Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9) - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №1

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №2

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №3

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №4

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №5

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №6

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №7

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №8

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №9

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №10

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №11

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №12

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №13

Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9), слайд №14

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Тонкопленочные полупроводники. (Лекция 9). Доклад-сообщение содержит 14 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Лекция №9 Тема: Тонкопленочные полупроводники 1. Способы формирования тонкопленочных полупроводников 2. Электрические характеристики пленочных полупроводников 3. Области применения

Слайд 2

Описание слайда:

Стадии формирования тонких пленок

Слайд 3

Описание слайда:

Способы формирования тонких пленок 1. Поликристаллические пленки -метод вакуумного испарения; -метод химического осаждения из газовой фазы (CVD); -метод химического осаждения из раствора; 2. Монокристаллические пленки -газовая эпитаксия; -молекулярно-лучевая эпитаксия

Слайд 4

Описание слайда:

Поликристаллические пленки Поликристаллический кремний Аморфный кремний – а-Si, a-Si:H Поликристаллические пленки - CdS, CdSe, Te, PbS

Слайд 5

Описание слайда:

Эпитаксиальное осаждение пленок полупроводников Эпитаксия – процесс наращивания моно-кристаллических слоев вещества на подложку, при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет ориентацию подложки Толщина осаждаемых слоев 1-10 мкм Различают: гетеро- и гомоэпитаксию

Слайд 6

Описание слайда:

Гетероэпитаксия – вещество слоя и подложки различаются по составу и кристаллической структуре Гетероэпитаксия – вещество слоя и подложки различаются по составу и кристаллической структуре Гомоэпитаксия - вещество слоя и подложки одинаковы по химическому составу Молекулярно-лучевая эпитаксия Позволяет выращивать сверхтонкие слои (10-100 нм), создавать сверхрешетки. Сверхрешетка- последовательность большого числа чередующихся слоев разного состава с толщиной 5-10 нм

Слайд 7

Описание слайда:

Эпитаксиальный рост пленок полупроводников

Слайд 8

Описание слайда:

Процессы, происходящие при осаждении пленки

Слайд 9

Описание слайда:

Отличие электропроводности тонких пленок полупроводников от массивных материалов 1. Уменьшение эффективной подвижности носителей – размерный эффект сопротивления. 2. Уменьшение средней длины свободного пробега носителей

Слайд 10

Описание слайда:

B – подвижность носителей в объеме, B – подвижность носителей в объеме, e – заряд электрона; h- постоянная Планка Для B =1000 см2/Вс и nB=1018 см-3, l=200Å. Для пленки подвижность определяется: 3. Наличие квантовых размерных эффектов, если толщина пленки сравнима или меньше длины свободного пробега носителей.

Слайд 11

Описание слайда:

Факторы, определяющие электропроводность пленок полупроводников Механизмы рассеяния носителей заряда: - рассеяние на тепловых колебаниях решетки; - рассеяние на примесях и дефектах; - поверхностное рассеяние (включая рассеяние на границах кристаллитов) Подвижность пропорциональна Т-3/2 (или Т-5/2, если велик вклад оптических фононов), т.е. возрастает с понижением температуры; Для преобладающих ионизованных примесей подвижность пропорциональна Т3/2 , т.е. уменьшается с понижением температуры

Слайд 12

Описание слайда:

Основные электрические характеристики 1. Поверхностное сопротивление RS 2. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (положительный или отрицательный)

Слайд 13

Описание слайда:

Фотопроводимость полупроводниковых пленок Пленки соединений AIIBVI, AIVBVI Сенсибилизируют введением примесей: PbS – кислород PbTe – кислород (введение меняет электронный тип проводимости на дырочный) CdS, ZnSe – Ag, Cu, Cl. Фотопроводимость объясняется увеличением концентрации, подвижности и времени жизни основных носителей.

Слайд 14

Описание слайда:

ФотоЭДС Явление, обусловленное неоднородностью пленок. ФотоЭДС создается пространственным зарядом, который возникает из-за неравномерного распределения неосновных носителей, захваченных на структурных дефектах.