Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7)

Нажмите для полного просмотра!

Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7), слайд №2

Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7), слайд №3

Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7), слайд №4

Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7), слайд №5

Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7), слайд №6

Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7), слайд №7

Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7), слайд №8

Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7), слайд №9

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа. (Лекция 7). Доклад-сообщение содержит 9 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Рентгенофлуоресцентный анализ Теоретические основы рентгенофлуоресцентного метода анализа

Слайд 2

Описание слайда:

Введение Рентгенофлуоресцентный анализ (РФА) относится к физическим методам элементного анализа состава анализируемых объектов, содержащих элементы от Са (Z=20) до U (Z=92). Особенностью метода РФА является возможность одновременного выполнения анализа качественного состава и количественного содержания элементов в сложных многокомпонентных смесях с погрешностью 10-2 % Метод основан на анализе характеристического спектра вторичного флуоресцентного излучения пробы, который возникает под действием более жесткого рентгеновского излучения

Слайд 3

Описание слайда:

Принцип метода РФА Квант электромагнитного излучения возникает в случае перехода электрона с одной из удаленной от ядра оболочки на более близкую к ядру оболочку при наличии в ней вакансии, образующейся в результате ионизации.

Слайд 4

Описание слайда:

Физика рентгеновской флуоресцентной спектроскопии Все линии, образующиеся при заполнении вакансии на К- уровне, относятся к так называемой К-серии, а внутри серии эти линии обозначаются буквами греческого алфавита: α, β ,γ… Переходу L-K отвечает Kα линия, переходу М-К отвечает Кβ - линия и т.д

Слайд 5

Описание слайда:

Качественный анализ Рис.2. Спектр образца меди с примесями.

Слайд 6

Описание слайда:

Количественный анализ где А0- коэффициент, характеризующий величину фоновой «подстановки» под аналитической линией. При нулевой концентрации элемента X в пробе она не равна нулю; A1 - концентрационная чувствительность (определяется углом наклона калибровочного графика и показывает удельное изменение величины аналитического сигнала при изменении концентрации элемента в пробе). Т(х) - интенсивность аналитической линии.

Слайд 7

Описание слайда:

Количественный анализ где Т(х) - интенсивность аналитической линии влияющий на квантовый выход элемента Y.

Слайд 8

Описание слайда:

Основные модули и принцип работы спектрометра Рис.3 Блочная схема прибора «Спектроскан» '■

Слайд 9

Описание слайда:

Основные модули и принцип работы спектрометра рентгенофлуоресцентного анализа где λ - длина волны излучения, отраженного от кристалла; n- целое число, характеризует порядок отражения, т.е. определённый тип отражения, повторяющийся при значениях sinѲ, соответствующих значениям множителя n =1,2,3... n- целое число, характеризует порядок отражения, т.е. определённый тип отражения, повторяющийся при значениях sinѲ, соответствующих значениям множителя n =1,2,3... 2d - расстояние между узлами кристаллической решетки. В «Спектроскане» используется кристалл из LiF (200), где 2d = 4.0276 (А) Ѳ - угол падения излучения на кристалл