🗊Презентация Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3)

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №1Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №2Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №3Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №4Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №5Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №6Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №7Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №8Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №9Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №10Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №11Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №12Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №13Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №14Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №15Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №16Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №17Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №18Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №19Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №20Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №21Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №22Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №23Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №24Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №25Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №26Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №27Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №28Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №29Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №30Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №31Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №32Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №33Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №34Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №35Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №36Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №37Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №38Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №39Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №40Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №41Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №42Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №43Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №44Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №45Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №46Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №47Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №48Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №49Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №50Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №51Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №52Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №53Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №54Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №55Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №56Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №57Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №58Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №59Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №60Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №61Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №62Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №63Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №64Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №65Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №66Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №67Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №68Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №69Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №70Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №71Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №72Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №73Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №74Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №75Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №76Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №77Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №78Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №79Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №80Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №81Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №82Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №83Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №84Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №85Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №86Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №87Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №88Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №89Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №90Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №91Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №92Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №93Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №94Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №95Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №96Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №97Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3), слайд №98
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3). Доклад-сообщение содержит 98 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Выбор структуры и подложки для КМОП ИС
Описание слайда:
Выбор структуры и подложки для КМОП ИС

Слайд 2


КМОП - структура
Описание слайда:
КМОП - структура

Слайд 3


Варианты КМОП структур
Описание слайда:
Варианты КМОП структур

Слайд 4


Выбор кармана КМОП - структуры
Описание слайда:
Выбор кармана КМОП - структуры

Слайд 5


Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния (N в кремнии/N в оксиде)
Описание слайда:
Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния (N в кремнии/N в оксиде)

Слайд 6


Инверсионный канал по краю кармана р-типа
Описание слайда:
Инверсионный канал по краю кармана р-типа

Слайд 7


Зависимость подвижности от электрического поля, легирования и температуры
Описание слайда:
Зависимость подвижности от электрического поля, легирования и температуры

Слайд 8


Зависимость подвижности носителей от концентрации примеси
Описание слайда:
Зависимость подвижности носителей от концентрации примеси

Слайд 9


Пороговое напряжение МОП-транзистора Выравнивание зон Обеднение Инверсия = + + 2
Описание слайда:
Пороговое напряжение МОП-транзистора Выравнивание зон Обеднение Инверсия = + + 2

Слайд 10


Выбор кармана КМОП - структуры
Описание слайда:
Выбор кармана КМОП - структуры

Слайд 11


Карманы в КМОП структуре
Описание слайда:
Карманы в КМОП структуре

Слайд 12


Выбор кармана КМОП - структуры
Описание слайда:
Выбор кармана КМОП - структуры

Слайд 13


Подгонка порогового напряжения в двухкарманной КМОП-структуре
Описание слайда:
Подгонка порогового напряжения в двухкарманной КМОП-структуре

Слайд 14


Подгонка порогового напряжения в двухкарманной КМОП-структуре
Описание слайда:
Подгонка порогового напряжения в двухкарманной КМОП-структуре

Слайд 15


Возникает ли инверсный канал по периферии р-кармана в случае двухкарманной технологии?
Описание слайда:
Возникает ли инверсный канал по периферии р-кармана в случае двухкарманной технологии?

Слайд 16


Токи утечки в двухкарманной КМОП структуре
Описание слайда:
Токи утечки в двухкарманной КМОП структуре

Слайд 17


р - подложка в КМОП структуре
Описание слайда:
р - подложка в КМОП структуре

Слайд 18


Преимущества р+- р подложки 1. Улучшение качества полупроводника 2. Уменьшение потока неосновных носителей из подложки в рп –переходы карманов 3. Подавление эффекта «защелкивания» 4. Геттерирование кислорода из пленки р+ - подложкой 5. Геттерирование металлов из пленки переходом р+р пленка-подложка
Описание слайда:
Преимущества р+- р подложки 1. Улучшение качества полупроводника 2. Уменьшение потока неосновных носителей из подложки в рп –переходы карманов 3. Подавление эффекта «защелкивания» 4. Геттерирование кислорода из пленки р+ - подложкой 5. Геттерирование металлов из пленки переходом р+р пленка-подложка

Слайд 19


Выращивание слитка кремния по методу Чохральского
Описание слайда:
Выращивание слитка кремния по методу Чохральского

Слайд 20


Зависимость концентрации кислорода в кремнии от диаметра слитка
Описание слайда:
Зависимость концентрации кислорода в кремнии от диаметра слитка

Слайд 21


Дефекты кремния, вызванные преципитацией кислорода
Описание слайда:
Дефекты кремния, вызванные преципитацией кислорода

Слайд 22


Дефекты слитка кремния, вызванные преципитацией кислорода
Описание слайда:
Дефекты слитка кремния, вызванные преципитацией кислорода

Слайд 23


Геттерирование примесей на границе раздела пленка-подложка
Описание слайда:
Геттерирование примесей на границе раздела пленка-подложка

Слайд 24


Зависимость подвижности носителей от концентрации носителей и ориентации подложки
Описание слайда:
Зависимость подвижности носителей от концентрации носителей и ориентации подложки

Слайд 25


Создание КМОП структуры на гибридно-ориентированной подложке
Описание слайда:
Создание КМОП структуры на гибридно-ориентированной подложке

Слайд 26


Механизм гидрофобного сращивания
Описание слайда:
Механизм гидрофобного сращивания

Слайд 27


Формирование гибридно-ориентированной подложки методом аморфизации и рекристаллизации кремния
Описание слайда:
Формирование гибридно-ориентированной подложки методом аморфизации и рекристаллизации кремния

Слайд 28


Конструкция и проблемы формирования наноразмерной КМОП структуры
Описание слайда:
Конструкция и проблемы формирования наноразмерной КМОП структуры

Слайд 29


Эффект защелкивания в КМОП структуре
Описание слайда:
Эффект защелкивания в КМОП структуре

Слайд 30


Эффект защелкивания в КМОП структуре
Описание слайда:
Эффект защелкивания в КМОП структуре

Слайд 31


КНИ КМОП структура
Описание слайда:
КНИ КМОП структура

Слайд 32


КМОП-структура на основе КНС
Описание слайда:
КМОП-структура на основе КНС

Слайд 33


Недостатки КНС - структуры 106 102 Кремний Сапфир ( Al2 O3
Описание слайда:
Недостатки КНС - структуры 106 102 Кремний Сапфир ( Al2 O3

Слайд 34


Улучшение КНС - структуры
Описание слайда:
Улучшение КНС - структуры

Слайд 35


РЭМ - фото границы раздела КНС - структуры до и после рекристаллизации
Описание слайда:
РЭМ - фото границы раздела КНС - структуры до и после рекристаллизации

Слайд 36


КНИ -структура
Описание слайда:
КНИ -структура

Слайд 37


Преимущества КНИ КМОП структуры Резкое уменьшение ёмкостей стока и истока на подложку Уменьшенный эффект подложки при последовательном соединении приборов Отсутствие «защелки» Отличная изоляция приборов, малая площадь Повышенная радиационная стойкость Малые токи утечки торцевых рп-переходов Уменьшенные короткоканальные эффекты Работа при повышенных температурах
Описание слайда:
Преимущества КНИ КМОП структуры Резкое уменьшение ёмкостей стока и истока на подложку Уменьшенный эффект подложки при последовательном соединении приборов Отсутствие «защелки» Отличная изоляция приборов, малая площадь Повышенная радиационная стойкость Малые токи утечки торцевых рп-переходов Уменьшенные короткоканальные эффекты Работа при повышенных температурах

Слайд 38


Уменьшение емкости сток/исток - подложка
Описание слайда:
Уменьшение емкости сток/исток - подложка

Слайд 39


Уменьшение емкости сток/исток - подложка
Описание слайда:
Уменьшение емкости сток/исток - подложка

Слайд 40


Увеличение быстродействия и уменьшение потребляемой мощности ИС ЗУ в случае КНИ структуры
Описание слайда:
Увеличение быстродействия и уменьшение потребляемой мощности ИС ЗУ в случае КНИ структуры

Слайд 41


Увеличение порогового напряжения МОП-транзистора при последовательном соединении для объёмных КМОП ИС.
Описание слайда:
Увеличение порогового напряжения МОП-транзистора при последовательном соединении для объёмных КМОП ИС.

Слайд 42


Образование электрон-дырочных пар при облучении полупроводниковой структуры
Описание слайда:
Образование электрон-дырочных пар при облучении полупроводниковой структуры

Слайд 43


Повышение радиационной стойкости КНИ КМОП ИС
Описание слайда:
Повышение радиационной стойкости КНИ КМОП ИС

Слайд 44


Температурная зависимость тока утечки КНИ и объемного МОП-транзисторов
Описание слайда:
Температурная зависимость тока утечки КНИ и объемного МОП-транзисторов

Слайд 45


Сращивание окисленных кремниевых пластин
Описание слайда:
Сращивание окисленных кремниевых пластин

Слайд 46


Бондинг-метод
Описание слайда:
Бондинг-метод

Слайд 47


Поверхность окисленной пластины кремния
Описание слайда:
Поверхность окисленной пластины кремния

Слайд 48


Механизм гидрофильного бондинга
Описание слайда:
Механизм гидрофильного бондинга

Слайд 49


Механизм гидрофильного сращивания
Описание слайда:
Механизм гидрофильного сращивания

Слайд 50


Механизм гидрофильного сращивания
Описание слайда:
Механизм гидрофильного сращивания

Слайд 51


Метод сращивания со стоп-слоем
Описание слайда:
Метод сращивания со стоп-слоем

Слайд 52


Smart-cut - метод сращивания пластин кремния
Описание слайда:
Smart-cut - метод сращивания пластин кремния

Слайд 53


Smart-cut - метод сращивания пластин кремния
Описание слайда:
Smart-cut - метод сращивания пластин кремния

Слайд 54


Образование пузырьков водорода
Описание слайда:
Образование пузырьков водорода

Слайд 55


Механизм газового расщепления
Описание слайда:
Механизм газового расщепления

Слайд 56


ПЭМ изображение скрытого дефектного слоя
Описание слайда:
ПЭМ изображение скрытого дефектного слоя

Слайд 57


Влияние пыли на ионную имплантацию водорода
Описание слайда:
Влияние пыли на ионную имплантацию водорода

Слайд 58


ПЭМ –изображение КНИ – структуры перед расщеплением
Описание слайда:
ПЭМ –изображение КНИ – структуры перед расщеплением

Слайд 59


Зависимость прочности сращивания от зазора между пластинами при бондинге
Описание слайда:
Зависимость прочности сращивания от зазора между пластинами при бондинге

Слайд 60


Формирование КНИ структуры методом имплантации кислорода ( SIMOX)
Описание слайда:
Формирование КНИ структуры методом имплантации кислорода ( SIMOX)

Слайд 61


Микрофотография косого шлифа первой SIMOX структуры (1976 год)
Описание слайда:
Микрофотография косого шлифа первой SIMOX структуры (1976 год)

Слайд 62


Факторы, влияющие на параметры КНИ-структуры Доза ионов более 1018 см-2 Температура при облучении более 4000С Плотность ионного тока разогрев, диффузия Энергия ионов глубина слоя изолятора Постимплантационный отжиг 13000С, часы Слой искусственных центров преципитации B, C, H. N
Описание слайда:
Факторы, влияющие на параметры КНИ-структуры Доза ионов более 1018 см-2 Температура при облучении более 4000С Плотность ионного тока разогрев, диффузия Энергия ионов глубина слоя изолятора Постимплантационный отжиг 13000С, часы Слой искусственных центров преципитации B, C, H. N

Слайд 63


Изменение распределения кислорода в процессе термообработки после имплантации (шнурование)
Описание слайда:
Изменение распределения кислорода в процессе термообработки после имплантации (шнурование)

Слайд 64


Влияние искусственных центров преципитации на распределение кислорода – «шнурование»
Описание слайда:
Влияние искусственных центров преципитации на распределение кислорода – «шнурование»

Слайд 65


Поперечное сечение структур КНИ SIMOX, полученное с помощью ПЭМ
Описание слайда:
Поперечное сечение структур КНИ SIMOX, полученное с помощью ПЭМ

Слайд 66


Структура ITOX–SIMOX подложки на различных стадиях технологии
Описание слайда:
Структура ITOX–SIMOX подложки на различных стадиях технологии

Слайд 67


ПЭМ–изображения поперечного сечения КНИ ITOX–SIMOX - структуры
Описание слайда:
ПЭМ–изображения поперечного сечения КНИ ITOX–SIMOX - структуры

Слайд 68


АСМ изображения поверхности кремния и границы раздела КНИ структур ITOX–SIMOX.
Описание слайда:
АСМ изображения поверхности кремния и границы раздела КНИ структур ITOX–SIMOX.

Слайд 69


Трехмерная интегральная схема на основе КНИ - структуры
Описание слайда:
Трехмерная интегральная схема на основе КНИ - структуры

Слайд 70


Трехмерная КМОП –структура этажерочного типа
Описание слайда:
Трехмерная КМОП –структура этажерочного типа

Слайд 71


Трехмерная КМОП – структура мезонинного типа
Описание слайда:
Трехмерная КМОП – структура мезонинного типа

Слайд 72


ZMR - процесс
Описание слайда:
ZMR - процесс

Слайд 73


Проблемы ZMR Кристаллографические дефекты вследствие взаимодействия лазерного луча с кремнием Изменение оптических свойств кремния в процессе расплавления Необходимость высокой степени поглощения лазерного излучения поликремнием Возникновение крупноблочной структуры пленки кремния из-за множественности зародышевых центров кристаллизации
Описание слайда:
Проблемы ZMR Кристаллографические дефекты вследствие взаимодействия лазерного луча с кремнием Изменение оптических свойств кремния в процессе расплавления Необходимость высокой степени поглощения лазерного излучения поликремнием Возникновение крупноблочной структуры пленки кремния из-за множественности зародышевых центров кристаллизации

Слайд 74


Требования к источнику лазерного излучения Мощность излучения - более 20 Вт/см2 Длина волны излучения - менее 0,8 мкм Непрерывное действие Высокая стабильность величины мощности излучения при обработке пленки поликремния Промышленные лазеры непрерывного действия: 1 Аргоновый газовый лазер ( 0,5 мкм, 250 Вт, невысокая стабильность) 2. Твердотельный на основе иттрий-алюминиевого граната ( 1,06 мкм, высокая стабильность , до 250 Вт )
Описание слайда:
Требования к источнику лазерного излучения Мощность излучения - более 20 Вт/см2 Длина волны излучения - менее 0,8 мкм Непрерывное действие Высокая стабильность величины мощности излучения при обработке пленки поликремния Промышленные лазеры непрерывного действия: 1 Аргоновый газовый лазер ( 0,5 мкм, 250 Вт, невысокая стабильность) 2. Твердотельный на основе иттрий-алюминиевого граната ( 1,06 мкм, высокая стабильность , до 250 Вт )

Слайд 75


Косвенный лазерный нагрев (КЛН)
Описание слайда:
Косвенный лазерный нагрев (КЛН)

Слайд 76


Структура пленки кремния после рекристаллизации
Описание слайда:
Структура пленки кремния после рекристаллизации

Слайд 77


Конфигурации островков из поликремния
Описание слайда:
Конфигурации островков из поликремния

Слайд 78


Влияние направления движения лазера на равномерность толщины пленки кремния
Описание слайда:
Влияние направления движения лазера на равномерность толщины пленки кремния

Слайд 79


Результат ZMR обработки пленки поликремния
Описание слайда:
Результат ZMR обработки пленки поликремния

Слайд 80


КНИ МОП - транзистор, сформированный ZMR - процессом
Описание слайда:
КНИ МОП - транзистор, сформированный ZMR - процессом

Слайд 81


Трехмерная КНИ КМОП ИС преобразователя сигналов (106 транзисторов 2 уровня ,МИЭТ 1987 г )
Описание слайда:
Трехмерная КНИ КМОП ИС преобразователя сигналов (106 транзисторов 2 уровня ,МИЭТ 1987 г )

Слайд 82


Токовые потоки в КНИ МОП транзисторе
Описание слайда:
Токовые потоки в КНИ МОП транзисторе

Слайд 83


Биполярный эффект в КНИ МОП транзисторе
Описание слайда:
Биполярный эффект в КНИ МОП транзисторе

Слайд 84


Принцип работы полевого транзистора ( из патента Лилиенфельда, 1926 год )
Описание слайда:
Принцип работы полевого транзистора ( из патента Лилиенфельда, 1926 год )

Слайд 85


Принцип работы беспереходного ( БПТ) КНИ МОП - транзистора
Описание слайда:
Принцип работы беспереходного ( БПТ) КНИ МОП - транзистора

Слайд 86


Изменение области обеднения в БПТ
Описание слайда:
Изменение области обеднения в БПТ

Слайд 87


Микрофотографии КНИ МОП БПТ
Описание слайда:
Микрофотографии КНИ МОП БПТ

Слайд 88


Области канала в инверсионном и БП транзисторах
Описание слайда:
Области канала в инверсионном и БП транзисторах

Слайд 89


Подвижность носителей в разных областях инверсионного и БП транзисторов
Описание слайда:
Подвижность носителей в разных областях инверсионного и БП транзисторов

Слайд 90


Зависимость подвижности электронов от концентрации примеси в кремнии
Описание слайда:
Зависимость подвижности электронов от концентрации примеси в кремнии

Слайд 91


«Нанопроволочный» КНИ МОП БПТ
Описание слайда:
«Нанопроволочный» КНИ МОП БПТ

Слайд 92


«Нанопроволочный» КНИ МОП БПТ
Описание слайда:
«Нанопроволочный» КНИ МОП БПТ

Слайд 93


Конструкция и проблемы формирования наноразмерной КМОП структуры
Описание слайда:
Конструкция и проблемы формирования наноразмерной КМОП структуры

Слайд 94


Мелкая щелевая изоляция - ограниченные литографией размеры - независимость ширины от глубины - малая электрическая емкость - отсутствие необходимости в сплошном окислении - паразитные связи
Описание слайда:
Мелкая щелевая изоляция - ограниченные литографией размеры - независимость ширины от глубины - малая электрическая емкость - отсутствие необходимости в сплошном окислении - паразитные связи

Слайд 95


Неоднородно легированный канал - подавление короткоканальных эффектов - гало-области для подавления спада Vп при уменьшении Lк - уменьшение емкости p-n переходов
Описание слайда:
Неоднородно легированный канал - подавление короткоканальных эффектов - гало-области для подавления спада Vп при уменьшении Lк - уменьшение емкости p-n переходов

Слайд 96


Подзатворный диэлектрик - очень тонкий для подавления короткоканальных эффектов и увеличения тока стока - ограничения: плотность дефектов, туннельный ток, надежность
Описание слайда:
Подзатворный диэлектрик - очень тонкий для подавления короткоканальных эффектов и увеличения тока стока - ограничения: плотность дефектов, туннельный ток, надежность

Слайд 97


Составной затвор - разные величины работы выхода для затворов n- или p- типов - низкое поверхностное сопротивление - отсутствие проникновения бора - жесткий контроль размеров
Описание слайда:
Составной затвор - разные величины работы выхода для затворов n- или p- типов - низкое поверхностное сопротивление - отсутствие проникновения бора - жесткий контроль размеров

Слайд 98


Исток/сток - мелкая область исток/стока для подавления короткоканальных эффектов оптимизация концентрационных профилей для повышения надежности и улучшения характеристик - низкое поверхностное сопротивление
Описание слайда:
Исток/сток - мелкая область исток/стока для подавления короткоканальных эффектов оптимизация концентрационных профилей для повышения надежности и улучшения характеристик - низкое поверхностное сопротивление

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию