Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур

Нажмите для полного просмотра!

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №2

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №3

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №4

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №5

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №6

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №7

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №8

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №9

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №10

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №11

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №12

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №13

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №14

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №15

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №16

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №17

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №18

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №19

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №20

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №21

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №22

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №23

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №24

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №25

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №26

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №27

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №28

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №29

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №30

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №31

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №32

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №33

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №34

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №35

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №36

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №37

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №38

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №39

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №40

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №41

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №42

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №43

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №44

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №45

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №46

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №47

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №48

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №49

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №50

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №51

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №52

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №53

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №54

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №55

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №56

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №57

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №58

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №59

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №60

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №61

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №62

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №63

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №64

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №65

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №66

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №67

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №68

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №69

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №70

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №71

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №72

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №73

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №74

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №75

Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур, слайд №76

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур. Доклад-сообщение содержит 76 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Наноэлектроника

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Слайд 6

Описание слайда:

Слайд 7

Описание слайда:

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

Слайд 10

Описание слайда:

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Слайд 13

Описание слайда:

Слайд 14

Описание слайда:

Слайд 15

Описание слайда:

Слайд 16

Описание слайда:

Слайд 17

Описание слайда:

Принципиальное отличие нанообразований, ограниченных нанометровыми размерами в трёх измерениях (квантовые точки, КТ) от нанообразований, ограниченных в одном измерении (квантовые ямы, КЯ) или в двух измерениях (квантовые нити, КН) заключается в том, что в них свойства электронов и дырок нельзя описать на основе представлений о газе квазичастиц, которые используются для описания КЯ и КН, т.к. движение электронов и дырок рассматривается в трёхмерном ограниченном пространстве и КТ представляются как сверхатомы или сверхантиатомы в зависимости от знака носителей заряда в них. Принципиальное отличие нанообразований, ограниченных нанометровыми размерами в трёх измерениях (квантовые точки, КТ) от нанообразований, ограниченных в одном измерении (квантовые ямы, КЯ) или в двух измерениях (квантовые нити, КН) заключается в том, что в них свойства электронов и дырок нельзя описать на основе представлений о газе квазичастиц, которые используются для описания КЯ и КН, т.к. движение электронов и дырок рассматривается в трёхмерном ограниченном пространстве и КТ представляются как сверхатомы или сверхантиатомы в зависимости от знака носителей заряда в них. К основным требованиям в формировании массивов КТ при эпитаксиальном наращивании является: - идентичность форм и размеров КТ; - однородность в их распределении; - величина поверхностной плотности КТ.

Слайд 18

Описание слайда:

Слайд 19

Описание слайда:

Наногетероэпитаксиальные структуры (НГЭС) представляют собой композит изготовленный на пластине из монокристаллического материала (подложке) и включающий монокристаллические нанообразования из различных материалов, имеющих в одном, двух или трёх измерениях нанометровые размеры, величина которых не должна превышать величину длины волны де Бройля для электрона (λ℮). Наногетероэпитаксиальные структуры (НГЭС) представляют собой композит изготовленный на пластине из монокристаллического материала (подложке) и включающий монокристаллические нанообразования из различных материалов, имеющих в одном, двух или трёх измерениях нанометровые размеры, величина которых не должна превышать величину длины волны де Бройля для электрона (λ℮). Физические процессы в таких нанообразованиях описываются аппаратом квантовой механики.

Слайд 20

Описание слайда:

Слайд 21

Описание слайда:

Слайд 22

Описание слайда:

Слайд 23

Описание слайда:

Слайд 24

Описание слайда:

Слайд 25

Описание слайда:

Слайд 26

Описание слайда:

Слайд 27

Описание слайда:

Слайд 28

Описание слайда:

Слайд 29

Описание слайда:

Слайд 30

Описание слайда:

Слайд 31

Описание слайда:

Слайд 32

Описание слайда:

Слайд 33

Описание слайда:

Слайд 34

Описание слайда:

Слайд 35

Описание слайда:

Слайд 36

Описание слайда:

Слайд 37

Описание слайда:

Слайд 38

Описание слайда:

Слайд 39

Описание слайда:

Слайд 40

Описание слайда:

Слайд 41

Описание слайда:

Слайд 42

Описание слайда:

Установки МВЕ

Слайд 43

Описание слайда:

Слайд 44

Описание слайда:

Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии: Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии: - Испарение всех матричных элементов, а также легирующих примесей из индивидуальных молекулярных источников. - Имеется возможность резкого прерывания молекулярного пучка любого из испаряемых веществ с помощью механических заслонок. Проведение эпитаксиального процесса в условиях сверхвысокого вакуума (p< 10-8 Па) Атомарно-чистая поверхность подложки перед эпитаксиальным наращиванием. - Проведение эпитаксиального процесса при относительно низких температурах роста (500-650оС). - Поддержание двумерного режима роста слоев, обеспечивающего получение атомарно-гладкой поверхности раздела выращиваемых гетероструктур. - Низкая скорость эпитаксии – от 1 до 2 мкм в час (0,1 нм/с). - Доступность фронта кристаллизации контролю различными физико-аналитическими методами.

Слайд 45

Описание слайда:

Слайд 46

Описание слайда:

Слайд 47

Описание слайда:

Слайд 48

Описание слайда:

Слайд 49

Описание слайда:

Слайд 50

Описание слайда:

Слайд 51

Описание слайда:

Слайд 52

Описание слайда:

Слайд 53

Описание слайда:

Слайд 54

Описание слайда:

Слайд 55

Описание слайда:

Слайд 56

Описание слайда:

Слайд 57

Описание слайда:

Слайд 58

Описание слайда:

Слайд 59

Описание слайда:

Слайд 60

Описание слайда:

Слайд 61

Описание слайда:

Технология (ЖФЭ с ИОП) выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками (НГЭС КТ)

Слайд 62

Описание слайда:

Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ? Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ? Выращивание, например, массивов КТ осуществляется по механизму Странского-Крастанова при различии в несколько процентов постоянных решеток материала КТ и матричного материала, используемого в качестве подложки и спейсерных слоев в многослойных НГЭС. Формирования массивов КТ включает рост на поверхности подложки упруго-напряженного «смачивающего» слоя материала КТ, на поверхности которого, при достижении некоторой критической толщины, в местах нониуса совершенства, происходит образование КТ. При перемещении носителей заряда вдоль оси многослойной НГЭС наличие «смачивающего» слоя между КТ приводит к генерационно-рекомбинационному току, который не позволяет реализовать характеристики, предсказываемые для приборов, созданных на основе НГЭС, не содержащих «смачивающих» слоев.

Слайд 63

Описание слайда:

Методы MЛЭ и MOCVD, нашедших широкое применение для получения различных НГЭС, не позволяют получать НГЭС без «смачивающих» слоев между КТ. Методы MЛЭ и MOCVD, нашедших широкое применение для получения различных НГЭС, не позволяют получать НГЭС без «смачивающих» слоев между КТ. Методы выращивания НГЭС в процессе ЖФЭ позволяют получать массивы КТ не содержащие упруго-напряженные «смачивающие» слои в промежутках между КТ. Формирование массива КТ в этом процессе определяется разностью химических потенциалов ΔµST атомов кристаллизуемого вещества в жидкой µL и твердой µS фазах, при наличии упругой энергии U(x), приходящейся на один атом с координатой x в упруго-напряженной области, в соответствии с выражением ∆µST=µT−µS − U(x)=∆µ−U(x) При U(х)Δµ - процесс растворения.