Аналоговые интегральные устройства измерительных систем

Нажмите для полного просмотра!

Аналоговые интегральные устройства измерительных систем, слайд №2

Аналоговые интегральные устройства измерительных систем, слайд №3

Аналоговые интегральные устройства измерительных систем, слайд №4

Аналоговые интегральные устройства измерительных систем, слайд №5

Аналоговые интегральные устройства измерительных систем, слайд №6

Аналоговые интегральные устройства измерительных систем, слайд №7

Аналоговые интегральные устройства измерительных систем, слайд №8

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Аналоговые интегральные устройства измерительных систем. Доклад-сообщение содержит 8 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Лекция 1

Слайд 2

Описание слайда:

Курс лекций «Аналоговые интегральные устройства измерительных систем» Лектор: профессор, доктор технических наук Валерий Викторович Масленников Разделы курса Микросхемы усилителей и их применение в аналоговых устройствах измерительных систем Аналоговые интегральные перемножители и балансные модуляторы Активные фильтры и их использование в измерительных устройствах

Слайд 3

Описание слайда:

Лабораторные работы по курсу: 1. Применение микросхем ОУ в аналоговых узлах измерительной аппаратуры. 2. Применение микросхем ОУ в импульсных устройствах. 3. Применение микросхем интегральных перемножителей в устройствах преобразования сигналов. 4. Активные RC-фильтры на ОУ.

Слайд 4

Описание слайда:

Микросхемы Классификация: -по принципу действия: аналоговые, цифровые; -по способу изготовления: полупроводниковые, гибридные. Основные этапы создания полупроводниковых кремниевых микросхем: -получение чистого монокристаллического кремния, -изготовление пластин кремния, -эпитаксия – выращивание монокристаллических слоев на пластине, -термическое окисление – образование защитного слоя SiO2, -легирование – введение примесей в приповерхностный слой пластин, -травление – удаление с поверхностей пластин ненужного вещества, -изготовление фотошаблонов, используемых для создания нужных окон в окисле SiO2, -фотолитография – создание окон в SiO2, -нанесение тонких металлических пленок для соединения элементов кристалла между собой, -предварительная проверка кристаллов на годность на пластине, -разделение пластины на кристаллы, -сборка кристаллов в корпусе микросхемы, -окончательная проверка микросхем на соответствие техническим условиям.

Слайд 5

Описание слайда:

Элементы полупроводниковых микросхем. Транзисторы. Биполярный транзистор.

Слайд 6

Описание слайда:

Полевой транзистор управляющим pn-переходом МДП-транзистор

Слайд 7

Описание слайда:

Резистор Резистор

Слайд 8

Описание слайда:

Основные достоинства кремниевых микросхем: малые массо-габаритные размеры и высокая степень интеграции, надежность, низкая стоимость производства при большом объеме выпуска микросхем. Основные достоинства кремниевых микросхем: малые массо-габаритные размеры и высокая степень интеграции, надежность, низкая стоимость производства при большом объеме выпуска микросхем. Недостатки: большой разброс параметров при изготовлении, недостаточная для многих случаев стабильность элементов и общих параметров. Тонкопленочная технология. Пленки толщиной ~ 1мкм наносятся в специальных вакуумных установках. Толстопленочная технология. Пленки толщиной ~100мкм наносятся в виде пасты при атмосферном давлении. Достоинства пленочных технологий: точность элементов, возможность их подстройки, температурная стабильность. Недостатки: практическая невозможность создания активных элементов, высокая стоимость производства, относительно большие габариты. Гибридные микросхемы: активные элементы в виде монолитных микросхем, пассивные элементы выполняются по тонко- или толстопленочной технологии.