🗊Презентация Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9)

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №1Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №2Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №3Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №4Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №5Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №6Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №7Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №8Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №9Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №10Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №11Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №12Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №13Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №14
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9). Доклад-сообщение содержит 14 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Лекция №9 Тема: Тонкопленочные полупроводники 1. Способы формирования тонкопленочных полупроводников 2. Электрические характеристики пленочных полупроводников 3. Области применения
Описание слайда:
Лекция №9 Тема: Тонкопленочные полупроводники 1. Способы формирования тонкопленочных полупроводников 2. Электрические характеристики пленочных полупроводников 3. Области применения

Слайд 2


Стадии формирования тонких пленок
Описание слайда:
Стадии формирования тонких пленок

Слайд 3


Способы формирования тонких пленок 1. Поликристаллические пленки -метод вакуумного испарения; -метод химического осаждения из газовой фазы (CVD); -метод химического осаждения из раствора; 2. Монокристаллические пленки -газовая эпитаксия; -молекулярно-лучевая эпитаксия
Описание слайда:
Способы формирования тонких пленок 1. Поликристаллические пленки -метод вакуумного испарения; -метод химического осаждения из газовой фазы (CVD); -метод химического осаждения из раствора; 2. Монокристаллические пленки -газовая эпитаксия; -молекулярно-лучевая эпитаксия

Слайд 4


Поликристаллические пленки Поликристаллический кремний Аморфный кремний – а-Si, a-Si:H Поликристаллические пленки - CdS, CdSe, Te, PbS
Описание слайда:
Поликристаллические пленки Поликристаллический кремний Аморфный кремний – а-Si, a-Si:H Поликристаллические пленки - CdS, CdSe, Te, PbS

Слайд 5


Эпитаксиальное осаждение пленок полупроводников Эпитаксия – процесс наращивания моно-кристаллических слоев вещества на подложку, при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет ориентацию подложки Толщина осаждаемых слоев 1-10 мкм Различают: гетеро- и гомоэпитаксию
Описание слайда:
Эпитаксиальное осаждение пленок полупроводников Эпитаксия – процесс наращивания моно-кристаллических слоев вещества на подложку, при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет ориентацию подложки Толщина осаждаемых слоев 1-10 мкм Различают: гетеро- и гомоэпитаксию

Слайд 6


Гетероэпитаксия – вещество слоя и подложки различаются по составу и кристаллической структуре Гетероэпитаксия – вещество слоя и подложки различаются по составу и кристаллической структуре Гомоэпитаксия - вещество слоя и подложки одинаковы по химическому составу Молекулярно-лучевая эпитаксия Позволяет выращивать сверхтонкие слои (10-100 нм), создавать сверхрешетки. Сверхрешетка- последовательность большого числа чередующихся слоев разного состава с толщиной 5-10 нм
Описание слайда:
Гетероэпитаксия – вещество слоя и подложки различаются по составу и кристаллической структуре Гетероэпитаксия – вещество слоя и подложки различаются по составу и кристаллической структуре Гомоэпитаксия - вещество слоя и подложки одинаковы по химическому составу Молекулярно-лучевая эпитаксия Позволяет выращивать сверхтонкие слои (10-100 нм), создавать сверхрешетки. Сверхрешетка- последовательность большого числа чередующихся слоев разного состава с толщиной 5-10 нм

Слайд 7


Эпитаксиальный рост пленок полупроводников
Описание слайда:
Эпитаксиальный рост пленок полупроводников

Слайд 8


Процессы, происходящие при осаждении пленки
Описание слайда:
Процессы, происходящие при осаждении пленки

Слайд 9


Отличие электропроводности тонких пленок полупроводников от массивных материалов 1. Уменьшение эффективной подвижности носителей – размерный эффект сопротивления. 2. Уменьшение средней длины свободного пробега носителей
Описание слайда:
Отличие электропроводности тонких пленок полупроводников от массивных материалов 1. Уменьшение эффективной подвижности носителей – размерный эффект сопротивления. 2. Уменьшение средней длины свободного пробега носителей

Слайд 10


B – подвижность носителей в объеме, B – подвижность носителей в объеме, e – заряд электрона; h- постоянная Планка Для B =1000 см2/Вс и nB=1018 см-3, l=200Å. Для пленки подвижность определяется: 3. Наличие квантовых размерных эффектов, если толщина пленки сравнима или меньше длины свободного пробега носителей.
Описание слайда:
B – подвижность носителей в объеме, B – подвижность носителей в объеме, e – заряд электрона; h- постоянная Планка Для B =1000 см2/Вс и nB=1018 см-3, l=200Å. Для пленки подвижность определяется: 3. Наличие квантовых размерных эффектов, если толщина пленки сравнима или меньше длины свободного пробега носителей.

Слайд 11


Факторы, определяющие электропроводность пленок полупроводников Механизмы рассеяния носителей заряда: - рассеяние на тепловых колебаниях решетки; - рассеяние на примесях и дефектах; - поверхностное рассеяние (включая рассеяние на границах кристаллитов) Подвижность пропорциональна Т-3/2 (или Т-5/2, если велик вклад оптических фононов), т.е. возрастает с понижением температуры; Для преобладающих ионизованных примесей подвижность пропорциональна Т3/2 , т.е. уменьшается с понижением температуры
Описание слайда:
Факторы, определяющие электропроводность пленок полупроводников Механизмы рассеяния носителей заряда: - рассеяние на тепловых колебаниях решетки; - рассеяние на примесях и дефектах; - поверхностное рассеяние (включая рассеяние на границах кристаллитов) Подвижность пропорциональна Т-3/2 (или Т-5/2, если велик вклад оптических фононов), т.е. возрастает с понижением температуры; Для преобладающих ионизованных примесей подвижность пропорциональна Т3/2 , т.е. уменьшается с понижением температуры

Слайд 12


Основные электрические характеристики 1. Поверхностное сопротивление RS 2. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (положительный или отрицательный)
Описание слайда:
Основные электрические характеристики 1. Поверхностное сопротивление RS 2. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (положительный или отрицательный)

Слайд 13


Фотопроводимость полупроводниковых пленок Пленки соединений AIIBVI, AIVBVI Сенсибилизируют введением примесей: PbS – кислород PbTe – кислород (введение меняет электронный тип проводимости на дырочный) CdS, ZnSe – Ag, Cu, Cl. Фотопроводимость объясняется увеличением концентрации, подвижности и времени жизни основных носителей.
Описание слайда:
Фотопроводимость полупроводниковых пленок Пленки соединений AIIBVI, AIVBVI Сенсибилизируют введением примесей: PbS – кислород PbTe – кислород (введение меняет электронный тип проводимости на дырочный) CdS, ZnSe – Ag, Cu, Cl. Фотопроводимость объясняется увеличением концентрации, подвижности и времени жизни основных носителей.

Слайд 14


ФотоЭДС Явление, обусловленное неоднородностью пленок. ФотоЭДС создается пространственным зарядом, который возникает из-за неравномерного распределения неосновных носителей, захваченных на структурных дефектах.
Описание слайда:
ФотоЭДС Явление, обусловленное неоднородностью пленок. ФотоЭДС создается пространственным зарядом, который возникает из-за неравномерного распределения неосновных носителей, захваченных на структурных дефектах.

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию