🗊Презентация Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №1Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №2Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №3Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №4Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №5Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №6Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №7Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №8Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №9Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №10Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №11Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №12Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №13Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №14

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта. Доклад-сообщение содержит 14 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





«Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта»
Полякова Виктория Вадимовна
Южный федеральный университет
Описание слайда:
«Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта» Полякова Виктория Вадимовна Южный федеральный университет

Слайд 2





Актуальность идеи («боль потребителя»)
Описание слайда:
Актуальность идеи («боль потребителя»)

Слайд 3





Предлагаемое решение (конечный продукт)
Мы предлагаем разработку технологии кроссбар архитектуры и создание макета массива мемристорных структур на основе оксида титана для нейроморфных систем искусственного интеллекта.
Описание слайда:
Предлагаемое решение (конечный продукт) Мы предлагаем разработку технологии кроссбар архитектуры и создание макета массива мемристорных структур на основе оксида титана для нейроморфных систем искусственного интеллекта.

Слайд 4





Обоснование научной новизны проекта и актуальности для науки
Описание слайда:
Обоснование научной новизны проекта и актуальности для науки

Слайд 5





Перспектива коммерциализации результата НИОКР
Описание слайда:
Перспектива коммерциализации результата НИОКР

Слайд 6





Перспектива коммерциализации результата 
НИОКР (бизнес-модель)
Описание слайда:
Перспектива коммерциализации результата НИОКР (бизнес-модель)

Слайд 7





Техническая значимость
Описание слайда:
Техническая значимость

Слайд 8





Научно-технический задел исполнителей проекта
Описание слайда:
Научно-технический задел исполнителей проекта

Слайд 9





Основные публикации исполнителя проекта
 V. V. Polyakova, V. A. Smirnov, and O. A. Ageev A Study of Nanoscale Profiling Modes of a Silicon Surface via Local Anodic Oxidation // Nanotechnologies in Russia, 2018, Vol. 13, Nos. 1–2, pp. 84–89., 2018.
V.A. Smirnov, R.V. Tominov, N.I. Alyab’eva, M.V. Il’ina, V.V. Polyakova, Al.V. Bykov, O.A. Ageev Atomic Force Microscopy Measurement of the Resistivity of Semiconductors // Technical Physics, 2018, Vol. 63, No. 8, pp. 1236–1241, 2018,Vol. 88, No. 8, pp. 1273–1278
 А.В. Быков, А.С. Коломийцев,В.В.Полякова, В.А. Смирнов Профилирование зондов для сканирующей зондовой нанодиагностики методом фокусированных ионных пучков // Известия ЮФУ. Технические науки Октябрь 2014
 В.А. Смирнов, В.И. Авилов, В.В. Полякова, Л.Р. Саубанова, М.С. Солодовник, О.Г. Цуканова, С.Ю. Краснобородько Профилирование эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом локального анодного окисления//Статья Известия ЮФУ. Технические науки №9, 2015 – С. 84-93 
 Polyakova, I .N. Kots, O.A. Ageev Investigation of modes profiling of silicon surface by the method of local anodic oxidation to create promising elements of nnoelectronics//IC Micro- and Nanoelectronics with the Extended Session IC MNE2018 , 2018
 V.V. Polyakova, I.N. Kots Silicon Substrate Surface Nanoprofiling by Local Anodic Oxidation to Create Nanoelectronics Elements// International Conference on "Physics and Mechanics of New Materials and Their Applications“ (PIIENMA 2018) August 9-11, 2018  Korea maritime and Ocean University , Busan, Republic of Korea
V.V. Polyakova1, I.N. Kots1, V.A. Smirnov1, O.A. Ageev Study of the surface profiling of silicon based on the method of local anodic oxidation using scanning probe microscopy //International Conference Scanning probe microscopy August 26-29, 2018 Ekaterinburg
Описание слайда:
Основные публикации исполнителя проекта V. V. Polyakova, V. A. Smirnov, and O. A. Ageev A Study of Nanoscale Profiling Modes of a Silicon Surface via Local Anodic Oxidation // Nanotechnologies in Russia, 2018, Vol. 13, Nos. 1–2, pp. 84–89., 2018. V.A. Smirnov, R.V. Tominov, N.I. Alyab’eva, M.V. Il’ina, V.V. Polyakova, Al.V. Bykov, O.A. Ageev Atomic Force Microscopy Measurement of the Resistivity of Semiconductors // Technical Physics, 2018, Vol. 63, No. 8, pp. 1236–1241, 2018,Vol. 88, No. 8, pp. 1273–1278 А.В. Быков, А.С. Коломийцев,В.В.Полякова, В.А. Смирнов Профилирование зондов для сканирующей зондовой нанодиагностики методом фокусированных ионных пучков // Известия ЮФУ. Технические науки Октябрь 2014 В.А. Смирнов, В.И. Авилов, В.В. Полякова, Л.Р. Саубанова, М.С. Солодовник, О.Г. Цуканова, С.Ю. Краснобородько Профилирование эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом локального анодного окисления//Статья Известия ЮФУ. Технические науки №9, 2015 – С. 84-93 Polyakova, I .N. Kots, O.A. Ageev Investigation of modes profiling of silicon surface by the method of local anodic oxidation to create promising elements of nnoelectronics//IC Micro- and Nanoelectronics with the Extended Session IC MNE2018 , 2018 V.V. Polyakova, I.N. Kots Silicon Substrate Surface Nanoprofiling by Local Anodic Oxidation to Create Nanoelectronics Elements// International Conference on "Physics and Mechanics of New Materials and Their Applications“ (PIIENMA 2018) August 9-11, 2018 Korea maritime and Ocean University , Busan, Republic of Korea V.V. Polyakova1, I.N. Kots1, V.A. Smirnov1, O.A. Ageev Study of the surface profiling of silicon based on the method of local anodic oxidation using scanning probe microscopy //International Conference Scanning probe microscopy August 26-29, 2018 Ekaterinburg

Слайд 10


Разработка технологии кроссбар архитектуры мемристорных структур для нейроморфных систем искусственного интеллекта, слайд №10
Описание слайда:

Слайд 11





План реализации
Описание слайда:
План реализации

Слайд 12





Результаты проекта по этапам
Описание слайда:
Результаты проекта по этапам

Слайд 13





Партнеры, заинтересованные организации
Описание слайда:
Партнеры, заинтересованные организации

Слайд 14





Контактная информация
Описание слайда:
Контактная информация



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию