🗊Презентация Наноэлектроника

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Наноэлектроника, слайд №1Наноэлектроника, слайд №2Наноэлектроника, слайд №3Наноэлектроника, слайд №4Наноэлектроника, слайд №5Наноэлектроника, слайд №6Наноэлектроника, слайд №7Наноэлектроника, слайд №8Наноэлектроника, слайд №9Наноэлектроника, слайд №10Наноэлектроника, слайд №11
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Наноэлектроника. Доклад-сообщение содержит 11 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


НАНОЭЛЕКТРОНИКА Выполнила: Шакумова Анель
Описание слайда:
НАНОЭЛЕКТРОНИКА Выполнила: Шакумова Анель

Слайд 2


Наноэлектроника — область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нанометров.
Описание слайда:
Наноэлектроника — область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нанометров.

Слайд 3


Элементы электронных систем.
Описание слайда:
Элементы электронных систем.

Слайд 4


Квантовые основы наноэлектроники квантовое размерное ограничение интерференция туннелирование через потенциальные барьеры.
Описание слайда:
Квантовые основы наноэлектроники квантовое размерное ограничение интерференция туннелирование через потенциальные барьеры.

Слайд 5


Квантовые ямы Двумерный электронный газ Энергетические зоны на границе двух полупроводников.Есi и Еvi – границы зон проводимости и валентной. Электрон С энергией меньшей Ес2 (уровень показан красным цветом) может находится только справа от границы
Описание слайда:
Квантовые ямы Двумерный электронный газ Энергетические зоны на границе двух полупроводников.Есi и Еvi – границы зон проводимости и валентной. Электрон С энергией меньшей Ес2 (уровень показан красным цветом) может находится только справа от границы

Слайд 6


Квантовые нити. Одномерный электронный газ Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми нитями, полученные с помощью субмикронной литографии за счет вытравливания узкой полоски из самой структуры (а) или щели в затворе Шоттки (б): 1 – полупроводник с широкой запрещенной зоной (AlGaAs); 2 – полупроводник с узкой запрещенной зоной (GaAs); 3 – металлический затвор.
Описание слайда:
Квантовые нити. Одномерный электронный газ Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми нитями, полученные с помощью субмикронной литографии за счет вытравливания узкой полоски из самой структуры (а) или щели в затворе Шоттки (б): 1 – полупроводник с широкой запрещенной зоной (AlGaAs); 2 – полупроводник с узкой запрещенной зоной (GaAs); 3 – металлический затвор.

Слайд 7


Квантовые точки. Нульмерный электронный газ В квантовой точке движение ограничено в трех направлениях и энергетический спектр полностью дискретный, как в атоме. Поэтому квантовые точки называют еще искусственными атомами, хотя каждая такая точка состоит из тысяч или даже сотен тысяч настоящих атомов. Размеры квантовых точек порядка нескольких нанометров. Подобно настоящему атому, квантовая точка может содержать один или несколько свободных электронов. Если один электрон, то это как бы искусственный атом водорода, если два – атом гелия и т.д.
Описание слайда:
Квантовые точки. Нульмерный электронный газ В квантовой точке движение ограничено в трех направлениях и энергетический спектр полностью дискретный, как в атоме. Поэтому квантовые точки называют еще искусственными атомами, хотя каждая такая точка состоит из тысяч или даже сотен тысяч настоящих атомов. Размеры квантовых точек порядка нескольких нанометров. Подобно настоящему атому, квантовая точка может содержать один или несколько свободных электронов. Если один электрон, то это как бы искусственный атом водорода, если два – атом гелия и т.д.

Слайд 8


Одноэлектроника. Одно из самых перспективных направлений увеличения степени интеграции микросхем основано на развитии приборов, в которых контролируется перемещение буквально одного электрона. В таких устройствах, называемых сейчас одноэлектронными транзисторами бит информации будет представлен одним электроном. В одноэлектронных транзисторах время перемещения электрона определяется процессами туннелирования и может быть очень малым.
Описание слайда:
Одноэлектроника. Одно из самых перспективных направлений увеличения степени интеграции микросхем основано на развитии приборов, в которых контролируется перемещение буквально одного электрона. В таких устройствах, называемых сейчас одноэлектронными транзисторами бит информации будет представлен одним электроном. В одноэлектронных транзисторах время перемещения электрона определяется процессами туннелирования и может быть очень малым.

Слайд 9


Главной особенностью наноэлектроники является в первую очередь не простое механическое уменьшение размеров, а то, что для элементов таких размеров начинают преобладать квантовые эффекты, использование которых может стать очень перспективным. При переходе от микро- к наноэлектронике появляющиеся квантовые элементы зачастую мешают, например, работа обычного транзистора затрудняется из-за появления туннелироания носителей заряда, однако в новой электронике квантовые эффекты становятся основой.
Описание слайда:
Главной особенностью наноэлектроники является в первую очередь не простое механическое уменьшение размеров, а то, что для элементов таких размеров начинают преобладать квантовые эффекты, использование которых может стать очень перспективным. При переходе от микро- к наноэлектронике появляющиеся квантовые элементы зачастую мешают, например, работа обычного транзистора затрудняется из-за появления туннелироания носителей заряда, однако в новой электронике квантовые эффекты становятся основой.

Слайд 10


Впервые в 70-80 годах в полупроводниковую технику стали внедряться наноразмерные структуры, к примеру, гетеропереходы, квантовые точки и квантовые ямы, а также сверхрешетки. Были разработаны качественно новые технологические процессы, позволившие совершенствовать полупроводниковую классику: напыление, окисление, литография, имплантация, диффузия и другие.
Описание слайда:
Впервые в 70-80 годах в полупроводниковую технику стали внедряться наноразмерные структуры, к примеру, гетеропереходы, квантовые точки и квантовые ямы, а также сверхрешетки. Были разработаны качественно новые технологические процессы, позволившие совершенствовать полупроводниковую классику: напыление, окисление, литография, имплантация, диффузия и другие.

Слайд 11


Основные задачи наноэлектроники разработка физических основ работы активных приборов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых; разработка физических основ технологических процессов;
Описание слайда:
Основные задачи наноэлектроники разработка физических основ работы активных приборов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых; разработка физических основ технологических процессов;

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию