Аморфные полупроводники и приборы на их основе - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №1

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №2

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №3

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №4

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №5

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №6

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №7

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №8

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №9

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №10

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №11

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №12

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №13

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №14

Аморфные полупроводники и приборы на их основе, слайд №15

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Аморфные полупроводники и приборы на их основе Выполнил: студент гр. АНБ-14-2 Михайлицын А.С.

Слайд 2

Описание слайда:

Определение аморфных полупроводников Аморфные полупроводники – это аморфные вещества, имеющие свойства полупроводников. Они не являются кристаллическими. В аморфных телах отсутствует дальний порядок в расположении составляющих их атомов, присутствует только ближний.

Слайд 3

Описание слайда:

Аморфные и стеклообразные полупроводники делятся на халькогенидные, оксидные, органические, тетраэдрические. Аморфные и стеклообразные полупроводники делятся на халькогенидные, оксидные, органические, тетраэдрические. Некристаллические материалы, полученные охлаждением расплава, называются стеклами. Аморфные полупроводники, которые не могут быть изготовлены из расплава, как правило, получают в виде тонких пленок

Слайд 4

Описание слайда:

Оксидные кислородсодержащие стекла получают сплавлением оксидов металлов с переменной валентностью, таких как, V2O5-P2O5-ZnO. Оксидные кислородсодержащие стекла получают сплавлением оксидов металлов с переменной валентностью, таких как, V2O5-P2O5-ZnO. Халькогенидные стекла получают из полупроводникового расплава методом быстрого охлаждения, так называемой закалки. Германий Ge, кремний Si получают в виде тонких пленок путем различных осаждений атомов

Слайд 5

Описание слайда:

Структура аморфных полупроводников Аморфные пленки Si, Ge и других полупроводниковых веществ по своим свойствам не представляют практического интереса. Из-за специфики процесса электропроводности в аморфных полупроводниках управлять электрическими свойствами таких материалов практически невозможно. Введение водорода в аморфные пленки кремния позволяет изменить его электрофизические свойства.

Слайд 6

Описание слайда:

Фрагменты структур аморфного кремния с точечными дефектами (а), гидрогенизированного аморфного кремния (б): Фрагменты структур аморфного кремния с точечными дефектами (а), гидрогенизированного аморфного кремния (б): 1-точечные дефекты; 2, 3 – атомы кремния и водорода

Слайд 7

Описание слайда:

Механическая модель решетки аморфного кремния Механическая модель решетки аморфного кремния

Слайд 8

Описание слайда:

Стеклообразные полупроводники Халькогенидные стекла, такие, как As2S3, As2Se3, As2Te3, являются представителями этой группы. Электропроводность полупроводников такого типа описывается экспоненциальным законом:

Слайд 9

Описание слайда:

Зонные модели Модель Коэна – Фрицше – Овшинского Модель Дэвиса – Мотта Модель поляронов малого радиуса

Слайд 10

Описание слайда:

Кривые плотности состояний для аморфных полупроводников: Кривые плотности состояний для аморфных полупроводников: а – модель Коэна – Фрицше – Овшинского, б – модель Дэвиса – Мотта с зоной компенсированных уровней вблизи середины щели, в – модифицированная модель Дэвиса – Мотта, г - «реальное» стекло с дефектными состояниями

Слайд 11

Описание слайда:

Практическое применение аморфных полупроводников и приборы на их основе Ксерография – это процесс, где применяются фотопроводящие свойства селенового стекла.

Слайд 12

Описание слайда:

Производство солнечных батарей – устройств, которые превращают солнечную энергию в электроэнергию. Производство солнечных батарей – устройств, которые превращают солнечную энергию в электроэнергию.

Слайд 13

Описание слайда:

Изготовление переключающих и запоминающих устройств – эти устройства находят применение при производстве электронных вычислительных машин. Изготовление переключающих и запоминающих устройств – эти устройства находят применение при производстве электронных вычислительных машин.

Слайд 14

Описание слайда:

Гидрогенизированный аморфный кремний находит применение для изготовления тонкопленочных МДП-транзисторов. Гидрогенизированный аморфный кремний находит применение для изготовления тонкопленочных МДП-транзисторов.

Слайд 15

Описание слайда:

Заключение Распространение стеклообразных и аморфных полупроводников для изделий электронной техники определяется относительной простотой их получения, невысокой стоимостью, набором определенных электрофизических свойств.