ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо

Нажмите для полного просмотра!

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №2

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №3

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №4

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №5

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №6

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №7

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №8

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №9

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №10

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №11

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №12

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №13

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №14

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №15

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №16

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №17

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №18

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №19

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №20

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №21

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №22

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №23

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №24

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №25

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №26

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №27

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №28

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №29

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №30

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо, слайд №31

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод мо. Доклад-сообщение содержит 31 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ 1. Метод валентных связей (ВС). 2. Теория кристаллического поля (ТКП). 3. Метод молекулярных орбиталей (ММО).

Слайд 2

Описание слайда:

Альфред Вернер – первым попытался объяснить химическую связь в комплексных соединениях. Альфред Вернер – первым попытался объяснить химическую связь в комплексных соединениях. 1893 г. – статья Вернера «О строении неорганических соединений». 1913 г. – присуждение Вернеру Нобелевской премии. Дальнейшее развитие химии КС связано с именем Чугаева. Созданная им школа объединила русских ученых Черняева, Гринберга, их учеников Яцимирского, Кукушкина.

Слайд 3

Описание слайда:

Теория валентных связей Теория валентных связей 1. Связь между комплексообразователем и лигандами является донорно-акцепторной. Лиганды предоставляют электронные пары, а центральный атом комплекса – свободные орбитали. Мерой прочности связи служит степень перекрывания орбиталей.

Слайд 4

Описание слайда:

2. Орбитали комплексообразователя подвергаются гибридизации. 2. Орбитали комплексообразователя подвергаются гибридизации. Тип гибридизации зависит от природы и электронной структурой центрального атома (Ц.А.). Геометрия комплекса определяется характером гибридизации орбиталей Ц.А. Существует октаэдрические, тетраэдрические, квадратные и линейные комплексные ионы.

Слайд 5

Описание слайда:

3. Магнитные свойства комплексного иона зависят от заселенности орбиталей комплексообразователя: 3. Магнитные свойства комплексного иона зависят от заселенности орбиталей комплексообразователя: а) При наличии неспаренных электронов комплекс парамагнитен. б) Полное отсутствие неспаренных электронов (все электроны спарены) обуславливает диамагнетизм комплексного соединения.

Слайд 6

Описание слайда:

4. Наиболее прочные связи образуются при использовании комплексообразователем своих d–орбиталей. 4. Наиболее прочные связи образуются при использовании комплексообразователем своих d–орбиталей. Типичные комплексообразователи - элементы, у которых d–орбитали заполнены электронами не полностью.

Слайд 7

Описание слайда:

Возможны октаэдрические комплексы: Возможны октаэдрические комплексы: внутриорбитальные (d2sp3); внешнеорбитальные (sp3d2);

Слайд 8

Описание слайда:

Электронное строения атома кобальта: Электронное строения атома кобальта: При образовании иона Со3+ освобождается 4s-орбиталь, а на 3d-орбитали остается 6 валентных электронов: Со3+

Слайд 9

Описание слайда:

1. Лиганды, создающие сильное поле, могут влиять на комплексообразователь. Электроны Ц.А. могут спариваться и освобождать две 3d-орбитали, которые заселяются электронными парами лигандов (внутриорбитальная гибридизация). NH3 – создает сильное поле.

Слайд 10

Описание слайда:

Все валентные электроны спарены. Комплекс [Co(NH3)6]3+ - диамагнитный, что согласуется с экспериментом.

Слайд 11

Описание слайда:

2. Если лиганды недостаточно активны и спаривания электронов на внутренних d-орбиталях не происходит, то в гибридизации участвуют внешние d-орбитали (sp3d2): 2. Если лиганды недостаточно активны и спаривания электронов на внутренних d-орбиталях не происходит, то в гибридизации участвуют внешние d-орбитали (sp3d2): F– - создает слабое поле Четыре электрона иона кобальта неспарены, комплекс - парамагнитен.

Слайд 12

Описание слайда:

3. Если комплексообразователь при спаривании валентных электронов на внутренних d-орбиталях может освободить только одну квантовую ячейку, то d2sp3-гибридизация осуществиться не может. 3. Если комплексообразователь при спаривании валентных электронов на внутренних d-орбиталях может освободить только одну квантовую ячейку, то d2sp3-гибридизация осуществиться не может.

Слайд 13

Описание слайда:

В этом случае имеет место dsp2-гибридизация и комплексный ион имеет квадратное строение с к.ч.= 4: В этом случае имеет место dsp2-гибридизация и комплексный ион имеет квадратное строение с к.ч.= 4:

Слайд 14

Описание слайда:

4. В сочетании с другими лигандами у Ni2+ может осуществиться тип гибридизации – sp3, что соответствует тетраэдрической координации: 4. В сочетании с другими лигандами у Ni2+ может осуществиться тип гибридизации – sp3, что соответствует тетраэдрической координации:

Слайд 15

Описание слайда:

Теория валентных связей Теория валентных связей

Слайд 16

Описание слайда:

Недостатки метода ВС: Недостатки метода ВС: Не объясняет и не предсказывает оптические свойства (цветность). Не объясняет силу лигандов, т.е. способность их спаривать или не спаривать орбитали комплексообразователя. Не позволяет определить конкуренцию между тетраэдрическими и квадратными комплексами.

Слайд 17

Описание слайда:

2. Теория кристаллического поля 2. Теория кристаллического поля Химическая связь между комплек-сообразователем и лигандами ионная или иондипольная. Лиганды считаются точечными электрическими зарядами, не имеющими пространственной структуры. Комплексообразователь рассматривается как квантовохимическая система, состоящая из ядра и электронов.

Слайд 18

Описание слайда:

Октаэдрическое поле Октаэдрическое поле Вырожденный уровень d–состояний под действием поля лигандов расщепляется:

Слайд 19

Описание слайда:

Октаэдрическое окружение

Слайд 20

Описание слайда:

4. В результате взаимодействия d–орбиталей комплексообразователей с лигандами происходит их расщепление в кристаллическом поле: 4. В результате взаимодействия d–орбиталей комплексообразователей с лигандами происходит их расщепление в кристаллическом поле: октаэдрическое окружение высокоспиновый низкоспиновый комплекс комплекс (парамагнитный) (диамагнитный)

Слайд 21

Описание слайда:

Тетраэдрическое поле Вырожденный уровень d–состояний под действием поля лигандов расщепляется:

Слайд 22

Описание слайда:

Тетраэдрическое окружение

Слайд 23

Описание слайда:

5. Значение энергии расщепления (∆) тем больше, чем сильнее воздействие лиганда. 5. Значение энергии расщепления (∆) тем больше, чем сильнее воздействие лиганда. В спектрохимическом ряду лиганды расположены в порядке убывания воздействия на ион d-элемента: CО>CN->NO2->NH3>NCS->H2O>F->OH->Cl->Br->I-

Слайд 24

Описание слайда:

6. Заполнение орбиталей происходит в соответствии с правилом Хунда: 6. Заполнение орбиталей происходит в соответствии с правилом Хунда: а) если имеются лиганды со слабым расщепляющим воздействием (создают слабое поле), то электроны заполняют все орбитали по одному. б) в комплексах с лигандами с большим расщепляющим воздействием (создают сильное поле) сначала заполняются электронами орбитали с меньшей энергией:

Слайд 25

Описание слайда:

Сильное и слабое поле

Слайд 26

Описание слайда:

Окраску комплексов теория кристаллического поля объясняет поглощением света комплексными соединениями, при котором происходит переход электронов в возбужденного состояние. Окраску комплексов теория кристаллического поля объясняет поглощением света комплексными соединениями, при котором происходит переход электронов в возбужденного состояние. Поглощается квант света, энергия которого равна параметру расщепления: Δ=hν

Слайд 27

Описание слайда:

Окраска комплексов

Слайд 28

Описание слайда:

Теория кристаллического поля Теория кристаллического поля

Слайд 29

Описание слайда:

3. Метод молекулярных орбиталей 3. Метод молекулярных орбиталей 1. В ММО учитывается детальная электронная структура не только комплексообразователя, но и лигандов. 2. Комплекс рассматривается как единая квантово-механическая система, в которой отдельные атомы и молекулы теряют свои индивидуальные черты. 3. Валентные электроны системы располагаются на многоцентровых МО, охватывающих ядра комплексообразователя и всех лигандов, входящих в состав комплекса.