Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора

Нажмите для полного просмотра!

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №2

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №3

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №4

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №5

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №6

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №7

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №8

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №9

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №10

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №11

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №12

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №13

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №14

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №15

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора Белоусова А.К. ЭКТ-45

Слайд 2

Описание слайда:

МДП-транзистор Физической основой работы МДП-транзистора является эффект поля, который состоит в изменении концентрации свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля. В структурах МДП внешнее поле обусловлено приложенным напряжением на металлический электрод (затвор) относительно полупроводниковой подложки.

Слайд 3

Описание слайда:

Преимущества МДП-транзистора По сравнению с другими полупроводниковыми приборами, такими как биполярные транзисторы или тиристоры, МОП-транзисторы обладают следующими преимуществами: 1. Малое время переключения и, вследствие этого, малые потери при переключении; 2. Малая мощность, затрачиваемая на переключение; 3. Возможность использования хорошо отработанных технологий производства МОП-интегральных схем.

Слайд 4

Описание слайда:

Применение и перспективы Благодаря своим уникальным свойствам, МДП-транзистор нашел широкое применение в различной электронной аппаратуре. Инновационным направлением в современной электронике является использование силовых IGBT-модулей для работы в различных цепях, в том числе, и индукционных. Технология их производства постоянно совершенствуется. Ведутся разработки по масштабированию (уменьшению) длины затвора. Это позволит улучшить и эксплуатационные параметры прибора.

Слайд 5

Описание слайда:

Малосигнальная эквивалентная схема

Слайд 6

Описание слайда:

Топология n-канального МДП транзистора Данные из варианта: L = 2, мкм W = 50, мкм xj = 0.5, мкм

Слайд 7

Описание слайда:

Обеспечение порогового напряжения Vt = +1 В. Для обеспечения величины порогового напряжения +1 В необходимо увеличить его на Если затвор сделать из р+-Si, то получим Остается добавить Так как эта величина отрицательная, то под затвором необходимо выполнить подлегирование поверхности примесью n-типа (мелкими донорами) на глубину

Слайд 8

Описание слайда:

Выходные характеристики при VBS = 0 В в диапазоне напряжений: VDS = 0 - 5 В;

Слайд 9

Описание слайда:

Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором Крутая область ВАХ: Расчет для:

Слайд 10

Описание слайда:

Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором Пологая область ВАХ:

Слайд 11

Описание слайда:

Расчет и корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала

Слайд 12

Описание слайда:

Расчет реальной ВАХ, при VBS=-2В

Слайд 13

Описание слайда:

ВАХ транзистора, рассчитанные при VGS = 4В с учетом различных приближений: а) идеальная модель, VBS =0B; б) реальная модель, VBS =0B; в) реальная модель, VBS =-2B