Основные принципы планарной технологии - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Основные принципы планарной технологии, слайд №1

Основные принципы планарной технологии, слайд №2

Основные принципы планарной технологии, слайд №3

Основные принципы планарной технологии, слайд №4

Основные принципы планарной технологии, слайд №5

Основные принципы планарной технологии, слайд №6

Основные принципы планарной технологии, слайд №7

Основные принципы планарной технологии, слайд №8

Основные принципы планарной технологии, слайд №9

Основные принципы планарной технологии, слайд №10

Основные принципы планарной технологии, слайд №11

Основные принципы планарной технологии, слайд №12

Основные принципы планарной технологии, слайд №13

Основные принципы планарной технологии, слайд №14

Основные принципы планарной технологии, слайд №15

Основные принципы планарной технологии, слайд №16

Основные принципы планарной технологии, слайд №17

Основные принципы планарной технологии, слайд №18

Основные принципы планарной технологии, слайд №19

Основные принципы планарной технологии, слайд №20

Основные принципы планарной технологии, слайд №21

Основные принципы планарной технологии, слайд №22

Основные принципы планарной технологии, слайд №23

Основные принципы планарной технологии, слайд №24

Основные принципы планарной технологии, слайд №25

Основные принципы планарной технологии, слайд №26

Основные принципы планарной технологии, слайд №27

Основные принципы планарной технологии, слайд №28

Основные принципы планарной технологии, слайд №29

Основные принципы планарной технологии, слайд №30

Основные принципы планарной технологии, слайд №31

Основные принципы планарной технологии, слайд №32

Основные принципы планарной технологии, слайд №33

Основные принципы планарной технологии, слайд №34

Основные принципы планарной технологии, слайд №35

Основные принципы планарной технологии, слайд №36

Основные принципы планарной технологии, слайд №37

Основные принципы планарной технологии, слайд №38

Основные принципы планарной технологии, слайд №39

Основные принципы планарной технологии, слайд №40

Основные принципы планарной технологии, слайд №41

Основные принципы планарной технологии, слайд №42

Основные принципы планарной технологии, слайд №43

Основные принципы планарной технологии, слайд №44

Основные принципы планарной технологии, слайд №45

Основные принципы планарной технологии, слайд №46

Основные принципы планарной технологии, слайд №47

Основные принципы планарной технологии, слайд №48

Основные принципы планарной технологии, слайд №49

Основные принципы планарной технологии, слайд №50

Основные принципы планарной технологии, слайд №51

Основные принципы планарной технологии, слайд №52

Основные принципы планарной технологии, слайд №53

Основные принципы планарной технологии, слайд №54

Основные принципы планарной технологии, слайд №55

Основные принципы планарной технологии, слайд №56

Основные принципы планарной технологии, слайд №57

Основные принципы планарной технологии, слайд №58

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Основные принципы планарной технологии. Доклад-сообщение содержит 58 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Основные принципы планарной технологии

Слайд 2

Описание слайда:

Планарная технология

Слайд 3

Описание слайда:

Планарная технология Планарная технология

Слайд 4

Описание слайда:

Планарный процесс

Слайд 5

Описание слайда:

Основные операции планарной технологии

Слайд 6

Описание слайда:

Легирование атомами примеси

Слайд 7

Описание слайда:

Окисление кремния

Слайд 8

Описание слайда:

Травление

Слайд 9

Описание слайда:

Локальное травление и фотолитография

Слайд 10

Описание слайда:

Технологический маршрут

Слайд 11

Описание слайда:

Сопроводительный лист

Слайд 12

Описание слайда:

Принципы планарной технологии

Слайд 13

Описание слайда:

Взаимосвязь конструкции интегральных микросхем и технологии их изготовления

Слайд 14

Описание слайда:

Конструктивно-технологические ограничения при разработке и изготовлении интегральных микросхем

Слайд 15

Описание слайда:

Совместимость элементов интегральных микросхем

Слайд 16

Описание слайда:

Локальность технологических обработок

Слайд 17

Описание слайда:

Послойное формирование элементов микросхем

Слайд 18

Описание слайда:

Послойное формирование элементов микросхем

Слайд 19

Описание слайда:

Послойное формирование элементов микросхем

Слайд 20

Описание слайда:

Технологический маршрут изготовления интегральных микросхем на основе биполярных изопланарных транзисторов

Слайд 21

Описание слайда:

Структура поперечного сечения интегрального планарно-эпитаксиального n-p-n транзистора

Слайд 22

Описание слайда:

Структура планарно-эпитаксиального Структура планарно-эпитаксиального n-p-n-транзистора (а) распределение концентраций (б) и результирующее распределение (в) активных примесей, распределение основных и неосновных носителей заряда в отсутствии внешнего электрического поля.

Слайд 23

Описание слайда:

Для разделения приборов в составе кристалла используется комбинированная изоляция: Для разделения приборов в составе кристалла используется комбинированная изоляция: диэлектрическая и изоляция p-n-переходом.

Слайд 24

Описание слайда:

Структура поперечного сечения интегрального изопланарного n-p-n транзистора

Слайд 25

Описание слайда:

1 этап. В качестве исходного материала используется слаболегированные подложки p- типа, ориентированные по плоскостям (100) или (111). На подложке формируется скрытый низкоомный слой n+ кремния, предназначенный для уменьшения сопротивления коллектора и, следовательно, уменьшающий рассеиваемую в нем мощность, и n- слой эпитаксиального кремния, задающий достаточно высокое напряжение пробоя коллектор - база. 1 этап. В качестве исходного материала используется слаболегированные подложки p- типа, ориентированные по плоскостям (100) или (111). На подложке формируется скрытый низкоомный слой n+ кремния, предназначенный для уменьшения сопротивления коллектора и, следовательно, уменьшающий рассеиваемую в нем мощность, и n- слой эпитаксиального кремния, задающий достаточно высокое напряжение пробоя коллектор - база.

Слайд 26

Описание слайда:

На 2 этапе производства ИС на поверхности кремния формируется двухслойный диэлектрик, состоящий из оксида и нитрида кремния. Слой Si3N4 толщиной 100 нм является маской при последующем окислении кремния, а SiO2 толщиной 50 нм служит для минимизации числа дефектов в кремнии (уменьшает величину механических напряжений и защищает поверхность полупроводника). На 2 этапе производства ИС на поверхности кремния формируется двухслойный диэлектрик, состоящий из оксида и нитрида кремния. Слой Si3N4 толщиной 100 нм является маской при последующем окислении кремния, а SiO2 толщиной 50 нм служит для минимизации числа дефектов в кремнии (уменьшает величину механических напряжений и защищает поверхность полупроводника). Затем осуществляется фотолитография для задания расположения изолирующих областей транзистора.

Слайд 27

Описание слайда:

На 3 этапе поверхность, не защищенная фоторезистом, подвергается травлению, при этом удаляется двухслойный диэлектрик и частично - эпитаксиальный слой. На этом же этапе проводится ионная имплантация бора в протравленные участки для формирования областей, ограничивающих распространение канала и по Локос-технологиии формируются слои изолирующего окисла. Увеличение уровня легирования p- подложки под изолирующим окислом предотвращает инверсию типа проводимости поверхности полупроводника и, следовательно, возможное установление электрической связи между скрытыми слоями соседних приборов. На 3 этапе поверхность, не защищенная фоторезистом, подвергается травлению, при этом удаляется двухслойный диэлектрик и частично - эпитаксиальный слой. На этом же этапе проводится ионная имплантация бора в протравленные участки для формирования областей, ограничивающих распространение канала и по Локос-технологиии формируются слои изолирующего окисла. Увеличение уровня легирования p- подложки под изолирующим окислом предотвращает инверсию типа проводимости поверхности полупроводника и, следовательно, возможное установление электрической связи между скрытыми слоями соседних приборов.

Слайд 28

Описание слайда:

Технология локального окисления. Краевые дефекты

Слайд 29

Описание слайда:

Технология локального окисления. Краевой дефект «птичья голова»

Слайд 30

Описание слайда:

Технология локального окисления. Краевой дефект «птичий клюв»

Слайд 31

Описание слайда:

На 4 этапе после удаления фоторезиста подложки подвергаются термическому окислению до тех пор, пока весь эпитаксиальный слой, не защищенный пленкой Si3N4, не проокислится. На 4 этапе после удаления фоторезиста подложки подвергаются термическому окислению до тех пор, пока весь эпитаксиальный слой, не защищенный пленкой Si3N4, не проокислится. Затем слой нитрида кремния селективно удаляется с сохранением слоя двуокиси кремния.

Слайд 32

Описание слайда:

Слайд 33

Описание слайда:

На 6 этапе формируется эмиттер и высоколегированную область коллектора. На 6 этапе формируется эмиттер и высоколегированную область коллектора.

Слайд 34

Описание слайда:

На заключительном этапе проводится металлизация и покрытие прибора слоем фосфорсиликатного стекла (ФСС). На заключительном этапе проводится металлизация и покрытие прибора слоем фосфорсиликатного стекла (ФСС). В качестве контактного слоя при металлизации можно использовать силицид платины PtSi, а для осаждения верхнего слоя металлизации использовать Ti-Pt-Au.

