Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем

Нажмите для полного просмотра!

– / 17

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем. Доклад-сообщение содержит 17 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем

Слайд 2

Описание слайда:

Напопительная балльная система по курсу КБ ЭВС

Слайд 3

Описание слайда:

Применение интегральных схем и микросистем в устройствах бытового назначения

Слайд 4

Описание слайда:

Проектирование и изготовление ИС и микросистем требует: 1) знание физики полупроводников и полупроводниковых приборов; 2) знание технологии изготовления п/п приборов и ИС; 3) знание схемотехнических решений формирования ИС; 4) применение современных САПР и умение работать на них.

Слайд 5

Описание слайда:

Курс состоит из двух частей: Физика полупроводников (зонная структура п/п, типы п/п, понятие носителей заряда, концентрация, подвижность и время жизни нз, плотность электронного и дырочного токов и т.д.); Физика полупроводниковых приборов (диод, биполярный тр-р, МДП и т.д.);

Слайд 6

Описание слайда:

Классификация веществ: Удельное сопротивление материалов: Металлы ( 10-6 - 10-4 ) Ом*см; Полупроводники ( 10-3 – 109 ) Ом*см; Диэлектрики – ( 1010-1018 ) Ом*см. Полупроводники (Si, Ge, GaAs): химические элементы (Si, Ge, Se); интерметаллические соединения (InSb, GaAs); окислы (CuO2, ZnO); карбиды (SiC); сульфиды (CdS, ZnS) и т.д.

Слайд 7

Описание слайда:

Зависимость удельного сопротивления от температуры

Слайд 8

Описание слайда:

Зависимость удельной проводимости свинца и кремния от температуры

Слайд 9

Описание слайда:

Использование кремния в качестве основного полупроводникового материала (преимущества) 1) Кремний доступен (отработанная технология получения и обработки); 2) Оксид кремния SiO2 – идеальный диэлектрик; 3) Кремниевая интегральная технология отрабатывалась более 45 лет.