🗊Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №1Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №2Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №3Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №4Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №5Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №6Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №7Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №8Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №9Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №10Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №11Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №12Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №13Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №14Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №15Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №16Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №17Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №18Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №19Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №20Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №21Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №22Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №23Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №24Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №25Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №26Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №27Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №28Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №29Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №30Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №31Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №32Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №33Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №34Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №35Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №36

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно. Презентация содержит 36 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №1
Описание слайда:

Слайд 2






Транзи́стор  — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, 
обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в 
электрической цепи.
      
 Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного 
напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к 
существенно большему изменению выходного напряжения и тока.
Описание слайда:
Транзи́стор  — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока.

Слайд 3





По структуре
По структуре
Биполярный транзистор
Полевой транзистор
По основному полупроводниковому материалу
Германиевые
Кремниевые
Арсенид-галлиевые
Описание слайда:
По структуре По структуре Биполярный транзистор Полевой транзистор По основному полупроводниковому материалу Германиевые Кремниевые Арсенид-галлиевые

Слайд 4





По мощности
По мощности
Маломощные транзисторы до 100мВт
Транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт
Мощные транзисторы (больше 1 Вт)
Описание слайда:
По мощности По мощности Маломощные транзисторы до 100мВт Транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт Мощные транзисторы (больше 1 Вт)

Слайд 5





Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.
Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.
Описание слайда:
Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам. Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

Слайд 6





В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт). 
В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт). 
    Для определённости рассмотрим npn транзистор.
Описание слайда:
В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).  В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).   Для определённости рассмотрим npn транзистор.

Слайд 7





    Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера.
    Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера.
     Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу.
Описание слайда:
Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера.   Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу.

Слайд 8





Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h21. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается. 
Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h21. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается. 
Описание слайда:
Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h21. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается.  Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h21. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается. 

Слайд 9





Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно 
Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно 
представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.
Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер- коллектор) и входного (база-эмиттер) 
переменных напряжений. 
Описание слайда:
Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления. Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер- коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. 

Слайд 10





Входные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного
Входные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного
Транзистора, включенного по схеме с общей базой.
Описание слайда:
Входные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного Входные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного Транзистора, включенного по схеме с общей базой.

Слайд 11





Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного 
Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного 
транзистора , включенного по схеме с общим  эмиттером.
Описание слайда:
Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного транзистора , включенного по схеме с общим эмиттером.

Слайд 12





Нормальный активный режим
Нормальный активный режим
Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в 
обратном (закрыт) UЭБ>0;UКБ<0;

Инверсный активный режим
Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.

Режим насыщения
Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).

Режим отсечки
В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).

Барьерный режим
В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через
небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмитерную цепь транзистора 
включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор 
представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы 
каскадов отличаются малым количеством комплектующих схему элементов, хорошей развязкой 
по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам 
транзисторов.
Описание слайда:
Нормальный активный режим Нормальный активный режим Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт) UЭБ>0;UКБ<0; Инверсный активный режим Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое. Режим насыщения Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Режим отсечки В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты). Барьерный режим В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмитерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих схему элементов, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам транзисторов.

Слайд 13





Схема включения с общим эмиттером
Схема включения с общим эмиттером
Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току 
(а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем 
является наиболее распространенной.
Описание слайда:
Схема включения с общим эмиттером Схема включения с общим эмиттером Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной.

Слайд 14





Схема включения с общей базой
Схема включения с общей базой
Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на 
высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать 
частотную характеристику транзистора.  Если один и тот же транзистор 
включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, 
то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его 
граничной частоты усиления.
Описание слайда:
Схема включения с общей базой Схема включения с общей базой Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать частотную характеристику транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления.

Слайд 15





Схема включения с общим коллектором
Схема включения с общим коллектором
Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью 
передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная 
связь. 
Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим 
эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький 
(основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но 
всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности 
получается равным всего нескольким десяткам единиц.
Описание слайда:
Схема включения с общим коллектором Схема включения с общим коллектором Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.  Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.

Слайд 16





Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. В связи с этим их называют униполярными. Униполярными называют такие транзисторы, работа которых основана на использовании основных носителей: только дырок или только электронов.
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. В связи с этим их называют униполярными. Униполярными называют такие транзисторы, работа которых основана на использовании основных носителей: только дырок или только электронов.
Описание слайда:
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. В связи с этим их называют униполярными. Униполярными называют такие транзисторы, работа которых основана на использовании основных носителей: только дырок или только электронов. Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. В связи с этим их называют униполярными. Униполярными называют такие транзисторы, работа которых основана на использовании основных носителей: только дырок или только электронов.

Слайд 17


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №17
Описание слайда:

Слайд 18


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №18
Описание слайда:

Слайд 19


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №19
Описание слайда:

Слайд 20


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №20
Описание слайда:

Слайд 21


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №21
Описание слайда:

Слайд 22


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №22
Описание слайда:

Слайд 23


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №23
Описание слайда:

Слайд 24


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №24
Описание слайда:

Слайд 25


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №26
Описание слайда:

Слайд 27


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №27
Описание слайда:

Слайд 28


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №28
Описание слайда:

Слайд 29


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №29
Описание слайда:

Слайд 30





М—модулятор. У—усилитель переменного тока, ДМ—демодулятор. 
М—модулятор. У—усилитель переменного тока, ДМ—демодулятор.
Описание слайда:
М—модулятор. У—усилитель переменного тока, ДМ—демодулятор. М—модулятор. У—усилитель переменного тока, ДМ—демодулятор.

Слайд 31


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №31
Описание слайда:

Слайд 32


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №32
Описание слайда:

Слайд 33


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №33
Описание слайда:

Слайд 34


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №34
Описание слайда:

Слайд 35


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №35
Описание слайда:

Слайд 36


Презентация по физике "Транзисторы" - скачать бесплатно, слайд №36
Описание слайда:



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию