Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода

Нажмите для полного просмотра!

Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода, слайд №2

Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода, слайд №3

Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода, слайд №4

Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода, слайд №5

Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода, слайд №6

Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода, слайд №7

Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода, слайд №8

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода. Доклад-сообщение содержит 8 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода Иванов Н.А. R4180

Слайд 2

Описание слайда:

Актуальность работы заключается в осуществлении импортозамещения закупаемых из-за границы электронных компонентов (p-i-n - диодов), используемых в изделиях военного назначения.

Слайд 3

Описание слайда:

Цель данной работы – разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода по соответствующему техническому заданию. Для достижения этой цели необходимо выполнить следующие задачи: 1. Выбор схемы включения диода. 2. Выбор технологии создания полупроводниковой структуры. 3. Выбор конструкции диода в соответствии с техническим заданием. 4. Расчет конструктивных, электрических и тепловых параметров. 5. Сборка полученной полупроводниковой структуры в корпус. 6. Измерение полученной партии диодов на соответствие техническому заданию.

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Практическая значимость работы заключается в произведении теоретических расчетов конструктивных параметров p-i-n - диода, которые в дальнейшем послужат основанием для разработки конструкторской документации на изделие и постановки его на производство.

Слайд 6

Описание слайда:

P-i-n-диоды — это разновидность диодов, в которых полупроводниковая пластина состоит из сильно легированных p-области и n-области, разделенных слоем сравнительно чистого высокоомного материала. Электрический контакт подводится к двум сильно легированным областям. При нулевом или обратном напряжении смещения такой диод обладает высоким импедансом на СВЧ, в то время как при небольших прямых токах импеданс очень низкий.