🗊Презентация Запоминающие устройства

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Запоминающие устройства, слайд №1Запоминающие устройства, слайд №2Запоминающие устройства, слайд №3Запоминающие устройства, слайд №4Запоминающие устройства, слайд №5Запоминающие устройства, слайд №6Запоминающие устройства, слайд №7Запоминающие устройства, слайд №8Запоминающие устройства, слайд №9Запоминающие устройства, слайд №10Запоминающие устройства, слайд №11Запоминающие устройства, слайд №12Запоминающие устройства, слайд №13Запоминающие устройства, слайд №14Запоминающие устройства, слайд №15Запоминающие устройства, слайд №16Запоминающие устройства, слайд №17Запоминающие устройства, слайд №18Запоминающие устройства, слайд №19Запоминающие устройства, слайд №20Запоминающие устройства, слайд №21Запоминающие устройства, слайд №22Запоминающие устройства, слайд №23Запоминающие устройства, слайд №24Запоминающие устройства, слайд №25Запоминающие устройства, слайд №26Запоминающие устройства, слайд №27Запоминающие устройства, слайд №28Запоминающие устройства, слайд №29Запоминающие устройства, слайд №30Запоминающие устройства, слайд №31Запоминающие устройства, слайд №32Запоминающие устройства, слайд №33Запоминающие устройства, слайд №34Запоминающие устройства, слайд №35Запоминающие устройства, слайд №36
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Запоминающие устройства. Доклад-сообщение содержит 36 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Учебная дисциплина Схемотехника дискретных устройств Тема: Запоминающие устройства
Описание слайда:
Учебная дисциплина Схемотехника дискретных устройств Тема: Запоминающие устройства

Слайд 2


Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) ПЗУ представляет собой чисто комбинационную схему, имеющую n адресных входов и m выходов.
Описание слайда:
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) ПЗУ представляет собой чисто комбинационную схему, имеющую n адресных входов и m выходов.

Слайд 3


Масочные ПЗУ Структура постоянной памяти образуется при её изготовлении и более перепрограммированию не подлежит.
Описание слайда:
Масочные ПЗУ Структура постоянной памяти образуется при её изготовлении и более перепрограммированию не подлежит.

Слайд 4


Однократнопрограммируемые ПЗУ
Описание слайда:
Однократнопрограммируемые ПЗУ

Слайд 5


Однократнопрограммируемые ПЗУ Работа схемы:  если все плавкие перемычки целы, то при выборе любого адреса на входы всех дизъюнкторов будет поступать хотя бы по одной единице, поэтому  y0 = y1=···= ym-1=1. Для занесения в схему какой-либо информации некоторые перемычки пережигаются (ПЗУ с прожиганием), тогда на некоторых дизъюнкторах на все входы поступают “0” и на выход подается “0”.
Описание слайда:
Однократнопрограммируемые ПЗУ Работа схемы:  если все плавкие перемычки целы, то при выборе любого адреса на входы всех дизъюнкторов будет поступать хотя бы по одной единице, поэтому  y0 = y1=···= ym-1=1. Для занесения в схему какой-либо информации некоторые перемычки пережигаются (ПЗУ с прожиганием), тогда на некоторых дизъюнкторах на все входы поступают “0” и на выход подается “0”.

Слайд 6


Программируемые ПЗУ ППЗУ выпускаются заводом-изготовителем в "чистом виде", т.е. по всем адресам записаны"0". Программирование ППЗУ осуществляется пользователем ППЗУ на специальной установке, называемой программатором. В ППЗУ можно записать (его программировать) информацию только один раз. Изменить записанную информацию или исправить ее нельзя. ППЗУ нашли широкое применение в ЭВМ для хранения запускающих программ. Они обладают большим быстродействием, чем репрограммируемые ПЗУ
Описание слайда:
Программируемые ПЗУ ППЗУ выпускаются заводом-изготовителем в "чистом виде", т.е. по всем адресам записаны"0". Программирование ППЗУ осуществляется пользователем ППЗУ на специальной установке, называемой программатором. В ППЗУ можно записать (его программировать) информацию только один раз. Изменить записанную информацию или исправить ее нельзя. ППЗУ нашли широкое применение в ЭВМ для хранения запускающих программ. Они обладают большим быстродействием, чем репрограммируемые ПЗУ

Слайд 7


Перепрограммируемые ПЗУ Репрограммируемые ПЗУ позволяют, при необходимости, перепрограммировать ПЗУ, т.е. стереть ранее записанную информацию и записать новую. По способу стирания ранее записанной информации РПЗУ бывают с ультрафиолетовым (ультрафиолетовыми лучами) и электрическим стиранием. РПЗУ позволяют десятки (некоторые до 1000) раз перепрограммировать и  сохранять записанную информацию десятки и сотни тысяч часов. Быстродействие РПЗУ несколько хуже быстродействия ППЗУ.
Описание слайда:
Перепрограммируемые ПЗУ Репрограммируемые ПЗУ позволяют, при необходимости, перепрограммировать ПЗУ, т.е. стереть ранее записанную информацию и записать новую. По способу стирания ранее записанной информации РПЗУ бывают с ультрафиолетовым (ультрафиолетовыми лучами) и электрическим стиранием. РПЗУ позволяют десятки (некоторые до 1000) раз перепрограммировать и  сохранять записанную информацию десятки и сотни тысяч часов. Быстродействие РПЗУ несколько хуже быстродействия ППЗУ.

Слайд 8


ПЗУ с УФ стиранием На функциональных и принципиальных схемах РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием изображается так, как показано
Описание слайда:
ПЗУ с УФ стиранием На функциональных и принципиальных схемах РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием изображается так, как показано

Слайд 9


ПЗУ с УФ стиранием А - адресные входы; D – информационные выходы. Uce – вход подачи напряжения записи (в режиме хранения на этот вход подается Ucc); Ucc – вывод для подачи напряжения питания. СЕ и ОЕ –входы управления состоянием выводов, если СЕ=ОЕ=1, входы D имеют высокоимпедансное состояние. При СЕ=ОЕ=0 вывод информации разрешен.
Описание слайда:
ПЗУ с УФ стиранием А - адресные входы; D – информационные выходы. Uce – вход подачи напряжения записи (в режиме хранения на этот вход подается Ucc); Ucc – вывод для подачи напряжения питания. СЕ и ОЕ –входы управления состоянием выводов, если СЕ=ОЕ=1, входы D имеют высокоимпедансное состояние. При СЕ=ОЕ=0 вывод информации разрешен.

Слайд 10


ПЗУ с УФ стиранием Микросхема РПЗУ К573РФ2 (РФ5) имеет одиннадцатиразрядный дешифратор, выходы которого соединены с восьмиразрядной матрицей М2. В процессе записи выходные элементы РПЗУ находятся в режиме приема информации через выводы D0 . . . D7 (на входе “ОЕ“ уровень “1”). В режиме считывания записанной информации выводы “Uce” и “Ucc” объединяются, и на них подается напряжение питания +5В.
Описание слайда:
ПЗУ с УФ стиранием Микросхема РПЗУ К573РФ2 (РФ5) имеет одиннадцатиразрядный дешифратор, выходы которого соединены с восьмиразрядной матрицей М2. В процессе записи выходные элементы РПЗУ находятся в режиме приема информации через выводы D0 . . . D7 (на входе “ОЕ“ уровень “1”). В режиме считывания записанной информации выводы “Uce” и “Ucc” объединяются, и на них подается напряжение питания +5В.

Слайд 11


ПЗУ с УФ стиранием ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением в настоящее время наиболее широко используются в микропроцессорных системах. В БИС таких ПЗУ каждый бит хранимой информации отображается состоянием соответствующего МОП-транзистора с плавающим затвором (у него нет наружного вывода для подключения).
Описание слайда:
ПЗУ с УФ стиранием ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением в настоящее время наиболее широко используются в микропроцессорных системах. В БИС таких ПЗУ каждый бит хранимой информации отображается состоянием соответствующего МОП-транзистора с плавающим затвором (у него нет наружного вывода для подключения).

Слайд 12


ПЗУ с УФ стиранием Затворы транзисторов при программировании «1» заряжаются лавинной инжекцией,  т.е. обратимым пробоем изолирующего слоя, окружающего затвор под действием электрического импульса напряжением 18 – 26 В. Заряд, накопленный в затворе, может сохраняться очень долго из-за высокого качества изолирующего слоя. Так, например, для ППЗУ серии К573 гарантируется сохранение информации не менее 15 – 25 тысяч часов во включенном состоянии и до 100 тысяч часов (более 10 лет) — в выключенном.
Описание слайда:
ПЗУ с УФ стиранием Затворы транзисторов при программировании «1» заряжаются лавинной инжекцией,  т.е. обратимым пробоем изолирующего слоя, окружающего затвор под действием электрического импульса напряжением 18 – 26 В. Заряд, накопленный в затворе, может сохраняться очень долго из-за высокого качества изолирующего слоя. Так, например, для ППЗУ серии К573 гарантируется сохранение информации не менее 15 – 25 тысяч часов во включенном состоянии и до 100 тысяч часов (более 10 лет) — в выключенном.

Слайд 13


Флэш-память Флэш-память (Flash-Меmorу) по типу запоминающих элементов и основным принципам работы подобна памяти типа Е2РROМ однако ряд архитектурных и структурных особенностей позволяют выделить ее в отдельный класс. Разработка Флэш-памяти считается кульминацией десятилетнего раз­вития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации.
Описание слайда:
Флэш-память Флэш-память (Flash-Меmorу) по типу запоминающих элементов и основным принципам работы подобна памяти типа Е2РROМ однако ряд архитектурных и структурных особенностей позволяют выделить ее в отдельный класс. Разработка Флэш-памяти считается кульминацией десятилетнего раз­вития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации.

Слайд 14


Флэш-память В схемах Флэш-памяти не предусмотрено стирание отдельных слов, стирание информации осуществляется либо для всей памяти одновременно, либо для достаточно больших блоков. Понятно, что это позволяет упростить схемы ЗУ, т. е. способствует достижению высокого уровня интеграции и быстродействия при снижении стоимости. Технологически схемы Флэш-памяти выполняются с высоким качеством и обладают очень хорошими параметрами.
Описание слайда:
Флэш-память В схемах Флэш-памяти не предусмотрено стирание отдельных слов, стирание информации осуществляется либо для всей памяти одновременно, либо для достаточно больших блоков. Понятно, что это позволяет упростить схемы ЗУ, т. е. способствует достижению высокого уровня интеграции и быстродействия при снижении стоимости. Технологически схемы Флэш-памяти выполняются с высоким качеством и обладают очень хорошими параметрами.

Слайд 15


Флэш-память Термин Flash по одной из версий связан с характерной особенностью этого вида памяти — возможностью одновременного стирания всего ее объема Согласно этой версии ещё до появления Флэш-памяти при хранении сек­ретных данных использовались устройства,  которые при попытках несанкционированного доступа к ним автоматически стирали хранимую информацию и назывались устройствами типа Flash (вспышка, мгновение). Это название перешло и к памяти, обладавшей свойством быстрого стирания всего массива данных одним сигналом.
Описание слайда:
Флэш-память Термин Flash по одной из версий связан с характерной особенностью этого вида памяти — возможностью одновременного стирания всего ее объема Согласно этой версии ещё до появления Флэш-памяти при хранении сек­ретных данных использовались устройства,  которые при попытках несанкционированного доступа к ним автоматически стирали хранимую информацию и назывались устройствами типа Flash (вспышка, мгновение). Это название перешло и к памяти, обладавшей свойством быстрого стирания всего массива данных одним сигналом.

Слайд 16


Флэш-память Одновременное стирание всей информации ЗУ реализуется наиболее просто, но имеет тот недостаток, что даже замена одного слова в ЗУ требует стирания и новой записи для всего ЗУ в целом. Для многих применений это неудобно. Поэтому наряду со схемами с одновременным стиранием всего содержимого имеются схемы с блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые независимо друг от друга. Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до 128 Кбайт.
Описание слайда:
Флэш-память Одновременное стирание всей информации ЗУ реализуется наиболее просто, но имеет тот недостаток, что даже замена одного слова в ЗУ требует стирания и новой записи для всего ЗУ в целом. Для многих применений это неудобно. Поэтому наряду со схемами с одновременным стиранием всего содержимого имеются схемы с блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые независимо друг от друга. Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до 128 Кбайт.

Слайд 17


Флэш-память Среди устройств с блочным стиранием выделяют схемы со специализированными блоками (несимметричные блочные структуры). По имени так называемых Вооt-блоков, в которых информация надежно защищена аппаратными средствами от случайного стирания, эти ЗУ называют Вооt Blосk Flash Метоrу. Вооt блоки хранят программы инициализации системы, позволяющие ввести ее в рабочее состояние после включения питания.
Описание слайда:
Флэш-память Среди устройств с блочным стиранием выделяют схемы со специализированными блоками (несимметричные блочные структуры). По имени так называемых Вооt-блоков, в которых информация надежно защищена аппаратными средствами от случайного стирания, эти ЗУ называют Вооt Blосk Flash Метоrу. Вооt блоки хранят программы инициализации системы, позволяющие ввести ее в рабочее состояние после включения питания.

Слайд 18


Флэш-память Микросхемы для замены жестких магнитных дисков (Flash-File Метоrу) содержат более развитые средства перезаписи информации и имеют идентич­ные блоки (симметричные блочные структуры). Одним из элементов структуры Флэш-памяти является накопитель (матрица запоминающих элементов). В схемотехнике накопителей развиваются два направления: на основе ячеек типа ИЛИ-НЕ (и на основе ячеек типа И-НЕ
Описание слайда:
Флэш-память Микросхемы для замены жестких магнитных дисков (Flash-File Метоrу) содержат более развитые средства перезаписи информации и имеют идентич­ные блоки (симметричные блочные структуры). Одним из элементов структуры Флэш-памяти является накопитель (матрица запоминающих элементов). В схемотехнике накопителей развиваются два направления: на основе ячеек типа ИЛИ-НЕ (и на основе ячеек типа И-НЕ

Слайд 19


Флэш-память
Описание слайда:
Флэш-память

Слайд 20


Флэш-память Накопители на основе ячеек ИЛИ-НЕ (с параллельным включением ЛИЗ-МОП-транзисторов с двойным затвором) обеспечивают быстрый доступ к словам при произвольной выборке. Они приемлемы для разных примене­ний, но наиболее бесспорным считается их применение в памяти для хра­нении редко обновляемых данных. При этом возникает полезная преемст­венность с применявшимися ранее КОМ и ЕРКОМ, сохраняются типичные сигналы управления, обеспечивающие чтение с произвольной выборкой. Структура матрицы накопителя показана на рисунке 4.8.
Описание слайда:
Флэш-память Накопители на основе ячеек ИЛИ-НЕ (с параллельным включением ЛИЗ-МОП-транзисторов с двойным затвором) обеспечивают быстрый доступ к словам при произвольной выборке. Они приемлемы для разных примене­ний, но наиболее бесспорным считается их применение в памяти для хра­нении редко обновляемых данных. При этом возникает полезная преемст­венность с применявшимися ранее КОМ и ЕРКОМ, сохраняются типичные сигналы управления, обеспечивающие чтение с произвольной выборкой. Структура матрицы накопителя показана на рисунке 4.8.

Слайд 21


Флэш-память Каждый столбец представляет собою совокупность параллельно соединенных транзисторов Разрядные линии выборки находятся под высоким потенциалом. Все тран­зисторы невыбранных строк заперты. В выбранной строке открываются и передают высокий уровень напряжения на разрядные линии считывания те транзисторы, в плавающих затворах которых отсутствует заряд электронов. и, следовательно, пороговое напряжение транзистора имеет нормальное (не повышенное) значение.
Описание слайда:
Флэш-память Каждый столбец представляет собою совокупность параллельно соединенных транзисторов Разрядные линии выборки находятся под высоким потенциалом. Все тран­зисторы невыбранных строк заперты. В выбранной строке открываются и передают высокий уровень напряжения на разрядные линии считывания те транзисторы, в плавающих затворах которых отсутствует заряд электронов. и, следовательно, пороговое напряжение транзистора имеет нормальное (не повышенное) значение.

Слайд 22


Флэш-память Накопители на основе ячеек ИЛИ-НЕ широко используются фирмой Intel. Имеются мнения о конкурентоспособности этих накопителей и в примене­ниях, связанных с заменой жестких магнитных дисков Флэш-памятью. Структуры с ячейками И-НЕ более компактны, но не обеспечивают режима произвольного доступа и практически используются только в схемах замены магнитных дисков. В схемах на этих ячейках сам накопитель компактнее, но увеличивается количество логических элементов обрамления накопителя.
Описание слайда:
Флэш-память Накопители на основе ячеек ИЛИ-НЕ широко используются фирмой Intel. Имеются мнения о конкурентоспособности этих накопителей и в примене­ниях, связанных с заменой жестких магнитных дисков Флэш-памятью. Структуры с ячейками И-НЕ более компактны, но не обеспечивают режима произвольного доступа и практически используются только в схемах замены магнитных дисков. В схемах на этих ячейках сам накопитель компактнее, но увеличивается количество логических элементов обрамления накопителя.

Слайд 23


Флэш-память Флэш-память с адресным доступом, ориентированная на хранение не слишком часто изменяемой информации, может иметь одновременное стирание всей информации (архитектура Вulk Еrаsе) или блочное стирание (архитектура Вооt Blосk Flash Метоrу).
Описание слайда:
Флэш-память Флэш-память с адресным доступом, ориентированная на хранение не слишком часто изменяемой информации, может иметь одновременное стирание всей информации (архитектура Вulk Еrаsе) или блочное стирание (архитектура Вооt Blосk Flash Метоrу).

Слайд 24


Флэш-память Имея преемственность с ЗУ типов Е2РRОМ и ЕРRОМ, разработанными ранее, схемы Флэш-памяти предпочтительнее Е2РRОМ по информационной емкости и стоимости в применениях, где не требуется индивидуальное стирание слов, а в сравнении с ЕРRОМ обладают тем преимуществом, что не требуют специальных условий и аппаратуры для стирания данных, которое к тому же происходит гораздо быстрее.
Описание слайда:
Флэш-память Имея преемственность с ЗУ типов Е2РRОМ и ЕРRОМ, разработанными ранее, схемы Флэш-памяти предпочтительнее Е2РRОМ по информационной емкости и стоимости в применениях, где не требуется индивидуальное стирание слов, а в сравнении с ЕРRОМ обладают тем преимуществом, что не требуют специальных условий и аппаратуры для стирания данных, которое к тому же происходит гораздо быстрее.

Слайд 25


ПЗУ с электрическим стиранием Они позволяют производить как запись, так и стирание (или перезапись) информации с помощью электрических сигналов. Для построения таких ППЗУ применяются структуры с лавинной инжекцией заряда, аналогичные тем, на которых строятся ППЗУ с УФ стиранием, но с дополнительными управляющими затворами, размещаемыми над плавающими затворами.
Описание слайда:
ПЗУ с электрическим стиранием Они позволяют производить как запись, так и стирание (или перезапись) информации с помощью электрических сигналов. Для построения таких ППЗУ применяются структуры с лавинной инжекцией заряда, аналогичные тем, на которых строятся ППЗУ с УФ стиранием, но с дополнительными управляющими затворами, размещаемыми над плавающими затворами.

Слайд 26


ПЗУ с электрическим стиранием Подача напряжения на управляющий затвор приводит к рассасыванию заряда за счет туннелирования  носителей сквозь изолирующий слой и стиранию информации. По этой технологии изготовляют микросхемы К573РР2. Достоинства ППЗУ с электрическим стиранием: высокая скорость перезаписи информации и значительное допустимое число циклов перезаписи — не менее 10000.
Описание слайда:
ПЗУ с электрическим стиранием Подача напряжения на управляющий затвор приводит к рассасыванию заряда за счет туннелирования  носителей сквозь изолирующий слой и стиранию информации. По этой технологии изготовляют микросхемы К573РР2. Достоинства ППЗУ с электрическим стиранием: высокая скорость перезаписи информации и значительное допустимое число циклов перезаписи — не менее 10000.

Слайд 27


Статические ОЗУ Рассматриваемые типы запоминающих устройств (ЗУ) применяются в компьютерах для хранения информации, которая изменя­ется в процессе вычислений, производимых в соответствии с программой, и называются оператив­ными (ОЗУ). Информация, записанная в них, раз­рушается при отключении питания. Главной частью ЗУ является накопитель, состоящий из триггеров
Описание слайда:
Статические ОЗУ Рассматриваемые типы запоминающих устройств (ЗУ) применяются в компьютерах для хранения информации, которая изменя­ется в процессе вычислений, производимых в соответствии с программой, и называются оператив­ными (ОЗУ). Информация, записанная в них, раз­рушается при отключении питания. Главной частью ЗУ является накопитель, состоящий из триггеров

Слайд 28


Статические ОЗУ
Описание слайда:
Статические ОЗУ

Слайд 29


Динамические ОЗУ В них запоминающий элемент содержит только  один транзистор.
Описание слайда:
Динамические ОЗУ В них запоминающий элемент содержит только  один транзистор.

