Вводные понятия к установке кристаллов - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №1

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №2

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №3

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №4

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №5

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №6

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №7

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №8

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №9

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №10

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №11

Вводные понятия к установке кристаллов, слайд №12

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Вводные понятия к установке кристаллов. Доклад-сообщение содержит 12 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Практическое занятие №4 1. Вводные понятия к установке кристаллов 2. Установка кристаллов высшей категории 3. Установка кристаллов средней категории 4. Установка кристаллов низшей категории

Слайд 2

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Вводные понятия к установке кристаллов Под установкой кристалла понимается выбор кристаллографических осей и единичной грани. Кристаллографические оси – направления в кристалле, параллельные его ребрам и принятые за координатные оси.

Слайд 3

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Вводные понятия к установке кристаллов Единичная грань – грань кристалла, параметры которой приняты за единицы измерения (единичные отрезки). Параметрами грани называются отрезки, отсекаемые гранью на кристаллографических осях.

Слайд 4

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Вводные понятия к установке кристаллов За единицы измерения (единичные отрезки) по кристаллографическим осям принимаются параметры какой-либо из граней кристалла, пересекающей все три оси и отсекающей на них равные отрезки, если оси являются симметрично-равными прямыми или неравные отрезки, если оси являются единичными прямыми.

Слайд 5

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Установка кристаллов низшей категории Установка кристаллов триклинной сингонии Вследствие отсутствия в кристаллах триклинной сингонии осей и плоскостей симметрии, кристаллографические оси выбираются здесь по трем непараллельным друг другу ребрам кристалла. В результате получаем косоугольную систему координат — α≠β≠γ≠90⁰. Отрезки, отсекаемые единичной гранью на трех кристаллографических осях, также не равны друг другу: a0≠b0≠c0

Слайд 6

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Установка кристаллов низшей категории Установка кристаллов моноклинной сингонии В кристаллах моноклинной сингонии всегда присутствуют либо одна L2, либо одна Р, либо (при наличии С) L2 и Р (P перпендикулярна L2). Вдоль L2 или нормали к Р проводится вторая кристаллографическая ось (ось Y). Первая и третья оси (оси X и Z) выбираются в плоскости, перпендикулярной к Y. Вместе с тем, они должны быть параллельны ребрам кристалла. Обычно после установки второй кристаллографической оси рекомендуется переходить к третьей кристаллографической оси (оси Z), проводя ее вдоль ребер наиболее развитых зон. Третья кристаллографическая ось ставится вертикально.

Слайд 7

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Установка кристаллов низшей категории После этого выбирается первая кристаллографическая ось (ось X) параллельно каким-либо ребрам. Для кристаллов моноклинной сингонии имеем систему координат — α=γ=90⁰≠β. Отрезки, отсекаемые единичной гранью на трех кристаллографических осях, не равны между собой: a0≠b0≠c0

Слайд 8

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Установка кристаллов низшей категории Установка кристаллов ромбической сингонии Кристаллы ромбической сингонии всегда обладают тремя взаимно перпендикулярными единичными направлениями, совпадающими с осями симметрии L2 или с перпендикулярами к плоскостям симметрии. С этими единичными направлениями и совмещаются кристаллографические оси. Одна из осей L2 принимается за третью кристаллографическую ось (ось Z) и ставится вертикально (обычно по удлинению кристалла). Первая и третья кристаллографические оси (ось X и Y) выбираются по двум другим единичным направлениям, причем первая ось (ось Х) направляется на зрителя.

Слайд 9

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Установка кристаллов низшей категории В кристаллах ромбической сингонии кристаллографические оси образуют прямоугольную систему координат α=β=γ=90⁰. Подобно кристаллам триклинной и моноклинной сингонии, единичная грань отсекает на трех осях разные отрезки a0≠b0≠c0.

Слайд 10

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Установка кристаллов средней категории Установка кристаллов тетрагональной сингонии В них всегда присутствует одно единичное направление, вдоль которого ориентирована ось L4 или Li4. Указанная ось ставится вертикально и принимается за третью кристаллографическую ось (ось Z). Остальные две оси (X и Y) совмещаются либо с L2, либо, в случае отсутствия таковых, с перпендикулярами к плоскостям симметрии. В кристаллах тетрагональной сингонии кристаллографические оси образуют прямоугольную систему координат α=β=γ=90⁰. Единичная грань отсекает по осям Х и Y равные отрезки, а по оси Z неравный им отрезок a0=b0≠c0.

Слайд 11

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Установка кристаллов средней категории

Слайд 12

Описание слайда:

Практическое занятие 4. Установка кристаллов высшей категории Установка кристаллов кубической сингонии В кристаллах кубической сингонии (кроме 4L3) всегда присутствуют три взаимно перпендикулярные оси симметрии – это либо 3L4, либо 3L2. Эти три оси принимаются за кристаллографические оси (оси X, Y и Z). В случае наличия 3L4 кристаллографические оси проводятся по ним, и только при их отсутствии, совмещаются с 3L2. Для кристаллов кубической сингонии имеем прямоугольную систему координат — α=β=γ=90⁰. Отрезки, отсекаемые единичной гранью на трех кристаллографических осях, также равны друг другу: a0=b0=c0