Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №1

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №2

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №3

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №4

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №5

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №6

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №7

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №8

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №9

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №10

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №11

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №12

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №13

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №14

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №15

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №16

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №17

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №18

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №19

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №20

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №21

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №22

Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе, слайд №23

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Транзисторы И Электронные Схемы На Их Основе. Доклад-сообщение содержит 23 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Тема Транзисторы и электронные схемы на их основе

Слайд 2

Описание слайда:

1.Общие сведения Транзистор – управляемый п/п НЭ, предназначенный для усиления сигнала по мощности. Транзисторы: биполярные; униполярные (полевые). Биполярные транзисторы трехслойная структура с чередующимися типами эл.проводности с двумя p-n переходами. Выполняют из кремния, реже германия. Различают биполярные транзисторы двух типов: n-p-n и p-n-p

Слайд 3

Описание слайда:

2.Принцип действия На переход ЭБ –напряжение UЭБ= 0..0,6 В подано в прямом направлении («-» с Э, «+» Б). На переход КБ – напряжение UКБ=10..30В – в обратном направлении («+» К, «-» Б) – рабочий режим.

Слайд 4

Описание слайда:

4. Большая часть электронов попадает в К, образуя коллекторный ток IК=α·IЭ, где α = 0,9…0,995 – коэффициент передачи тока. 4. Большая часть электронов попадает в К, образуя коллекторный ток IК=α·IЭ, где α = 0,9…0,995 – коэффициент передачи тока. 5. Коллекторный ток IK=IKO + α·IЭ 6.Количество электронов в IЭ определяется напряжением UЭБ, напряжение UБК только ускоряет электроны, не увеличивая их количества: IЭ от UБК зависит мало.

Слайд 5

Описание слайда:

3.Схемы включения транзисторов Схема с ОБ – используют редко. Недостатки: большой входной ток (Iэ), малое входное сопротивление, малое усиление по току KI≤1. Преимущества: высокая стабильность в работе. Схема с ОЭ – наибольшее распространение. Преимущества: мал входной ток, высокие К усиления, Схема с ОК - обладает высоким входным и малым выходным сопротивлением, мал коэффициент усиления по напряжению KU≤1 Каскад с ОЭ – усилительный, с ОК – повторитель напряжения, с ОБ – повторитель тока.

Слайд 6

Описание слайда:

4.ВАХ в схеме с ОЭ Транзистор – управляемый НЭ, характеризуется двумя ВАХ. Входная (базовая) ВАХ – IБ(UБЭ) – аналогична ВАХ диода. Практически не зависит от UКЭ. Семейство выходных ВАХ – Ik(UКЭ) IБ=const, в широком диапазоне UКЭ прямолинейны.

Слайд 7

Описание слайда:

5.Электронные усилители - устройство, предназначенное для повышения мощности входного сигнала. Простейший усилительный каскад содержит: Источник постоянного тока, за счет энергии которого происходит усиление мощности входного сигнала; Транзистор; Цепи смещения, обеспечивающие режим транзистора по постоянному току (режим покоя). Основные характериcтики усилительного каскада. Коэффициент усиления по току KI = iвых/iвх⇒ (10…20); Коэффициент усиления по напряжению KU = uвых/uвх⇒ (10…20); Коэффициент усиления по мощности KP = Pвых/Pвх= KU· KI ⇒ (100…400) Коэффициенты усиления могут выражаться в логарифмических единицах – децибелах Ku,I (дБ) = 20lg(Ku,I); Kp(дБ) = 10lg(Kp) Многокаскадные усилители – для получения высокого KU (тысячи...миллионы) KU= KU1· KU2· … Kun Связь между каскадами – для УПТ – гальваническая или R, в усилителях переменного тока – через R-C.

Слайд 8

Описание слайда:

6.Усилительный каскад с ОЭ Содержит: Биполярный транзистор n-p-n типа, включенный по схеме с ОЭ (Э – общий электрод для входной и выходной цепи.) источник постоянного тока Ек =10..30 В,, для усиления входного сигнала по мощности. Коллекторное сопротивление Rk, ограничивает ток в коллекторной цепи, на нем Uвых.

Слайд 9

Описание слайда:

Принцип действия Для анализа использованы входная IБ(UБ) и выходная IК(UК) ВАХ. Коллекторная цепь представляет последовательно соединенные Rk с управляемым НЭ – транзистором. По 2 закону Кирхгофа Ek = Uk + IkRk Расчет такой нелинейной ЭЦ проводим графически методом пересечений

Слайд 10

Описание слайда:

Слайд 11

Описание слайда:

7.Нелинейные искажения Если изменения Uвх, IБ и IK укладываются в линейные участки входной и переходной характеристик, то форма выходного напряжения соответствует форме Uвх. Uвх – синусоида

Слайд 12

Описание слайда:

8.Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ)

Слайд 13

Описание слайда:

9.Фазо-частотная характеристика (ФЧХ) - показывает, что в области нижних частот Uвых опережает по фазе Uвх, а в области верхних частот отстает от него. В предельных случаях при f→0 φ→π/2, а при f→ φ→- π/2,

Слайд 14

Описание слайда:

10.Температурная стабилизация

Слайд 15

Описание слайда:

11.Классификация усилителей Коэффициент усиления Ku(f) в общем случае зависит от частоты (АЧХ). По типу АЧХ различают усилители: 1. Усилители постоянного тока (УПТ) – нижняя граница по частоте fн=0, верхняя fв=103..108Гц. 2. Усилитель низких частот (УНЧ):fн=20..50 Гц, fв=104..2·104Гц. 3. Усилитель высоких частот (УВЧ): fн=104.. 105 Гц, fв=107..108Гц. 4.Широкополосный усилитель fн=20..50 Гц, fв=107..108Гц.

Слайд 16

Описание слайда:

12.Режимы работы транзисторов 1. Активный режим в усилителях. Э Б - смещен в прямом направлении - + (для n-p-n транзисторов) Б К – смещен в обратном направлении - + 2. Режим насыщения – транзистор открыт IЭК – максимален. Э Б - смещен в прямом направлении - + (для n-p-n транзисторов) Б К – смещен в прямом направлении + - 3. Режим отсечки – транзистор закрыт, IЭК ⇒0 Э Б - смещен в обратном направлении + - (для n-p-n транзисторов) Б К – смещен в обратном направлении - +

Слайд 17

Описание слайда:

13.Обратные связи в усилителях

Слайд 18

Описание слайда:

При глубокой ООС (ku>>1) При глубокой ООС (ku>>1)

Слайд 19

Описание слайда:

14.Дрейф нуля - изменение выходного напряжения У при закороченных входных зажимах, т.е. при Uвх=0. специфичный недостаток УПТ, которые используются в измерительной технике для усиления сигналов порядка долей герц. Причины: Нестабильность источников питания, Неточная компенсация температурной нестабильности; Старение транзисторов; Изменение температуры. При этом усилитель без искажения воспроизводит сигналы Uвх>>Uдр. Меры по уменьшению дрейфа: Стабилизация источника питания на уровне ± 0,01% уменьшает уровень Uдр до 5…20 мВ/час. Применение дифференциальных УПТ.

Слайд 20

Описание слайда:

15.Дифференциальный усилитель постоянного тока -выполнен по принципу четырехплечего моста. Требования к элементам схемы: R2 = R3 Подбирают пары Т1 и Т2 со строго идентичными характеристиками. Режимы пары Т1 и Т2 одинаковы. Стабильность существенно зависит от величины R1 (чем больше, тем лучше). Вместо R1 используют стабилизатор тока. Используют два источника ЭДС с Е1=Е2 (Е1 – коллекторная, Е2 – смещения ЭДС).

Слайд 21

Описание слайда:

Удается уменьшить дрейф в 20..100 раз до 1…20 мкВ/С. Удается уменьшить дрейф в 20..100 раз до 1…20 мкВ/С.

Слайд 22

Описание слайда:

16.Полевые (униполярные) транзисторы. - электропреобразовательные приборы, в которых ток управляется электрическим полем, и которые предназначены для усиления входного сигнала по мощности. Полевой транзистор можно рассматривать как резистор, сопротивление которого изменяется под действием поперечного электрического поля, создаваемого прилегающим к проводящему объему полупроводника управляющим электродом (затвором). В униполярном транзисторе управляемый ток обусловлен движением основных носителей. Применяют два вида полевых транзисторов: с управляющим p-n переходом; с изолированным затвором. На рис. показана структура и схема включения полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом n типа.

Слайд 23

Описание слайда:

При увеличении управляющего напряжения Uзи (обратного напряжения на p-n переходе) поперечное сечение канала уменьшается и ток стока Ic уменьшается. При увеличении управляющего напряжения Uзи (обратного напряжения на p-n переходе) поперечное сечение канала уменьшается и ток стока Ic уменьшается. Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют структуру: металл (М) – диэлектрик (Д) – полупроводник (П) МДП