Слайд 30


Динамические ОЗУ Информация в таком элементе хранится в виде заря­да на запоминающем конденсаторе , обкладками которо­го являются области стока МОП-транзистора и подлож­ки. Запись и считывание ннформаини производятся пу­тем открывания транзистора по затвору и подключения тем самым заноминаюшей емкости к схеме усилителя-регенератора.
Описание слайда:
Динамические ОЗУ Информация в таком элементе хранится в виде заря­да на запоминающем конденсаторе , обкладками которо­го являются области стока МОП-транзистора и подлож­ки. Запись и считывание ннформаини производятся пу­тем открывания транзистора по затвору и подключения тем самым заноминаюшей емкости к схеме усилителя-регенератора.

Слайд 31


Динамические ОЗУ Последний, по существу является   триггерным   элементом ,который   В зависимости от предварительной  подготовки или принимает (считывает) информацию из емкостной запоминающей ячейки, устанавливаясь при этом в состояние 0 пли 1,или, наоборот, в режиме записи соответствующим образом заряжает ячейку, будучи предварительно установленным в 0 или 1
Описание слайда:
Динамические ОЗУ Последний, по существу является   триггерным   элементом ,который   В зависимости от предварительной  подготовки или принимает (считывает) информацию из емкостной запоминающей ячейки, устанавливаясь при этом в состояние 0 пли 1,или, наоборот, в режиме записи соответствующим образом заряжает ячейку, будучи предварительно установленным в 0 или 1

Слайд 32


Динамические ОЗУ В режиме чтения триггер усилителя — регенератора в  начале специальным управляющим сигналом устанавливается в неустойчивое равновесное состояние, из которого при подключении к нему запоминающей емкости он переключается в 0 или I.
Описание слайда:
Динамические ОЗУ В режиме чтения триггер усилителя — регенератора в  начале специальным управляющим сигналом устанавливается в неустойчивое равновесное состояние, из которого при подключении к нему запоминающей емкости он переключается в 0 или I.

Слайд 33


Динамические ОЗУ При этом в начале он по­требляет часть заряда, а затем при установке в устойчивое  состояние  возвращает его ячейке,  осуществляя таким  образом регенерацию ее состояния.
Описание слайда:
Динамические ОЗУ При этом в начале он по­требляет часть заряда, а затем при установке в устойчивое  состояние  возвращает его ячейке,  осуществляя таким  образом регенерацию ее состояния.

Слайд 34


Динамические ОЗУ В режиме хранения информации необходимо периодически производить регенерацию для компенсации естественных утечек заряда.Максимальный период цикла регенерации для каждой из ячеек обычно составляет 1 — 2 мс.
Описание слайда:
Динамические ОЗУ В режиме хранения информации необходимо периодически производить регенерацию для компенсации естественных утечек заряда.Максимальный период цикла регенерации для каждой из ячеек обычно составляет 1 — 2 мс.

Слайд 35


Динамические ОЗУ Накопитель двухкоордииатпого ЗУ состоит из нескольких матриц (Рисунок 4.6), количество которых определяется числом разрядов записываемого слова. Запоминаю­щие элементы(ЗЭ) одной матрицы расположены на пересечении адресных шин Х строк и Y столбцов, имеют одну общую для всех элементов разрядную шину.
Описание слайда:
Динамические ОЗУ Накопитель двухкоордииатпого ЗУ состоит из нескольких матриц (Рисунок 4.6), количество которых определяется числом разрядов записываемого слова. Запоминаю­щие элементы(ЗЭ) одной матрицы расположены на пересечении адресных шин Х строк и Y столбцов, имеют одну общую для всех элементов разрядную шину.

Слайд 36


Динамические ОЗУ В ЗЭ одной матрицы записываются одноименные разряды всех слов, а каждое слово — в идентично расположенные запоминающие элементы ЗЭi, всех матриц, составляющие ячейку памяти. Таким образом, в двухкоординатное четырехматричное ЗУ, матрицы которого содержат по 16 запоминающих элементов можно записать 16 четырехразрядных слов.
Описание слайда:
Динамические ОЗУ В ЗЭ одной матрицы записываются одноименные разряды всех слов, а каждое слово — в идентично расположенные запоминающие элементы ЗЭi, всех матриц, составляющие ячейку памяти. Таким образом, в двухкоординатное четырехматричное ЗУ, матрицы которого содержат по 16 запоминающих элементов можно записать 16 четырехразрядных слов.

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию