🗊Презентация Статистика носителей заряда в полупроводниках

СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Распределение Ферми-Дирака Носители заряда в твердых телах описываются статистикой Ферми – Дирака химический потенциал µ имеет смысл энергии Ферми (µ = EF при температурах, существенно меньших TF)

Зонная структура полупроводника и металла В металлах уровень Ферми находится в зоне проводимости, в химически чистом полупроводниковом материале уровень Ферми располагается вблизи середины запрещенной зоны. Работа выхода электрона из металла (Авых) и аналогичная ей величина в полупроводнике, которая носит название термодинамической работы выхода. Реально наблюдаемая работа выхода внешнего эффекта в полупроводнике представлена величиной еФвых.

Концентрация носителей заряда в полупроводнике В равновесном состоянии в полупроводнике носители тока определенным образом распределены по энергетическим состояниям в зоне проводимости и валентной зоне, а электропроводность полупроводника определяется их концентрацией в материале. В полупроводниках присутствуют носители заряда двух типов: носители отрицательного заряда – электроны, и носители положительного заряда – дырки. Мы понимаем, что и те и другие являются квазичастицами, свойства которых определяются особенностями строения полупроводникового кристалла.

Генерация и рекомбинация носителей заряда в собственном полупроводнике При низких температурах электронные состояния валентной зоны полупроводника заняты, в зоне проводимости электронные состояния вакантны. Повышение температуры (или иное энергетическое воздействие на образец) приводит к тому, что плотность вероятности заполнения вакантного состояния зоны проводимости становится отличной от нуля. В зоне проводимости можно использовать функцию Больцмана В свою очередь, становится отличной от нуля вероятность освобождения занятого состояния в валентной зоне, что приводит к возникновению пары подвижных носителей разных знаков (электрона и дырки), которые могут участвовать в процессе электропроводности

Этот процесс называется генерацией носителей, существует обратный процесс – рекомбинация, результатом которой является восстановление дефектной межатомной связи с исчезновением пары подвижных носителей. В условиях термодинамического равновесия скорости генерации и рекомбинации носителей выравниваются, в результате чего в полупроводнике устанавливается равновесная концентрация подвижных носителей заряда (носителей тока). Важно, что в собственном полупроводнике, где носители разного знака генерируются и рекомбинируют парами, равновесная концентрация (ni) электронов равна равновесной концентрации (pi) дырок Этот процесс называется генерацией носителей, существует обратный процесс – рекомбинация, результатом которой является восстановление дефектной межатомной связи с исчезновением пары подвижных носителей. В условиях термодинамического равновесия скорости генерации и рекомбинации носителей выравниваются, в результате чего в полупроводнике устанавливается равновесная концентрация подвижных носителей заряда (носителей тока). Важно, что в собственном полупроводнике, где носители разного знака генерируются и рекомбинируют парами, равновесная концентрация (ni) электронов равна равновесной концентрации (pi) дырок Для нахождения концентрации носителей в полупроводнике (например, концентрации электронов) необходимо учесть тот факт, что число состояний в зоне проводимости (N(E)) будет различным, в зависимости от значения энергии конкретного состояния.

Концентрация носителей заряда в полупроводнике Генерация и рекомбинация носителей заряда

Произведение концентраций не зависит от положения уровня Ферми в полупроводнике, поэтому закон действующих масс остается справедливым для расчета концентраций носителей тока в полупроводниковом материале любого типа проводимости. Произведение концентраций не зависит от положения уровня Ферми в полупроводнике, поэтому закон действующих масс остается справедливым для расчета концентраций носителей тока в полупроводниковом материале любого типа проводимости. Значение величины ni для полупроводниковых материалов часто приводится в различных справочниках.

Электропроводность собственного полупроводника Учитывая, что концентрация носителей тока в полупроводнике полностью определяет его удельную проводимость, для плотности тока в полупроводнике получим j – плотность тока, Е – вектор напряженности электрического поля. Удельная проводимость полупроводника будет расти с тостом температуры, что иллюстрируется графиками изменения концентрации носителей для некоторых материалов с различной шириной запрещенной зоны (от 0,6 эВ у германия до 1,5 эВ у арсенида галлия). Сопоставляя выражение для плотности тока с законом Ома, легко видеть, что удельная проводимость собственного полупроводника .

Зависимость концентрации от температуры

Генерация и рекомбинация носителей заряда в примесных полупроводниках Механизм проводимости примесного полупроводника определяется природой химического элемента, которым легирован исходный полупроводниковый материал. Различают акцепторные и донорные примеси, и, соответственно, дырочный (p) и электронный (n) типы электропроводности легированного материала. Атомы акцепторной примеси (например, бор в кремнии) содержат на внешней орбитали меньшее число электронов, чем атомы кристаллической матрицы. Это приводит к появлению дефектных межатомных связей (электронных вакансий) в местах расположения атомов примеси. В процессе теплового возбуждения вакансия может быть занята электроном из ближайшей межатомной связи, тем самым, возникая в другом месте кристалла. Такое перемещение вакансии трактуется, как движение положительно заряженной квазичастицы (дырки). Под действием внешнего электрического поля дырки дрейфуют в соответствующем направлении, обеспечивая электропроводность.

Носители заряда в примесных полупроводниках Механизм проводимости примесного полупроводника определяется природой химического элемента, которым легирован исходный полупроводниковый материал. Различают акцепторные и донорные примеси, и, соответственно, дырочный (p) и электронный (n) типы электропроводности легированного материала.

На зонной схеме акцепторные примеси изображаются системой уровней, расположенных в запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны с зазором, исчисляемым долями электронвольт (рис. 5). Наличие примесей в полупроводнике существенно меняет положение уровня Ферми. При абсолютном нуле температуры уровень Ферми находится примерно посередине между потолком валентной зоны и уровнем акцепторов. По мере возбуждения акцепторных уровней (формирования отрицательно заряженных ионов акцепторной примеси) уровень Ферми смещается в сторону валентной зоны. Одновременно с этим, повышение температуры способствует росту генерации собственных носителей полупроводника, что смещает уровень Ферми в сторону зоны проводимости. В результате, при высокой температуре, когда все атомы примеси ионизированы, а скорость генерации собственных носителей велика, уровень Ферми стремится занять положение вблизи середины запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике. На зонной схеме акцепторные примеси изображаются системой уровней, расположенных в запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны с зазором, исчисляемым долями электронвольт (рис. 5). Наличие примесей в полупроводнике существенно меняет положение уровня Ферми. При абсолютном нуле температуры уровень Ферми находится примерно посередине между потолком валентной зоны и уровнем акцепторов. По мере возбуждения акцепторных уровней (формирования отрицательно заряженных ионов акцепторной примеси) уровень Ферми смещается в сторону валентной зоны. Одновременно с этим, повышение температуры способствует росту генерации собственных носителей полупроводника, что смещает уровень Ферми в сторону зоны проводимости. В результате, при высокой температуре, когда все атомы примеси ионизированы, а скорость генерации собственных носителей велика, уровень Ферми стремится занять положение вблизи середины запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике. В рабочей области температур практически все атомы акцепторной примеси ионизированы, следовательно, концентрация дырок, обусловленная наличием примеси, равна концентрации примесных атомов, pp = Na Носители тока, концентрация которых определяется легирующей примесью, называют основными носителями (в данном случае – это дырки), носители, обусловленные собственным механизмом генерации (в данном случае – электроны) называют неосновными носителями.

Симметричные рассуждения для полупроводника, легированного донорной примесью (например, алюминий в кремнии), приводят к симметричной зонной картинке и симметричным выражениям для концентрации носителей и положения уровня Ферми, а именно: Симметричные рассуждения для полупроводника, легированного донорной примесью (например, алюминий в кремнии), приводят к симметричной зонной картинке и симметричным выражениям для концентрации носителей и положения уровня Ферми, а именно: Проводимость примесного полупроводника определяется суммарным действием носителей обоих знаков

Вырожденные полупроводники Сильное легирование полупроводника приводит к тому, что отдельные уровни примесных атомов преобразуются в энергетические зоны, которые могут частично перекрываться с близлежащей зоной. Вследствие такого перекрытия энергия ионизации примесных атомов становится практически равной нулю, а уровень Ферми оказывается внутри расщепленной зоны примесных атомов (рис. 6 для полупроводника донорного типа). Для полупроводника n-типа критическая концентрация, при которой наступает вырождение, рассчитывается по формуле По механизму проводимости такой материал близок к металлу.