Слайд 35

Описание слайда:

Технология МОП интегральных микросхем

Слайд 36

Описание слайда:

Преимущества МОП ИС над биполярными ИС малые размеры и площадь упрощенная изоляция низкая потребляемая и рассеиваемая мощность устойчивость к перегрузкам высокое входное сопротивление помехоустойчивость низкая себестоимость производства

Слайд 37

Описание слайда:

Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке n- типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать n- канальные транзисторы, формируемые на p- подложке. Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке n- типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать n- канальные транзисторы, формируемые на p- подложке.

Слайд 38

Описание слайда:

Структуры и условные обозначения МОП транзисторов: со встроенными - а)n-каналом; б)p-каналом; с индуцированными - в) n-каналом; г) p-каналом .

Слайд 39

Описание слайда:

Основу современных цифровых схем составляет схема, на транзисторах с каналами n- и p- типов проводимости – комплементарная структура (КМДП инвертор). Основу современных цифровых схем составляет схема, на транзисторах с каналами n- и p- типов проводимости – комплементарная структура (КМДП инвертор). По сравнению с n-МОП ИС КМОП ИС потребляют меньшую мощность, имеют большую помехоустойчивость и высокую нагрузочную способность по выходу.

Слайд 40

Описание слайда:

Топология КМОП инвертора

Слайд 41

Описание слайда:

Поперечное сечение структуры КМОП инвертора

Слайд 42

Описание слайда:

Технологический маршрут изготовления КМОП интегральных микросхем с p-карманом

Слайд 43

Описание слайда:

ИС на транзисторах со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) получили широкое распространение. ИС на транзисторах со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) получили широкое распространение. В качестве диэлектрика в настоящее время используют диоксид кремния SiO2 (МОП-структуры). Также в качестве тонкого диэлектрика применяют пленку оксинитрида кремния SiNO.

Слайд 44

Описание слайда:

Выбор подложки для КМОП технологии В качестве подложки выбирают кремний p- типа проводимости легированный бором КДБ (100) с концентрацией примеси 1015 - 1016 см-3. Ориентация кремниевой подложки (100) имеет преимущество по сравнению с (111), заключающееся в более высокой подвижности электронов, обусловленной низкой плотностью поверхностных состояний на границе кремний-диэлектрик.

Слайд 45

Описание слайда:

Один из транзисторов КМОП пары размещается в так называемом кармане. Один из транзисторов КМОП пары размещается в так называемом кармане. Возможны следующие варианты изготовления КМОП ИС: с p-карманом; с n-карманом; с двумя карманами.

Слайд 46

Описание слайда:

КМОП-структура

Слайд 47

Описание слайда:

Тиристор

Слайд 48

Описание слайда:

Маршрут изготовления КМОП ИС с p-карманом (Самосовмещенная технология) Формирование маски для легирования кармана (Окисление 0,1 мкм -ФЛ №1 Окисление 0,05 мкм). И.л. бором B.

Слайд 49

Описание слайда:

3. Разгонка кармана: Окисление + Отжиг, ЖХТ SiO2 до Si. 3. Разгонка кармана: Окисление + Отжиг, ЖХТ SiO2 до Si. 4. Окисление 500 Å + Осаждение Si3N4

Слайд 50

Описание слайда:

5. Создание области р+ – охраны: 5. Создание области р+ – охраны: ФЛ №2 + ПХТ Si3N4 +ЖХТ SiO2 +и.л. бором (р+ - охрана). 6. Создание области n+ – охраны: ФЛ №3 +и.л. фосфором (n+ - охрана). 7. «ЛОКОС»: Окисление в парах воды при температуре 850 °С до толщины 0,6 мкм.

Слайд 51

Описание слайда:

8. ЖХТ Si3N4 + ЖХТ SiO2

Слайд 52

Описание слайда:

9. Предварительное окисление. 9. Предварительное окисление. 10. ЖХТ SiO2 - предварительного окисла. 11. Окисление под затвор (d=350-450 Å).

Слайд 53

Описание слайда:

12. Осаждение поликремния Si* + Диффузия фосфора (легирование затворов) + ЖХТ ФСС 12. Осаждение поликремния Si* + Диффузия фосфора (легирование затворов) + ЖХТ ФСС

Слайд 54

Описание слайда:

13. Формирование затворов: ФЛ №4+ПХТ Si*+ Окисление («спейсеры»). 13. Формирование затворов: ФЛ №4+ПХТ Si*+ Окисление («спейсеры»). 14. Формирование областей (n+-стоки, исток) и (p+- стоки, исток): ФЛ №5 + И.л. фосфором (n+-стоки, исток) + ФЛ №6 + И.л. бором (p+- стоки, исток) + Осаждение SiO2 .

Слайд 55

Описание слайда:

15. Формирование первого уровня металлизации: 15. Формирование первого уровня металлизации: ФЛ №7 (контактные окна) + ПХТ SiO2 в окнах + напыление Al+Si или силицидов (например, TiSi, PtSi)+ ФЛ №8 (металл) + ЖХТ Al+Si.