Характеристики и параметры интегральных микросхем - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №1

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №2

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №3

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №4

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №5

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №6

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №7

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №8

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №9

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №10

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №11

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №12

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №13

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №14

Характеристики и параметры интегральных микросхем, слайд №15

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Характеристики и параметры интегральных микросхем. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Характеристики и параметры интегральных микросхем

Слайд 2

Описание слайда:

Общие параметры ИМС Напряжение(я) питания Uпит (В) Диапазон рабочих температур Температура конденсации влаги при относительной влажности 98% Вибрационные нагрузки по частоте (Гц) Вибрационные нагрузки по ускорению (м/с2)

Слайд 3

Описание слайда:

Гарантированная наработка на отказ (ч) Гарантированная наработка на отказ (ч) Интенсивность отказов – плотность вероятности возникновения отказа в заданном промежутке времени: N1 – число ИМС безотказно проработавших к моменту времени t; N – число изначально исправных ИМС; T – время проведения испытаний.

Слайд 4

Описание слайда:

Параметры аналоговых ИМС Параметры аналоговых ИМС соответствуют параметрам устройств, которые реализованы в данных микросхемах. # для интегральных усилителей основными параметрами будут коэффициент усиления, диапазон усиливаемых частот. В качестве характеристик АЧХ, ФЧХ и др.

Слайд 5

Описание слайда:

Параметры цифровых интегральных микросхем Уровни напряжений логического «0» и логической «1»: # для ТТЛ U0 ≤0.4В; U1 ≥2.4 В. # для КМОП логики U0 ≤ 0,3Uпит; U1 ≥0.7 Uпит.

Слайд 6

Описание слайда:

Коэффициент разветвления по выходу Кразв– число входов базовых элементов данной серии, которое можно подключить к выходу элемента без дополнительных устройств согласования. Коэффициент разветвления по выходу Кразв– число входов базовых элементов данной серии, которое можно подключить к выходу элемента без дополнительных устройств согласования. # для ТТЛ Кразв = 10 для КМОП Кразв = 100

Слайд 7

Описание слайда:

Коэффициент объединения по входу Коб – число входов данного элемента. Коэффициент объединения по входу Коб – число входов данного элемента.

Слайд 8

Описание слайда:

Uпор - пороговый уровень переключения микросхемы. При его достижении микросхема переходит из одного логического состояния в другое; U 0ст.пу - уровень статической помехоустойчивости относительно «0»; Uпор - пороговый уровень переключения микросхемы. При его достижении микросхема переходит из одного логического состояния в другое; U 0ст.пу - уровень статической помехоустойчивости относительно «0»; U 1ст.пу - уровень статической помехоустойчивости относительно «1». U 0ст.пу = Uпор - U0; U 1ст.пу = U 1 - Uпор. # Для ТТЛ |U 0ст.пу| = |U 0ст.пу| ≥ 0,4

Слайд 9

Описание слайда:

Динамическая помехоустойчивость – оценивается при подаче на вход элемента импульсов определенной формы, длительности и амплитуды. Динамическая помехоустойчивость – оценивается при подаче на вход элемента импульсов определенной формы, длительности и амплитуды.

Слайд 10

Описание слайда:

Слайд 11

Описание слайда:

Быстродействие – определяется по среднему времени задержки распространения сигнала: Быстродействие – определяется по среднему времени задержки распространения сигнала: tзд.р.ср.=0,5*(tзд.р.1,0+ tзд.р.0,1)

Слайд 12

Описание слайда:

* быстродействие сложной логической схемы находится как сумма tзд.р.ср. для всех последовательно включенных микросхем. * быстродействие сложной логической схемы находится как сумма tзд.р.ср. для всех последовательно включенных микросхем. # для ТТЛ tзд.р.ср. ~ 20 нс, для КМОП tзд.р.ср. ~ 200 нс, * также для оценки быстродействия используют предельную рабочую частоту fпр. Для ТТЛ fпр =10 МГц, для КМОП fпр = 1 МГц.

Слайд 13

Описание слайда:

Средняя статическая мощность потребления Pср. Средняя статическая мощность потребления Pср. Pср= 0.5*(P0 + P1), где P0 – мощность при логическом «0» на выходе; P1 - мощность при логической «1» на выходе. * Также для оценки потребляемой энергии используют параметр ток потребления Iпотр (мА).

Слайд 14

Описание слайда:

Динамическая мощность Pдин – Динамическая мощность Pдин – мощность, измеренная на предельной частоте. Pдин > Pср. В общем случае Pдин= f*Cн*(U1-U0), где f – частота входных импульсов, Cн – емкость нагрузки.