Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур

Нажмите для полного просмотра!

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №2

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №3

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №4

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №5

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №6

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №7

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №8

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №9

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №10

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №11

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №12

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №13

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №14

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №15

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №16

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №17

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №18

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №19

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №20

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №21

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №22

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №23

Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур, слайд №24

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур. Доклад-сообщение содержит 24 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ НАНОСТРУКТУР

Слайд 2

Описание слайда:

Эпитаксиальный рост тонкой пленки А на подложке Б Монослойный или двумерный рост (атомы группы А притягиваются к подложке сильнее, чем друг к другу. В результате этого атомы сначала объединяются, образуя монослойные островки, которые затем расширяются и сливаются, образуя первый монослой). Метод Волмера-Вебера (атомы группы А сильнее притягиваются друг к другу, чем к подложке. Таким образом, они сначала будут объединяться, формируя островки, в ходе эпитаксии эти островки будут расти и в конце концов образуют сплошную пленку). Метод Странского-Крастанова (атомы А сначала будут распределяться по плоскости, создавая или единственный монослой, или тонкую пленку из малого числа монослоев. Важным фактором, управляющим ростом эпитаксиальной пленки является несоответствие решеток между эпитаксиальным слоем А и подложкой Б) .

Слайд 3

Описание слайда:

Метод Странского-Крастанова Рост квантовых точек методом Странского-Крастанова

Слайд 4

Описание слайда:

Самоорганизация и самосборка наноструктур

Слайд 5

Описание слайда:

Газофазный синтез

Слайд 6

Описание слайда:

Плазмохимический синтез

Слайд 7

Описание слайда:

Осаждение из коллоидных растворов Осаждение из коллоидных растворов — метод получения изолированных наночастиц и нанопорошков, заключающийся в прерывании химической реакции между компонентами раствора, после чего система переходит из жидкого коллоидного состояния в дисперсное твердое состояние. (Коллоидная (дисперсная) система — система, в которой дискретные частицы, капли или пузырьки дисперсной фазы, имеющие размер хотя бы в одном из измерений от 1 до 100 нм, распределены в другой фазе, обычно непрерывной, отличающейся от первой по составу или агрегатному состоянию и называющейся дисперсионной средой).

Слайд 8

Описание слайда:

Молекулярно-лучевая эпитаксия

Слайд 9

Описание слайда:

ТЕРМИЧЕСКОЕ РАЗЛОЖЕНИЕ И ВОССТАНОВЛЕНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ РАЗЛОЖЕНИЕ И ВОССТАНОВЛЕНИЕ При термическом разложении обычно используют сложные металлоорганические соединения, гидроксиды, нитраты и т.д., которые при определенной температуре распадаются с образованием синтезируемого вещества и выделением газовой фазы. МОСГИДРИДНАЯ ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ При мосгидридной газофазной эпитаксии (МОСГЭ) гетероструктуры выращиваются в газофазном реакторе при атмосферном давлении. Газовой фазой в таких реакторах обычно является горячий поток водорода, смешанный с атомами осаждаемого вещества.

Слайд 10

Описание слайда:

МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

Слайд 11

Описание слайда:

Полевая эмиссионная микроскопия

Слайд 12

Описание слайда:

Полевая ионная микроскопия

Слайд 13

Описание слайда:

Просвечивающая электронная микроскопия (TEM – transmission electron microscopy)

Слайд 14

Описание слайда:

Отражательная электронная микроскопия

Слайд 15

Описание слайда:

Микроскопия медленных электронов

Слайд 16

Описание слайда:

Сканирующая электронная микроскопия (SEM – scanning electron microscopy)

Слайд 17

Описание слайда:

Зондовая микроскопия

Слайд 18

Описание слайда:

Сканирующая туннельная микроскопия

Слайд 19

Описание слайда:

Слайд 20

Описание слайда:

Атомно-силовая микроскопия

Слайд 21

Описание слайда:

Режимы работы АСМ 1) Контактный режим. Расстояние от иглы до образца порядка нескольких ангстрем, т.е. игла находится в мягком физическом контакте с образцом и подвержена действию сил отталкивания. Кантилевер должен быть очень гибким. Взаимодействие между иглой и образцом заставит кантилевер изгибаться, повторяя топографию поверхности. 2) Бесконтактный режим. Расстояние от иглы до образца порядка 10 - 100 Å, т.е. на кантилевер действуют силы притяжения. В этом режиме жесткий кантилевер заставляют колебаться вблизи его резонансной частоты (обычно порядка 100 – 400 кГц, типичные амплитуды порядка 10Å). Из-за взаимодействия с образцом резонансная частота кантилевера меняется. 3) Полуконтактный режим. Аналогичен бесконтактному режиму, отличие: игла кантилевера в нижней точке своих колебаний слегка касается поверхности образца. Полуконтактный режим не обеспечивает атомарного разрешения, но применяется для получения изображений шероховатых поверхностей с высоким рельефом.