Сильно легированные и некристаллические полупроводники

Нажмите для полного просмотра!

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №2

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №3

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №4

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №5

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №6

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №7

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №8

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №9

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №10

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №11

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №12

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №13

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №14

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №15

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №16

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №17

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №18

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №19

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №20

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №21

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №22

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №23

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №24

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №25

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №26

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №27

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №28

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №29

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №30

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №31

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №32

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №33

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №34

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №35

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №36

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №37

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №38

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №39

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №40

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №41

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №42

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №43

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №44

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №45

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №46

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №47

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №48

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №49

Сильно легированные и некристаллические полупроводники, слайд №50

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Сильно легированные и некристаллические полупроводники. Доклад-сообщение содержит 50 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Твердотельная электроника Сильно легированные и некристаллические полупроводники

Слайд 2

Описание слайда:

Сильно легированные полупроводники Сильнолегированный полупроводник – кристаллический полупроводник, в котором примесные атомы (ионы) хаотически распределены в решетке, а их концентрация N превышает некоторую критическую концентрацию Nкр.

Слайд 3

Описание слайда:

Сильно легированные полупроводники При достаточно большой концентрации примесей примесная зона продолжает расширяться, и при некоторой критической концентрации Nкp она сливается как с зоной проводимости, так и с валентной зоной. Плотность состояний оказывается отличной от 0 практически во всей запрещенной зоне полупроводника («хвосты» плотности состояний). При этом газ носителей заряда уже не подчиняется статистике Больцмана; он становится вырожденным и подчиняется статистике Ферми.

Слайд 4

Описание слайда:

Зависимость плотности примесных состояний от их энергии

Слайд 5

Описание слайда:

При сильном легировании электрон взаимодействует одновременно с несколькими примесными атомами, количество и координаты которых из-за хаотического распределения различны в разных частях кристалла. В результате потенциальная энергия U примесных электронов приобретает случайный характер, приводящий к гофрировке зон При сильном легировании электрон взаимодействует одновременно с несколькими примесными атомами, количество и координаты которых из-за хаотического распределения различны в разных частях кристалла. В результате потенциальная энергия U примесных электронов приобретает случайный характер, приводящий к гофрировке зон

Слайд 6

Описание слайда:

Энергия носителей заряда в поле примесей при сильном легировании полупроводника

Слайд 7

Описание слайда:

«Хвосты» плотности состояний и их флуктуационный характер проявляются в электропроводности (прыжковая проводимость), в фотопроводимости (гигантское увеличение времени жизни носителей заряда), в электролюминесценции р - п-переходов и гетеропереходов и др. «Хвосты» плотности состояний и их флуктуационный характер проявляются в электропроводности (прыжковая проводимость), в фотопроводимости (гигантское увеличение времени жизни носителей заряда), в электролюминесценции р - п-переходов и гетеропереходов и др.

Слайд 8

Описание слайда:

Электронные состояния в "хвостах" делятся на локализованные и делокализованные (токопроводящие). Электронные состояния в "хвостах" делятся на локализованные и делокализованные (токопроводящие).

Слайд 9

Описание слайда:

При N>Nкp нарушается ионизационно-примесное равновесие, т.е. возникает отклонение от равенства = N. Это обусловлено образованием примесных кластеров (комплексов). Комплексообразование может приводить к изменению концентрации носителей и положения примесных уровней примеси в запрещенной зоне При N>Nкp нарушается ионизационно-примесное равновесие, т.е. возникает отклонение от равенства = N. Это обусловлено образованием примесных кластеров (комплексов). Комплексообразование может приводить к изменению концентрации носителей и положения примесных уровней примеси в запрещенной зоне

Слайд 10

Описание слайда:

Зависимость концентрации носителей п0 от концентрации примесей N

Слайд 11

Описание слайда:

Отметим основные особенности сильно легированных полупроводников СЛП могут рассматриваться как плохо проводящие металлы, и в тех, и в других веществах уровень Ферми находится в зоне проводимости (напомню, что полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости, в валентной зоне или в запрещенной зоне в пределах энергии, равной kT, от ее границ, называют вырожденным); в СЛП, так же как и в металле, зона проводимости оказывается частично заполненной электронами даже при абсолютном нуле;

Слайд 12

Описание слайда:

Основные особенности сильно легированных полупроводников в СЛП примесные уровни в запрещенной зоне сливаются друг с другом и образуют примесную зону, смыкающуюся с дном зоны проводимости в полупроводниках n-типа или с потолком валентной зоны в полупроводниках р-типа; в СЛП наиболее вероятными центрами рассеяния являются ионы примеси;

Слайд 13

Описание слайда:

Основные особенности сильно легированных полупроводников в СЛП р-типа уровень Ферми расположен вблизи валентной зоны, поэтому концентрация дырок в валентной зоне велика и почти все ловушки пустые. В этом случае время жизни электронно-дырочной пары определяется захватом электронов (концентрация которых мала) на уровень ловушки: как только электрон будет захвачен ловушкой, она мгновенно заполнится одной из дырок, число которых велико; как и в материале n- типа, время жизни электронно-дырочных пар контролируется временем захвата неосновных носителей;

Слайд 14

Описание слайда:

Основные особенности сильно легированных полупроводников в СЛП п- или р-типа и – постоянные, не зависящие от концентраций носителей тока; в СЛП, также как и в слаболегированных при низких температурах, преобладающим механизмом рассеяния является рассеяние на примесях и дефектах, однако в СЛП возникает дополнительное поглощение, обусловленное свободными носителями

Слайд 15

Описание слайда:

Основные особенности сильно легированных полупроводников Весьма важным свойством СЛП вообще и, в частности, германия является независимость постоянной Холла от температуры в широком температурном интервале

Слайд 16

Описание слайда:

Основные особенности сильно легированных полупроводников Вследствие этого, а также из-за особенностей энергетических зон сильно легированного полупроводника при обратных и небольших (около 100 мВ) прямых напряжениях появляется так называемый туннельный ток, объясняемый квантово-механическим туннельным эффектом. При этом эффекте частица (электрон) способна преодолеть потенциальный барьер, создаваемый встречным электрическим полем области пространственного заряда и превышающий ее кинетическую энергию. В обычных (слабо легированных) рп-переходах условия возникновения туннельного эффекта не выполняются, поэтому туннельный ток в них отсутствует

Слайд 17

Описание слайда:

Квантово-механический туннельный эффект

Слайд 18

Описание слайда:

Слайд 19

Описание слайда:

Слайд 20

Описание слайда:

Слайд 21

Описание слайда:

Слайд 22

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Проблема неупорядоченных полупроводников относится к одной из наиболее интересных и наименее изученных областей физики конденсированных сред. Наибольших успехов теория конденсированных сред добилась в приложении к крайне идеализированному объекту – монокристаллическому состоянию вещества.

Слайд 23

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники С другой стороны, очевидно, что монокристаллы встречаются несравненно реже, чем неупорядоченные системы – микро- и нанокристаллы, неупорядоченные сплавы, аморфные и стеклообразные материалы.

Слайд 24

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Во многих случаях к перечисленным материалам оказываются неприменимы основные положения физики монокристаллов, поскольку последние основаны на существовании периодической кристаллической решетки или, иначе говоря, на существовании трансляционной симметрии

Слайд 25

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Физика и технология приборов, основанных на некристаллических полупроводниках, в настоящее время активно развиваются. К таким приборам, прежде всего, относятся: фотоэлектрические преобразователи энергии (солнечные батареи) на основе гидрогенезированного аморфного и микрокристаллического кремния и его сплавов; матрицы тонкопленочных транзисторов для управления жидкокристаллическими дисплеями и телевизионными экранами; устройства для записи и обработки оптической и голографической информации:

Слайд 26

Описание слайда:

Аморфные и стеклообразные полупроводники аморфные и стеклообразные вещества, обладающие свойствами полупроводников. Они характеризуются наличием ближнего и отсутствием дальнего порядка

Слайд 27

Описание слайда:

Аморфные и стеклообразные полупроводники Потеря дальнего порядка приводит к исчезновению на дифракционных картинах резких рефлексов, свойственных кристаллам. Таким образом, имеется и экспериментальный метод разграничения кристаллических и некристаллических тел.

Слайд 28

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники

Слайд 29

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники При наличии дальнего порядка в расположении атомов потенциальная энергия носителей заряда, двигающихся в суммарном поле атомов, является периодической функцией координат. Нарушение дальнего порядка приводит к нарушению этой периодичности

Слайд 30

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Исходя из этого, можно дать следующее определение: неупорядоченными называются материалы, в которых потенциальная энергия носителей заряда является непериодической функцией координат.

Слайд 31

Описание слайда:

Зависимость потенциальной энергии носителей заряда от координаты в случае кристалла (а) и неупорядоченного материала (б)

Слайд 32

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники В качестве критерия используется изменение средней энергии носителей заряда ΔЕ, связанное с нарушением дальнего порядка. Поскольку в невырожденных полупроводниках средняя энергия электронов равняется kT (k – постоянная Больцмана), то в случае ΔЕ

Слайд 33

Описание слайда:

К неупорядоченным системам относятся: жидкие полупроводники; некристаллические полупроводники; сильно легированные кристаллические полупроводники; поверхность кристаллических полупроводников; неупорядоченные кристаллические полупроводниковые сплавы

Слайд 34

Описание слайда:

Выделяют три механизма проводимости, которые преобладают в различных температурных интервалах: перенос носителей заряда, возбужденных за край подвижности, по делокализованным состояниям; прыжковый перенос носителей заряда, возбужденных в локализованные состояния вблизи краев подвижности; прыжковый перенос носителей по локализованным состояниям

Слайд 35

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Особенности аморфных и стеклообразных полупроводников связаны с особенностями энергетического спектра электронов. Наличие энергетических областей с высокой и низкой плотностями электронных состояний – следствие ближнего порядка. Поэтому можно условно говорить о зонной структуре некристаллических веществ.

Слайд 36

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Однако разупорядоченность структуры приводит к появлению дополнительных разрешенных электронных состояний, плотность которых N(E) спадает в глубь запрещенной зоны, образуя "хвосты" плотности состояний.

Слайд 37

Описание слайда:

Зависимость плотность разрешенных электронных состояний от энергии

Слайд 38

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники По аналогии с кристаллическими полупроводниками, расстояние между краями подвижности называется запрещенной зоной (или щелью) по подвижности. Электронные состояния в "хвостах" делятся на локализованные и делокализованные (токопроводящие). Максимумы N(E), обусловленные дефектами структуры, могут возникать внутри щели и перекрываться друг с другом, как и сами "хвосты"

Слайд 39

Описание слайда:

Структуры запрещенных зон некристаллических полупроводников

Слайд 40

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Выделяют три механизма проводимости, которые преобладают в различных температурных интервалах: перенос носителей заряда, возбужденных за край подвижности, по делокализованным состояниям. При этом статическая проводимость в широком температурном интервале определяется выражением

Слайд 41

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники прыжковый перенос носителей заряда, возбужденных в локализованнын состояния вблизи краев подвижности

Слайд 42

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники прыжковый перенос носителей по локализованным состояниям вблизи на расстоянии, увеличивающиеся при уменьшении Т:

Слайд 43

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Подвижность носителей заряда мала (10-5-10-8 см2 В-1с-1) и зависит от напряженности электрического поля и толщины образца, что связывают либо с многократным захватом носителей на локализованные состояния, распределенные по определенному закону, либо с прыжковым переносом

Слайд 44

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Аморфные и стеклообразные полупроводники по составу и структуре подразделяются на халькогенидные, оксидные, органические, тетраэдрические. Наиболее подробно изучены халькогенидные стеклообразные (ХСП) и элементарные тетраэдрические (ЭТАП).

Слайд 45

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники ХСП получают в основном либо охлаждением расплава, либо испарением в вакууме. К ним относятся Se и Те, а также двух- и многокомпонентные стеклообразные сплавы халькогенидов (сульфидов, селенидов в теллуридов) разл. металлов (напр., As-S - Se, As- -Ge-Se-Те, As-Sb-S-Se, Ge-S-Se, Ge-Pb-S). ЭТАП (аморфные Ge и Si) получают чаще всего ионным распылением в разл. водородсодержащих атмосферах или диссоциацией содержащих их газов (в частности, SiH4 или GeH4) в высокочастотном разряде.

Слайд 46

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Для многих халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) характерен эффект переключения – быстрый (~10-10 с) обратимый переход из высокоомного состояния (1) в низкоомное (2) под действием сильного электрического поля 105 В см-1.

Слайд 47

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники прыжковый перенос носителей заряда, возбужденных в локализованные состояния вблизи краев подвижности. В этом случае

Слайд 48

Описание слайда:

ВАХ ХСП в условиях "эффекта переключения"

Слайд 49

Описание слайда:

Некристаллические полупроводники Это объясняется как инжекцией электронов и дырок из контакта и делокализацией захваченных носителей заряда, так и ростом температуры в шнуре тока. В ряде ХСП низкоомное состояние образца сохраняется длительно, а для возврата в высокоомное состояние необходимо пропустить через образец кратковременный импульс тока. Этот эффект памяти обусловлен частичной кристаллизацией ХСП в области токового шнура.