🗊Презентация Транзисторы. Тема 4

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Транзисторы. Тема 4, слайд №1Транзисторы. Тема 4, слайд №2Транзисторы. Тема 4, слайд №3Транзисторы. Тема 4, слайд №4Транзисторы. Тема 4, слайд №5Транзисторы. Тема 4, слайд №6Транзисторы. Тема 4, слайд №7Транзисторы. Тема 4, слайд №8Транзисторы. Тема 4, слайд №9Транзисторы. Тема 4, слайд №10Транзисторы. Тема 4, слайд №11Транзисторы. Тема 4, слайд №12Транзисторы. Тема 4, слайд №13Транзисторы. Тема 4, слайд №14Транзисторы. Тема 4, слайд №15Транзисторы. Тема 4, слайд №16Транзисторы. Тема 4, слайд №17Транзисторы. Тема 4, слайд №18Транзисторы. Тема 4, слайд №19Транзисторы. Тема 4, слайд №20Транзисторы. Тема 4, слайд №21Транзисторы. Тема 4, слайд №22Транзисторы. Тема 4, слайд №23Транзисторы. Тема 4, слайд №24Транзисторы. Тема 4, слайд №25Транзисторы. Тема 4, слайд №26Транзисторы. Тема 4, слайд №27Транзисторы. Тема 4, слайд №28Транзисторы. Тема 4, слайд №29Транзисторы. Тема 4, слайд №30Транзисторы. Тема 4, слайд №31Транзисторы. Тема 4, слайд №32Транзисторы. Тема 4, слайд №33Транзисторы. Тема 4, слайд №34Транзисторы. Тема 4, слайд №35Транзисторы. Тема 4, слайд №36Транзисторы. Тема 4, слайд №37Транзисторы. Тема 4, слайд №38Транзисторы. Тема 4, слайд №39Транзисторы. Тема 4, слайд №40Транзисторы. Тема 4, слайд №41Транзисторы. Тема 4, слайд №42Транзисторы. Тема 4, слайд №43Транзисторы. Тема 4, слайд №44Транзисторы. Тема 4, слайд №45Транзисторы. Тема 4, слайд №46Транзисторы. Тема 4, слайд №47Транзисторы. Тема 4, слайд №48Транзисторы. Тема 4, слайд №49
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Транзисторы. Тема 4. Доклад-сообщение содержит 49 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Тема 4. Транзисторы
Описание слайда:
Тема 4. Транзисторы

Слайд 2


4.1. Общие сведения Транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, тремя выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции носителей заряда.
Описание слайда:
4.1. Общие сведения Транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, тремя выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции носителей заряда.

Слайд 3


4.1. Общие сведения Взаимодействие между p-n переходами существует, если толщина базы намного меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда (диффузионная длина – расстояние, которое проходят неосновные носители заряда до рекомбинации). В этом случае носители заряда, инжектированные через один из p-n переходов, могут достичь другого перехода и изменить его ток. Таким образом, взаимодействие переходов проявляется в том, что ток одного из переходов управляет током другого перехода.
Описание слайда:
4.1. Общие сведения Взаимодействие между p-n переходами существует, если толщина базы намного меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда (диффузионная длина – расстояние, которое проходят неосновные носители заряда до рекомбинации). В этом случае носители заряда, инжектированные через один из p-n переходов, могут достичь другого перехода и изменить его ток. Таким образом, взаимодействие переходов проявляется в том, что ток одного из переходов управляет током другого перехода.

Слайд 4


4.1. Общие сведения Электрические переходы могут быть смещены в прямом или обратном направлении => 3 режима работы: Отсечка: оба перехода Uобр Режим насыщения: оба перехода Uпр Активный режим (нормальный): Э - Uпр, К - Uобр. Активный режим (инверсный): Э - Uобр, К - Uпр. – существует, но не рассматривается. Стрелка условного обозначения показывает направление прямого тока открытого транзистора.
Описание слайда:
4.1. Общие сведения Электрические переходы могут быть смещены в прямом или обратном направлении => 3 режима работы: Отсечка: оба перехода Uобр Режим насыщения: оба перехода Uпр Активный режим (нормальный): Э - Uпр, К - Uобр. Активный режим (инверсный): Э - Uобр, К - Uпр. – существует, но не рассматривается. Стрелка условного обозначения показывает направление прямого тока открытого транзистора.

Слайд 5


4.1. Общие сведения 3 схемы включения: Общий эмиттер. Общая база. Общий коллектор. Общим называется электрод, относительно которого задают или измеряют напряжение.
Описание слайда:
4.1. Общие сведения 3 схемы включения: Общий эмиттер. Общая база. Общий коллектор. Общим называется электрод, относительно которого задают или измеряют напряжение.

Слайд 6


4.1. Общие сведения Два правила: По стандарту вход слева (снизу), выход справа (сверху). Входная и выходная цепи транзистора гальванически развязаны (входной ток течёт по своей цепи, а Iвых по своей). Общий эмиттер Uвх=UБЭ Uвых=UЭК
Описание слайда:
4.1. Общие сведения Два правила: По стандарту вход слева (снизу), выход справа (сверху). Входная и выходная цепи транзистора гальванически развязаны (входной ток течёт по своей цепи, а Iвых по своей). Общий эмиттер Uвх=UБЭ Uвых=UЭК

Слайд 7


4.1. Общие сведения
Описание слайда:
4.1. Общие сведения

Слайд 8


4.2. Физические процессы Схема с общей базой: IЭ – за счёт инжекции (большой, т.к. носителей заряда много, потому что инжекция) IБ – за счёт рекомбинации IК – экстракция (освобождение базы от неосновных носителей) Iвых<Iвх.
Описание слайда:
4.2. Физические процессы Схема с общей базой: IЭ – за счёт инжекции (большой, т.к. носителей заряда много, потому что инжекция) IБ – за счёт рекомбинации IК – экстракция (освобождение базы от неосновных носителей) Iвых<Iвх.

Слайд 9


4.2. Физические процессы
Описание слайда:
4.2. Физические процессы

Слайд 10


4.3. Статические характеристики Система статических характеристик Обозначим: U1, I1 – входные напряжение и ток; U2, I2 – выходные напряжение и ток.
Описание слайда:
4.3. Статические характеристики Система статических характеристик Обозначим: U1, I1 – входные напряжение и ток; U2, I2 – выходные напряжение и ток.

Слайд 11


4.3. Статические характеристики Из 4-х возможных семейств каждой системы два являются основными, а два – второстепенными, их можно получить из основных путём перестроения. На практике удобно использовать в качестве основных связывающие ток и напряжение на входе – это входные характеристики, и ток с напряжением на выходе – это выходные характеристики. Характеристики прямой передачи – связывают I и U на выходе с I и U на входе. Характеристики обратной передачи – связывают I и U на входе с I и U на выходе.
Описание слайда:
4.3. Статические характеристики Из 4-х возможных семейств каждой системы два являются основными, а два – второстепенными, их можно получить из основных путём перестроения. На практике удобно использовать в качестве основных связывающие ток и напряжение на входе – это входные характеристики, и ток с напряжением на выходе – это выходные характеристики. Характеристики прямой передачи – связывают I и U на выходе с I и U на входе. Характеристики обратной передачи – связывают I и U на входе с I и U на выходе.

Слайд 12


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима

Слайд 13


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима

Слайд 14


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима

Слайд 15


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим ХХ: UКЭ=EK, IK=0 КЗ: UКЭ=0, IK=EK/RK
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим ХХ: UКЭ=EK, IK=0 КЗ: UКЭ=0, IK=EK/RK

Слайд 16


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим отсечки IЭ=0 IK=IKO (обратный ток коллекторного перехода) Обеспечение режима:
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим отсечки IЭ=0 IK=IKO (обратный ток коллекторного перехода) Обеспечение режима:

Слайд 17


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Свойства: режим неуправляемый (изменение входных параметров не меняет выходные параметры) Неуправляемость даёт помехозащищённость. Недостаток: инерционность (в быстродействующих схемах не используется из-за необходимости разряда входной ёмкости)
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Свойства: режим неуправляемый (изменение входных параметров не меняет выходные параметры) Неуправляемость даёт помехозащищённость. Недостаток: инерционность (в быстродействующих схемах не используется из-за необходимости разряда входной ёмкости)

Слайд 18


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Активный режим Режим управляемый. Обеспечение режима: Необходимо провести через заданную точку нагрузочную прямую, по ней определяется EK и RK. IБА=EK/RБ
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Активный режим Режим управляемый. Обеспечение режима: Необходимо провести через заданную точку нагрузочную прямую, по ней определяется EK и RK. IБА=EK/RБ

Слайд 19


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим насыщения Свойства: Cтепень насыщения : Ток базы насыщения: – параметр кривой, исходящей из точки MN.
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Режим насыщения Свойства: Cтепень насыщения : Ток базы насыщения: – параметр кривой, исходящей из точки MN.

Слайд 20


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Динамические характеристики: а) Выходные: Нагрузочная прямая постоянного тока – определяет положения точки покоя. По нагрузочной прямой постоянного тока движется рабочая тока, напряжения при малом переменном сигнале. Нагрузочная прямая переменного тока – предназначена для анализа и расчёта каскадов усиления, работающих при больших уровнях сигнала. Рабочая точка пересекает большую часть ВАХ).
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Динамические характеристики: а) Выходные: Нагрузочная прямая постоянного тока – определяет положения точки покоя. По нагрузочной прямой постоянного тока движется рабочая тока, напряжения при малом переменном сигнале. Нагрузочная прямая переменного тока – предназначена для анализа и расчёта каскадов усиления, работающих при больших уровнях сигнала. Рабочая точка пересекает большую часть ВАХ).

Слайд 21


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Мощный усилитель Маломощная схема
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима Мощный усилитель Маломощная схема

Слайд 22


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима

Слайд 23


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима б) Сквозная характеристика – это зависимость выходного тока от напряжения источника сигнала при заданной нагрузке. Нужна для расчёта нелинейных искажений. Нелинейные искажения появляются там, где рабочая тока движется в большом диапазоне характеристик (т.е. в каскадах мощного усиления) мощного усиления). Iвых=f(Uист) при Rн. Для схемы общий эмиттер это IK.
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима б) Сквозная характеристика – это зависимость выходного тока от напряжения источника сигнала при заданной нагрузке. Нужна для расчёта нелинейных искажений. Нелинейные искажения появляются там, где рабочая тока движется в большом диапазоне характеристик (т.е. в каскадах мощного усиления) мощного усиления). Iвых=f(Uист) при Rн. Для схемы общий эмиттер это IK.

Слайд 24


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима

Слайд 25


4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима
Описание слайда:
4.4. Статическая ВАХ. Режимы работы. Обеспечение режима

Слайд 26


4.5. Схемы включения
Описание слайда:
4.5. Схемы включения

Слайд 27


Транзисторы. Тема 4, слайд №27
Описание слайда:

Слайд 28


4.7. Малосигнальные параметры Если переменные напряжения на переходах транзисторов достаточно малы, токи в нём оказываются линейными функциями В данном случае транзистор рассматривается как автономный четырёхполюсник.
Описание слайда:
4.7. Малосигнальные параметры Если переменные напряжения на переходах транзисторов достаточно малы, токи в нём оказываются линейными функциями В данном случае транзистор рассматривается как автономный четырёхполюсник.

Слайд 29


4.7. Малосигнальные параметры Z-параметры: Z параметры имеют размерность сопротивления, измеряются в режиме холостого хода. Y-параметры: Имеют размерность проводимости и определяются в режиме короткого замыкания. Используются при расчёты высокочастотных усилителей.
Описание слайда:
4.7. Малосигнальные параметры Z-параметры: Z параметры имеют размерность сопротивления, измеряются в режиме холостого хода. Y-параметры: Имеют размерность проводимости и определяются в режиме короткого замыкания. Используются при расчёты высокочастотных усилителей.

Слайд 30


4.7. Малосигнальные параметры H-параметры:
Описание слайда:
4.7. Малосигнальные параметры H-параметры:

Слайд 31


4.8. Эквивалентные схемы Эквивалентная схема – схема, состоящая из линейных элементов (L, C, R, ГТ, ГН), которая по своим свойствам при данном сигнале (например, малом переменном) не отличается от реального объекта (транзистора, например).
Описание слайда:
4.8. Эквивалентные схемы Эквивалентная схема – схема, состоящая из линейных элементов (L, C, R, ГТ, ГН), которая по своим свойствам при данном сигнале (например, малом переменном) не отличается от реального объекта (транзистора, например).

Слайд 32


4.8. Эквивалентные схемы Т-образная схема замещения для схемы ОЭ на низких частотах: – интегральный коэффициент усиления базы.
Описание слайда:
4.8. Эквивалентные схемы Т-образная схема замещения для схемы ОЭ на низких частотах: – интегральный коэффициент усиления базы.

Слайд 33


На ВЧ добавляются ёмкости CЭ, СК, .
Описание слайда:
На ВЧ добавляются ёмкости CЭ, СК, .

Слайд 34


4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора База транзистора обладает сопротивлением => проходящие через неё токи могут создавать на этом сопротивлении падения напряжения, которое прикладывается к переходам транзистора, образуя обратные связи.
Описание слайда:
4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора База транзистора обладает сопротивлением => проходящие через неё токи могут создавать на этом сопротивлении падения напряжения, которое прикладывается к переходам транзистора, образуя обратные связи.

Слайд 35


4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора
Описание слайда:
4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора

Слайд 36


4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора Эти токи протекают в базе и образуют обратные связи.
Описание слайда:
4.9. Влияние различных факторов на параметры транзистора Эти токи протекают в базе и образуют обратные связи.

Слайд 37


4.10. Частотные свойства Существует 3 частоты:
Описание слайда:
4.10. Частотные свойства Существует 3 частоты:

Слайд 38


4.10. Частотные свойства
Описание слайда:
4.10. Частотные свойства

Слайд 39


4.11. Транзистор в режиме усиления
Описание слайда:
4.11. Транзистор в режиме усиления

Слайд 40


4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «A»
Описание слайда:
4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «A»

Слайд 41


4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «B»
Описание слайда:
4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «B»

Слайд 42


4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «C»
Описание слайда:
4.11. Транзистор в режиме усиления Режим «C»

Слайд 43


4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Ключ имеет статические состояния, которые определяются его ВАХ. Исходное состояние: может быть открыт (тока покоя определяет насыщенное состояние ключа или состояние его в верхней точке активного режима). Закрытое состояние ключа – в режиме отсечки или рядом. Это схема ОЭ. Иногда это инверсное включение (когда коллектор и эмиттер меняются местами).
Описание слайда:
4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Ключ имеет статические состояния, которые определяются его ВАХ. Исходное состояние: может быть открыт (тока покоя определяет насыщенное состояние ключа или состояние его в верхней точке активного режима). Закрытое состояние ключа – в режиме отсечки или рядом. Это схема ОЭ. Иногда это инверсное включение (когда коллектор и эмиттер меняются местами).

Слайд 44


4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Переходные процессы: При рассмотрении переходных процессов удобен метод заряда. Суть метода: заряд в базе – постоянная времени коэффициента β, величина справочная.
Описание слайда:
4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Переходные процессы: При рассмотрении переходных процессов удобен метод заряда. Суть метода: заряд в базе – постоянная времени коэффициента β, величина справочная.

Слайд 45


4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме В режиме отсечки Qотс=0. Дальше Q нарастает, достигает граничного значения при достижении режима насыщения. Появляется избыточный заряд в базе , т.е. накапливаются неосновные носители. При воздействии скачкообразного u:
Описание слайда:
4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме В режиме отсечки Qотс=0. Дальше Q нарастает, достигает граничного значения при достижении режима насыщения. Появляется избыточный заряд в базе , т.е. накапливаются неосновные носители. При воздействии скачкообразного u:

Слайд 46


4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Длительность включения: В исходном состоянии транзистор закрыт. В транзисторе есть входная ёмкость между базой и эмиттером. tподг - выразится в задержке Uвых и тока (на эпюре не показано). В t2 изменения на выходе прекращаются. - время фронта отрицательного направления.
Описание слайда:
4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Длительность включения: В исходном состоянии транзистор закрыт. В транзисторе есть входная ёмкость между базой и эмиттером. tподг - выразится в задержке Uвых и тока (на эпюре не показано). В t2 изменения на выходе прекращаются. - время фронта отрицательного направления.

Слайд 47


4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме
Описание слайда:
4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме

Слайд 48


4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Длительность выключения – время рассасывания избыточных носителей. - время фронта положительного направления.
Описание слайда:
4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме Длительность выключения – время рассасывания избыточных носителей. - время фронта положительного направления.

Слайд 49


4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме
Описание слайда:
4.12. Биполярный транзистор в ключевом режиме

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию