, например, хорошая пластичность

Слайд 13


Используемые материалы - Cu, Ag, Au - Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt - Mo, W
Описание слайда:
Используемые материалы - Cu, Ag, Au - Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt - Mo, W

Слайд 14


Резистивные материалы 1. Пленки тугоплавких металлов – Ta, Cr, Re 2. Высокорезистивные сплавы – манганин, константан, нихром; 3. Кремнийсодержащие сплавы – РС, МЛТ 4. Керметы – смеси порошков металлов (Cr, Fe, Ni) и оксидов (SiO2, TiO2) 5. Химические соединения – силициды 6. Резистивные композиции на основе углерода
Описание слайда:
Резистивные материалы 1. Пленки тугоплавких металлов – Ta, Cr, Re 2. Высокорезистивные сплавы – манганин, константан, нихром; 3. Кремнийсодержащие сплавы – РС, МЛТ 4. Керметы – смеси порошков металлов (Cr, Fe, Ni) и оксидов (SiO2, TiO2) 5. Химические соединения – силициды 6. Резистивные композиции на основе углерода

Слайд 15


Материалы и сплавы различного назначения 1. Сплавы для термопар; 2. Припои Припои – специальные сплавы, применяемые для создания механически прочного шва или получения электрического контакта с малым переходным сопротивлением. Мягкие припои – Тпл<400C Твердые припои – Тпл>500C
Описание слайда:
Материалы и сплавы различного назначения 1. Сплавы для термопар; 2. Припои Припои – специальные сплавы, применяемые для создания механически прочного шва или получения электрического контакта с малым переходным сопротивлением. Мягкие припои – Тпл<400C Твердые припои – Тпл>500C

Слайд 16


Назначение флюса Назначение флюса -растворяют и удаляют оксиды; - защищают поверхность пайки и припой от окисления; - уменьшают поверхностное натяжение припоя и и смачиваемость поверхности пайки; -улучшают растекаемость припоя. 1) бескислотные – канифоль со спиртом или глицерином; 2) активированные флюсы – канифоль с активаторами 3) анитикоррозийные флюсы на основе фосфорной кислоты; 4) специальные флюсы – для сварки и пайки алюминия
Описание слайда:
Назначение флюса Назначение флюса -растворяют и удаляют оксиды; - защищают поверхность пайки и припой от окисления; - уменьшают поверхностное натяжение припоя и и смачиваемость поверхности пайки; -улучшают растекаемость припоя. 1) бескислотные – канифоль со спиртом или глицерином; 2) активированные флюсы – канифоль с активаторами 3) анитикоррозийные флюсы на основе фосфорной кислоты; 4) специальные флюсы – для сварки и пайки алюминия

Слайд 17


Основные свойства припоев
Описание слайда:
Основные свойства припоев

Слайд 18


Сплавы с высоким удельным сопротивлением. Керметы. Резисторы. Основные требования: - большой диапазон значений R (=сопротивление прибора в Омах) в рамках одного технологического процесса. -маленький (в идеале стремящийся к нулю) температурный коэффициент сопротивления - минимальный шум - малая зависимость  от параметров изготовления (хорошая воспроизводимость) - отсутствие старения - маленькие термоэлектрические коэффициенты по отношению к Cu
Описание слайда:
Сплавы с высоким удельным сопротивлением. Керметы. Резисторы. Основные требования: - большой диапазон значений R (=сопротивление прибора в Омах) в рамках одного технологического процесса. -маленький (в идеале стремящийся к нулю) температурный коэффициент сопротивления - минимальный шум - малая зависимость  от параметров изготовления (хорошая воспроизводимость) - отсутствие старения - маленькие термоэлектрические коэффициенты по отношению к Cu

Слайд 19


Тонкопленочные резисторы Требования, предъявляемые к материалу контактов тонкопленочных резисторов: Низкое слоевое сопротивление; Устойчивость к коррозии; Паяемая поверхность; Адгезия к поверхности подложки; Совместимость технологии формирования с другими пленочными компонентами.
Описание слайда:
Тонкопленочные резисторы Требования, предъявляемые к материалу контактов тонкопленочных резисторов: Низкое слоевое сопротивление; Устойчивость к коррозии; Паяемая поверхность; Адгезия к поверхности подложки; Совместимость технологии формирования с другими пленочными компонентами.

Слайд 20


Выбор материала - Та, сплавы на основе Та и, в частности – константан (55% Cu, 44% Ni, 1% Mn), материал с особенно малым температурным коэффициентом сопротивления , но большим термоэлектрическим коэффициентом). -смеси проводников с изоляторами, включая керметы (сокращенно от керамика-металл), например, Cr - SiO2.
Описание слайда:
Выбор материала - Та, сплавы на основе Та и, в частности – константан (55% Cu, 44% Ni, 1% Mn), материал с особенно малым температурным коэффициентом сопротивления , но большим термоэлектрическим коэффициентом). -смеси проводников с изоляторами, включая керметы (сокращенно от керамика-металл), например, Cr - SiO2.

Слайд 21


Омические контакты AuGe/Ni/Au в общем случае используется для омических контактов к GaAs n-типа. Ni - выполняет функцию диффузионного барьера n-тип –Pd-InP; Pd/Ge/Au-InP; Pd/Ge-InP; Pd/Ge-GaAs p-тип - Pd/Pt/Au/Pd-InGaP/GaAs; Zn/Pd/Pt/Au-AlGaAs/GaAs; Ti/Pt/Au-InGaAs Ti/Pt-InGaAs
Описание слайда:
Омические контакты AuGe/Ni/Au в общем случае используется для омических контактов к GaAs n-типа. Ni - выполняет функцию диффузионного барьера n-тип –Pd-InP; Pd/Ge/Au-InP; Pd/Ge-InP; Pd/Ge-GaAs p-тип - Pd/Pt/Au/Pd-InGaP/GaAs; Zn/Pd/Pt/Au-AlGaAs/GaAs; Ti/Pt/Au-InGaAs Ti/Pt-InGaAs

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию