сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31 - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №1

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №2

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №3

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №4

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №5

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №6

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №7

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №8

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №9

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №10

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №11

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №12

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №13

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №14

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №15

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №16

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №17

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31, слайд №18

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31. Доклад-сообщение содержит 18 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

сверхпроводимость Аксенов ЭМ-31

Слайд 2

Описание слайда:

История открытия В 1911 году голландский физик Хейле Камерлинг-Оннес открыл замечательное явление – сверхпроводимость. Он обнаружил, что при охлаждении ртути в жидком гелии её сопротивление сначала меняется постепенно, а затем при температуре 4,1 К очень резко падает до нуля. Позже было открыто много других сверхпроводников: 1912: свинец и олово. 1919: таллий и уран.

Слайд 3

Описание слайда:

В 1986 году была открыта высокотемпературная сверхпроводимость. Получены сложные оксидные соединения лантана, бария, и других элементов с температурой перехода в сверхпроводящее состояние около 100 К. Это выше температуры кипения жидкого азота при атмосферном давлении. Высокотемпературная сверхпроводимость в недалёком будущем приведёт, наверняка, к новой технической революции во всей электротехнике, радиотехнике, конструировании ЭВМ. В 1986 году была открыта высокотемпературная сверхпроводимость. Получены сложные оксидные соединения лантана, бария, и других элементов с температурой перехода в сверхпроводящее состояние около 100 К. Это выше температуры кипения жидкого азота при атмосферном давлении. Высокотемпературная сверхпроводимость в недалёком будущем приведёт, наверняка, к новой технической революции во всей электротехнике, радиотехнике, конструировании ЭВМ.

Слайд 4

Описание слайда:

Сверхпроводимость — свойство некоторых материалов обладать строго нулевым электрическим сопротивлением при достижении ими температуры ниже определённого значения. Известны несколько десятков чистых элементов, сплавов и керамик, переходящих в сверхпроводящее состояние. Сверхпроводимость — свойство некоторых материалов обладать строго нулевым электрическим сопротивлением при достижении ими температуры ниже определённого значения. Известны несколько десятков чистых элементов, сплавов и керамик, переходящих в сверхпроводящее состояние. Если в кольцевом проводнике, находящемся в сверхпроводящем состоянии, создать ток, а затем устранить источник электрического тока, то сила этого тока не меняется сколь угодно долго. В обычном же несверхпроводящем проводнике электрический ток в этом случае прекращается.

Слайд 5

Описание слайда:

Высокотемпературные полупроводники Высокотемпературные сверхпроводники (высокие Tc) — семейство материалов (сверхпроводящих керамик) с общей структурной особенностью, которую можно охарактеризовать относительно хорошо выделенными медно-кислородными плоскостями. Их также называют сверхпроводниками на основе купратов. Температура сверхпроводящего перехода, которая может быть достигнута в некоторых составах в этом семействе, является самой высокой среди всех известных сверхпроводников.

Слайд 6

Описание слайда:

Структура Все основные ВТСП-системы имеют слоистую структуру. На рис.2 приведена для примера структура элементарной ячейки ВТСП-соединения YBa2Cu3O7. Обращает на себя внимание очень большая величина параметра решетки в направлении оси «с». Для YBa2Cu3O7 с=11.7Å.

Слайд 7

Описание слайда:

Наблюдается значительная анизотропия многих свойств таких соединений. Как правило соединения с большими n - металлы (хотя и плохие) в плоскости «ab», и обнаруживают полупроводниковое поведение в третьем направлении, вдоль оси «с». Но при этом они являются сверхпроводниками. Наблюдается значительная анизотропия многих свойств таких соединений. Как правило соединения с большими n - металлы (хотя и плохие) в плоскости «ab», и обнаруживают полупроводниковое поведение в третьем направлении, вдоль оси «с». Но при этом они являются сверхпроводниками. В некоторых ВТСП-системах наблюдается сверхструктурная модуляция решетки, например, в системе Bi2Sr2Can-1CunOδ. Имеется определенная корреляция Тc с периодом этой модуляции.

Слайд 8

Описание слайда:

Еще более необычны структурные образования, наблюдавшиеся в ВТСП-системах, так называемые «страйпы». «Страйпы» представляют собой сверхструктурную модуляцию зарядовой плотности. Их период составляет несколько ангстрем. Как правило, это динамические образования и они проявляются в изменении некоторых свойств ВТСП. Однако при введении примесей они могут «запиннинговаться» на этих дефектах и будут наблюдаться в статике. Еще более необычны структурные образования, наблюдавшиеся в ВТСП-системах, так называемые «страйпы». «Страйпы» представляют собой сверхструктурную модуляцию зарядовой плотности. Их период составляет несколько ангстрем. Как правило, это динамические образования и они проявляются в изменении некоторых свойств ВТСП. Однако при введении примесей они могут «запиннинговаться» на этих дефектах и будут наблюдаться в статике.

Слайд 9

Описание слайда:

Температурная зависимость сопротивления R(T) Во многих купратных ВТСП R(T) зависит практически линейно от температуры. Пример для YBa2Cu3O7 приведен на рис. Это сопротивление измерено в плоскости “ab”. Удивительно, что в чистых образцах экстраполяция этой зависимости в область низких температур ведет себя так, как будто остаточное сопротивление совершенно отсутствует

Слайд 10

Описание слайда:

В ряде других ВТСП, с меньшими Тc, где удается подавить сверхпроводимость магнитным полем, зависимость R(T) линейна вплоть до очень низких температур. Такая линейная зависимость наблюдается в очень широкой области температур: от ~10-3 до 600К. Это совершенно необычное поведение для металла. Данное явление не объяснено до сих пор В ряде других ВТСП, с меньшими Тc, где удается подавить сверхпроводимость магнитным полем, зависимость R(T) линейна вплоть до очень низких температур. Такая линейная зависимость наблюдается в очень широкой области температур: от ~10-3 до 600К. Это совершенно необычное поведение для металла. Данное явление не объяснено до сих пор

Слайд 11

Описание слайда:

На рис. показана температурная зависимость сопротивления для ВТСП-соединения YBa2Cu3O7 вдоль оси «с». Ход полупроводниковый, а наблюдаемая величина сопротивления приблизительно в 1000 раз больше. На рис. показана температурная зависимость сопротивления для ВТСП-соединения YBa2Cu3O7 вдоль оси «с». Ход полупроводниковый, а наблюдаемая величина сопротивления приблизительно в 1000 раз больше.

Слайд 12

Описание слайда:

Псевдощель Еще одно уникальное явление, обнаруживаемое только в ВТСП, − псевдощель ∆*. При некоторой температуре Т*>Tc плотность состояний на поверхности Ферми перераспределяется: на части поверхности плотность состояний уменьшается. Ниже температуры Т* соединение существует в несколько необычном «нормальном» состоянии – состоянии с псевдощелью. Величина Т* при низком уровне легирования может достигать значений 300-600К для разных ВТСП-систем, т.е. сильно превосходить Тc. В области слабого легирования Т* падает с ростом уровня легирования, в то время как Тс растет.

Слайд 13

Описание слайда:

Слайд 14

Описание слайда:

Фазовая диаграмма Варианты типичной фазовой диаграммы ВТСП-купратов показаны на рис. В зависимости от концентрации носителей тока (как правило, дырок) в высокопроводящей плоскости CuO2 наблюдается целый ряд фаз и областей с аномальными физическими свойствами.

Слайд 15

Описание слайда:

Применение Сверхпроводники находят широкое применение. Так, сооружают мощные электромагниты со сверхпроводящей обмоткой, которые создают магнитное поле на протяжении длительных интервалов времени без затрат энергии. Ведь выделения теплоты в сверхпроводящей обмотке не происходит. Сверхпроводящие магниты используются в ускорителях электромагнитных частиц, магнитогидродинамических генераторах, преобразующих механическую энергию струи раскалённого ионизированного газа, движущегося в магнитном поле, в электрическую энергию.

Слайд 16

Описание слайда:

Однако: 1. Получить сколь угодно сильное магнитное поле с помощью сверхпроводника нельзя. Очень сильное магнитное поле разрушает сверхпроводящее состояние. Поэтому для каждого проводника в сверхпроводящем состоянии существует критическое значение, превзойти которое, не нарушая сверхпроводящего состояния, нельзя. Однако: 1. Получить сколь угодно сильное магнитное поле с помощью сверхпроводника нельзя. Очень сильное магнитное поле разрушает сверхпроводящее состояние. Поэтому для каждого проводника в сверхпроводящем состоянии существует критическое значение, превзойти которое, не нарушая сверхпроводящего состояния, нельзя. 2. Если бы удалось создать сверхпроводящие материалы при температурах, близких к комнатным, то была бы решена важнейшая техническая проблема – передача энергии по проводам без потерь. 3. Объяснение сверхпроводимости возможно только на основе квантовой теории. Оно было дано лишь в 1957 году американскими учёными Дж. Бардиным, Л. Купером, Дж. Шриффером и советским учёным, академиком Н. Н. Боголюбовым.

Слайд 17

Описание слайда:

Список литературы 1. Deutschei Cuy. Superconductivy gan and pseudogap // FNT,-2006,-v. 32,-№6.-p.740-745. 2. J.G.Bednorz, K.A.Muller , Rev. Mod. Phys.,- B, 64,- P.189-(1988). 3. Физические свойства высоко-температурных сверхпроводников. Под. ред. Д.М.Гинзберга. М:. «Мир», 1990, 544 С. 4. Садовский М.В. УФН 171 539 (2001) [Sadovskii M.V. Phys. Usp. 44 515 (2001)]. 5. C. Renner et al. Phys. Rev. Lett. 80, 3606 (1998); S.H. Pan et al. Phys. Rev. Lett. 85, 1536 (2000). 6. Интернет: - рис.1