🗊Презентация Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №1Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №2Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №3Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №4Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №5Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №6Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №7Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №8Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №9Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №10Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №11Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №12Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №13Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №14Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора, слайд №15
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора Белоусова А.К. ЭКТ-45
Описание слайда:
Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального МДП-транзистора Белоусова А.К. ЭКТ-45

Слайд 2


МДП-транзистор Физической основой работы МДП-транзистора является эффект поля, который состоит в изменении концентрации свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля. В структурах МДП внешнее поле обусловлено приложенным напряжением на металлический электрод (затвор) относительно полупроводниковой подложки.
Описание слайда:
МДП-транзистор Физической основой работы МДП-транзистора является эффект поля, который состоит в изменении концентрации свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля. В структурах МДП внешнее поле обусловлено приложенным напряжением на металлический электрод (затвор) относительно полупроводниковой подложки.

Слайд 3


Преимущества МДП-транзистора По сравнению с другими полупроводниковыми приборами, такими как биполярные транзисторы или тиристоры, МОП-транзисторы обладают следующими преимуществами: 1. Малое время переключения и, вследствие этого, малые потери при переключении; 2. Малая мощность, затрачиваемая на переключение; 3. Возможность использования хорошо отработанных технологий производства МОП-интегральных схем.
Описание слайда:
Преимущества МДП-транзистора По сравнению с другими полупроводниковыми приборами, такими как биполярные транзисторы или тиристоры, МОП-транзисторы обладают следующими преимуществами: 1. Малое время переключения и, вследствие этого, малые потери при переключении; 2. Малая мощность, затрачиваемая на переключение; 3. Возможность использования хорошо отработанных технологий производства МОП-интегральных схем.

Слайд 4


Применение и перспективы Благодаря своим уникальным свойствам, МДП-транзистор нашел широкое применение в различной электронной аппаратуре. Инновационным направлением в современной электронике является использование силовых IGBT-модулей для работы в различных цепях, в том числе, и индукционных. Технология их производства постоянно совершенствуется. Ведутся разработки по масштабированию (уменьшению) длины затвора. Это позволит улучшить и эксплуатационные параметры прибора.
Описание слайда:
Применение и перспективы Благодаря своим уникальным свойствам, МДП-транзистор нашел широкое применение в различной электронной аппаратуре. Инновационным направлением в современной электронике является использование силовых IGBT-модулей для работы в различных цепях, в том числе, и индукционных. Технология их производства постоянно совершенствуется. Ведутся разработки по масштабированию (уменьшению) длины затвора. Это позволит улучшить и эксплуатационные параметры прибора.

Слайд 5


Малосигнальная эквивалентная схема
Описание слайда:
Малосигнальная эквивалентная схема

Слайд 6


Топология n-канального МДП транзистора Данные из варианта: L = 2, мкм W = 50, мкм xj = 0.5, мкм
Описание слайда:
Топология n-канального МДП транзистора Данные из варианта: L = 2, мкм W = 50, мкм xj = 0.5, мкм

Слайд 7


Обеспечение порогового напряжения Vt = +1 В. Для обеспечения величины порогового напряжения +1 В необходимо увеличить его на Если затвор сделать из р+-Si, то получим Остается добавить Так как эта величина отрицательная, то под затвором необходимо выполнить подлегирование поверхности примесью n-типа (мелкими донорами) на глубину
Описание слайда:
Обеспечение порогового напряжения Vt = +1 В. Для обеспечения величины порогового напряжения +1 В необходимо увеличить его на Если затвор сделать из р+-Si, то получим Остается добавить Так как эта величина отрицательная, то под затвором необходимо выполнить подлегирование поверхности примесью n-типа (мелкими донорами) на глубину

Слайд 8


Выходные характеристики при VBS = 0 В в диапазоне напряжений: VDS = 0 - 5 В;
Описание слайда:
Выходные характеристики при VBS = 0 В в диапазоне напряжений: VDS = 0 - 5 В;

Слайд 9


Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором Крутая область ВАХ: Расчет для:
Описание слайда:
Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором Крутая область ВАХ: Расчет для:

Слайд 10


Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором Пологая область ВАХ:
Описание слайда:
Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором Пологая область ВАХ:

Слайд 11


Расчет и корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала
Описание слайда:
Расчет и корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала

Слайд 12


Расчет реальной ВАХ, при VBS=-2В
Описание слайда:
Расчет реальной ВАХ, при VBS=-2В

Слайд 13


ВАХ транзистора, рассчитанные при VGS = 4В с учетом различных приближений: а) идеальная модель, VBS =0B; б) реальная модель, VBS =0B; в) реальная модель, VBS =-2B
Описание слайда:
ВАХ транзистора, рассчитанные при VGS = 4В с учетом различных приближений: а) идеальная модель, VBS =0B; б) реальная модель, VBS =0B; в) реальная модель, VBS =-2B

Слайд 14


Расчет параметров эквивалентной схемы
Описание слайда:
Расчет параметров эквивалентной схемы

Слайд 15


Результаты
Описание слайда:
Результаты

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию