Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ

Нажмите для полного просмотра!

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №2

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №3

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №4

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №5

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №6

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №7

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №8

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №9

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №10

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №11

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №12

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №13

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №14

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №15

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №16

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №17

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №18

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №19

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №20

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №21

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №22

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №23

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №24

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №25

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №26

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №27

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №28

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №29

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №30

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №31

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ, слайд №32

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ. Доклад-сообщение содержит 32 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Объемные ионизационные эффекты в ПП и ИС (ИЭТ) при воздействии импульсного ИИ

Слайд 2

Описание слайда:

Содержание: 1. Переходные ионизационные реакции (ИР) изделий на воздействия импульса ИИ 2. Зависимость ИР от электрофизических параметров материала и конструктивных особенностей активной области изделия) 3. Влияние на ИР спектрально-энергетических (СЭХ) и амплитудно-временных (АВХ) характеристик импульса ионизирующего излучения 4. Проблемы учета этого влияния при радиационных испытаниях (требования стандартов и реальная ситуация). 5. Учет влияния длительности и формы импульса ИИ на ИР изделий (отечественный и зарубежный подходы к проблеме)

Слайд 3

Описание слайда:

Первичные эффекты при воздействии ИИ Переходные ионизационные эффекты в ИС обусловлены кратковременной ионизацией объемов элементов импульсными ИИ и проявляются в форме ионизационной реакции. По причине возникновения переходные ионизационные эффекты разделяют на первичные – обусловленные непосредственно энергией излучения и паразитные (вторичные) – обязанные своим происхождением инициированному излучением перераспределению энергии внутренних и сторонних источников.

Слайд 4

Описание слайда:

Первичные эффекты при воздействии ИИ

Слайд 5

Описание слайда:

Слайд 6

Описание слайда:

Типовые формы Рγ и Dγ(t)

Слайд 7

Описание слайда:

Типовые формы Рγ и Dγ(t)

Слайд 8

Описание слайда:

Типовые формы Рγ и Dγ(t)

Слайд 9

Описание слайда:

Требования практики (определения К, Кт («К7»)) Р кр = К·(1 - )·Р кр (МУ) · Э (МУ)/Э (ТУ) (УБР, УТЭ) Р max ни= Кт-1·(1 - ) -1· Р max тр· Э (ТУ)/Э (МУ) (ВПР, КО)

Слайд 10

Описание слайда:

Minority Carrier Buildup and Decay During and After a Square Pulse of Ionizing Radiation

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Модель структуры идеального диода

Слайд 13

Описание слайда:

Модель Вирта-Роджерса Ip (t) = q ∙ Sj ∙ G ∙ Рγ max ∙ [ Wj + Lp∙erf (t/ p)1/2 + Ln∙erf (t/ n)1/2], (1) erf(x) - интеграл функции ошибок Предельные значения: Imax(ст.) = q ∙ Sj ∙ G ∙ Pmax ∙ [ Wj + Lp + Ln ]. (2) Imax = q * Sj * G * Pmax * (/2)1/2 * (D∙Tи)1/2 (3) Tи > n, p

Слайд 14

Описание слайда:

Слайд 15

Описание слайда:

Модель структуры идеального биполярного транзистора

Слайд 16

Описание слайда:

Модель J.R.Florian et al. /1 Принципиальное отличие модели от модели Вирта-Рождерса: - ограничение объема собирания НЗ : - по глубине перехода - низкоомной подложкой n+ - Si, - в боковом направлении для интегральных приборов - изоляцией кармана (ячейки), в котором сформированы переходы. Решая одномерное уравнение непрерывности для области нейтрального высокоомного коллектора стандартной эпитаксиально-планарной n-p-n-n+ - структуры (для p-n-p-p+ - аналогично) с граничным условием на левой границе р(x=0) = 0 и равенством диффузионных потоков дырок на правой границе с низкоомной подложкой, авторы получили вклад этой области в Ip:

Слайд 17

Описание слайда:

Модель J.R.Florian et al. /2 Стационарный случай: Ip = q · G· Pmax·Sj · [ Lp·th(W/Lp) + Ls/ch(W/Lp) ] (1) W = Wэп - Xj - Wj, Lp2 = Dp · p , Ls - диффузионная длина дырок в подложке n+.

Слайд 18

Описание слайда:

Модель J.R.Florian et al. /3 Нестационарный случай: Ip(t) = q·G·Pmax·Sj · [ Lp·th(W/Lp) - 8W·B(t,W)], (2) EXP [ (-(2n+1)2 ·  2 - 4W2 /(Dp · p )) · Dp · t / (4W2 ) ] B(t,W) = -------------------------------------------------------------------- 4W2 /Lp2 + (2n+1) ·  2