ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №1

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №2

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №3

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №4

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №5

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №6

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №7

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №8

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №9

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №10

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №11

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №12

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №13

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №14

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №15

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №16

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №17

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ, слайд №18

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ. Доклад-сообщение содержит 18 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ Полупроводники с собственной электропроводностью Удельное сопротивление: Медь -  = 0,01710-6 Омм. Полиэтилен -  = 1015 Омм, Кремний -  = 2103 Омм.

Слайд 2

Описание слайда:

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКАХ Полупроводники с собственной электропроводностью Характерной особенностью полупроводников является ярко выраженная температурная зависимость удельного электрического сопротивления. С повышением температуры оно, как правило, уменьшается на 5...6% на градус, в то время как у металлов удельное электрическое сопротивление с повышением температуры растет на десятые доли процента на градус. Удельное сопротивление полупроводника также резко уменьшается при введении в него незначительного количества примеси.

Слайд 3

Описание слайда:

Полупроводники с собственной электропроводностью Рисунок 1.1. Энергетическая диаграмма кристалла при Т=0 К.

Слайд 4

Описание слайда:

Полупроводники с собственной электропроводностью Рисунок 1.2. (а) - условное обозначение кристаллической решетки (б) - энергетическая диаграмма полупроводника с собственной электропроводностью.

Слайд 5

Описание слайда:

Полупроводники с собственной электропроводностью Генерация свободных носителей заряда- процесс образования пар электрон-дырка. Рекомбинация носителей – процесс при котором электрон восстанавливает ковалентную связь. Из-за процессов генерации и рекомбинации носителей зарядов при данной температуре устанавливается определенная концентрация электронов в зоне проводимости ni, и равная ей концентрация дырок pi, в валентной зоне.

Слайд 6

Описание слайда:

Полупроводники с собственной электропроводностью Wф - уровень Ферми, соответствующий уровню энергии, формальная вероятность заполнения которого равна 0,5; WДН - энергия, соответствующая "дну" зоны проводимости; WВ - энергия, соответствующая "потолку" валентной зоны; Аn, Ар - коэффициенты пропорциональности; k - постоянная Больцмана, равная 1,3710-23 Дж/град; Т- абсолютная температура, К.

Слайд 7

Описание слайда:

Полупроводники с собственной электропроводностью В химически чистых полупроводниках уровень Ферми совпадает с серединой запрещенной зоны Wi, а также Аn = Ар = А.

Слайд 8

Описание слайда:

Полупроводники с электронной электропроводностью

Слайд 9

Описание слайда:

Полупроводники с электронной электропроводностью

Слайд 10

Описание слайда:

Полупроводники с электронной электропроводностью

Слайд 11

Описание слайда:

Полупроводники с дырочной электропроводностью

Слайд 12

Описание слайда:

Полупроводники с дырочной электропроводностью

Слайд 13

Описание слайда:

На основании уравнений (1.4), (1.5), (1.7), (1.8) можно записать следующее выражение: (1.10) которое показывает, что введение в полупроводник примесей приводит к увеличению концентрации одних носителей заряда и пропорциональному уменьшению концентрации других носителей заряда за счет роста вероятности их рекомбинации.