Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11) - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №1

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №2

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №3

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №4

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №5

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №6

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №7

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №8

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №9

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №10

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №11

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №12

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №13

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №14

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №15

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №16

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №17

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №18

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №19

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №20

Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11), слайд №21

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Проводниковые материалы в микроэлектронике. (Лекция 11). Доклад-сообщение содержит 21 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Лекция №11. Тема: Проводниковые материалы в микроэлектронике 1. Основные требования, предъявляемые к материалам в микроэлектронике 2. Металлизация 3. Электродные материалы и их назначение 4. Сплавы с высоким удельным сопротивлением. Керметы.

Слайд 2

Описание слайда:

Основные требования, предъявляемые к материалам в микроэлектронике - высокая проводимость; -проводимость не должна меняться со временем; -формирование омического контакта (линейная вольт-амперная характеристика); -высокая адгезия к подложке; -способность к бесфлюсовой пайке; -устойчивость к коррозии; -совместимость материалов коммутации и элементов, находящихся с ними в контакте

Слайд 3

Описание слайда:

Металлизация Требования, предъявляемые к металлизации чипа

Слайд 4

Описание слайда:

Продолжение таблицы

Слайд 5

Описание слайда:

Проводники для многоуровневых межсоединений

Слайд 6

Описание слайда:

Поликремний – для затворный электродов и очень коротких локальных межсоединений. Для уменьшения сопротивления сэндвичевой структуры полиSi-силицид. Поликремний – для затворный электродов и очень коротких локальных межсоединений. Для уменьшения сопротивления сэндвичевой структуры полиSi-силицид. Силициды – для коротких локальных межсоединений, подвергаемых воздействию высоких температур и окислительной атмосферы Тугоплвкие металлы – сквозные отверстия и контактные переходы, затворные электроды, локальные межсоединения, требующие высокого сопротивления к электромиграции TiN, TiW – барьеры, антиотражательные покрытия, локальные межсоединения

Слайд 7

Описание слайда:

Слайд 8

Описание слайда:

Электромиграция

Слайд 9

Описание слайда:

Формирование холмиков и пустот в результате электромиграции

Слайд 10

Описание слайда:

Современная схема многоуровневой металлизации ИС

Слайд 11

Описание слайда:

Электродные материалы и их назначение 1. Контакты Омические контакты делятся на два типа: контакты, которые демонстрируют выпрямляющие ВАХ называются барьерами Шоттки, и контакты, которые демонстрируют линейные ВАХ – омические контакты. Контакт является омическим, если падение напряжения на нем пренебрежимо мало в сравнении с падением напряжения на приборе.

Слайд 12

Описание слайда:

Требования, предъявляемые к контактным материалам: -малое контактное сопротивление (никогда не равно нулю); - никакого плавления при нагрузке; - никакого истирания при нагрузке; -никакого взаимного смешивания материалов; -никакого износа; -подходящие механические свойства, например, хорошая пластичность

Слайд 13

Описание слайда:

Используемые материалы - Cu, Ag, Au - Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt - Mo, W

Слайд 14

Описание слайда:

Резистивные материалы 1. Пленки тугоплавких металлов – Ta, Cr, Re 2. Высокорезистивные сплавы – манганин, константан, нихром; 3. Кремнийсодержащие сплавы – РС, МЛТ 4. Керметы – смеси порошков металлов (Cr, Fe, Ni) и оксидов (SiO2, TiO2) 5. Химические соединения – силициды 6. Резистивные композиции на основе углерода

Слайд 15

Описание слайда:

Материалы и сплавы различного назначения 1. Сплавы для термопар; 2. Припои Припои – специальные сплавы, применяемые для создания механически прочного шва или получения электрического контакта с малым переходным сопротивлением. Мягкие припои – Тпл500C

Слайд 16

Описание слайда:

Назначение флюса Назначение флюса -растворяют и удаляют оксиды; - защищают поверхность пайки и припой от окисления; - уменьшают поверхностное натяжение припоя и и смачиваемость поверхности пайки; -улучшают растекаемость припоя. 1) бескислотные – канифоль со спиртом или глицерином; 2) активированные флюсы – канифоль с активаторами 3) анитикоррозийные флюсы на основе фосфорной кислоты; 4) специальные флюсы – для сварки и пайки алюминия

Слайд 17

Описание слайда:

Основные свойства припоев

Слайд 18

Описание слайда:

Сплавы с высоким удельным сопротивлением. Керметы. Резисторы. Основные требования: - большой диапазон значений R (=сопротивление прибора в Омах) в рамках одного технологического процесса. -маленький (в идеале стремящийся к нулю) температурный коэффициент сопротивления - минимальный шум - малая зависимость  от параметров изготовления (хорошая воспроизводимость) - отсутствие старения - маленькие термоэлектрические коэффициенты по отношению к Cu

Слайд 19

Описание слайда:

Тонкопленочные резисторы Требования, предъявляемые к материалу контактов тонкопленочных резисторов: Низкое слоевое сопротивление; Устойчивость к коррозии; Паяемая поверхность; Адгезия к поверхности подложки; Совместимость технологии формирования с другими пленочными компонентами.

Слайд 20

Описание слайда:

Выбор материала - Та, сплавы на основе Та и, в частности – константан (55% Cu, 44% Ni, 1% Mn), материал с особенно малым температурным коэффициентом сопротивления , но большим термоэлектрическим коэффициентом). -смеси проводников с изоляторами, включая керметы (сокращенно от керамика-металл), например, Cr - SiO2.

Слайд 21

Описание слайда:

Омические контакты AuGe/Ni/Au в общем случае используется для омических контактов к GaAs n-типа. Ni - выполняет функцию диффузионного барьера n-тип –Pd-InP; Pd/Ge/Au-InP; Pd/Ge-InP; Pd/Ge-GaAs p-тип - Pd/Pt/Au/Pd-InGaP/GaAs; Zn/Pd/Pt/Au-AlGaAs/GaAs; Ti/Pt/Au-InGaAs Ti/Pt-InGaAs