🗊Презентация Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Транзисторами называются полупроводниковые электронные приборы , предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов

Классификация транзисторов по основному полупроводниковому материалу Германиевые Germanium (Ge), 32 Кремниевые Silicium (Si), 14 Арсенид-галлиевые (GaAs) химическое соединение галлия и мышьяка

Классификация транзисторов по принципу действия биполярные полевые (униполярные)

Классификация транзисторов по частоте НЧ (<3 МГц) СрЧ (3 - 30 МГц) ВЧ и СВЧ (>30 МГц)

Классификация транзисторов по мощности ММ (<0,3 Вт) маломощные транзисторы СрМ (0,3 - 3Вт) средней мощности М (>3 Вт) мощные

Устройство и принцип действия биполярных транзисторов n-p-n p-n-p

Действие биполярного транзистора (БТ) основано на использовании носителей зарядов обоих знаков: дырок и электронов. Действие биполярного транзистора (БТ) основано на использовании носителей зарядов обоих знаков: дырок и электронов. Управление протекающим через БТ током осуществляется с помощью другого управляющего тока. БТ управляется током .

Режимы работы биполярного транзистора 1. активный режим «эмиттер-база» открыт, «коллектор-база» закрыт 2. инверсный режим «эмиттер- база» закрыт, «коллектор - база» открыт 3. режим насыщения «эмиттер - база» закрыт, «коллектор - база» открыт 4. режим отсечки «эмиттер – база» закрыт, «коллектор - база» закрыт

Тиристоры Тиристоры — полупроводниковые приборы с тремя (или более) р-n переходами, которые имеют два устойчивых состояния и применяются как мощные электронные ключи. Закрытое состояние - состояние низкой проводимости Открытое состояние -состояние высокой проводимости

Тиристоры

Динисторы применяются в виде бесконтактных переключательных устройств.

Принцип действия. Основные носители зарядов переходят из анода в базу 1, а из катода – в базу 2, где они становятся неосновными и в базах происходит интенсивная рекомбинация зарядов, в результате которой количество свободных носителей зарядов уменьшается. Эти носители заряда подходят к коллекторному переходу, поле которых для них будет ускоряющим, затем проходят базу и переходят через открытый эмиттерный переход, т. к. в базах они опять становятся основными. Пройдя эмиттерные переходы, электроны переходят в анод, а дырки – в катод, где они вторично становятся неосновными и вторично происходит интенсивная рекомбинация. В результате количество зарядов, прошедших через динистор, будет очень мало и прямой ток также будет очень мал. При увеличении напряжения прямой ток незначительно возрастает, т. к. увеличивается скорость движения носителей, а интенсивность рекомбинации уменьшается. При увеличении напряжения до определённой величины происходит электрический пробой коллекторного перехода. Сопротивление динистора резко уменьшается, ток через него сильно увеличивается и падение напряжения на нём значительно уменьшается - динистор перешёл из выключенного состояния во включённое.

Параметры тиристоров КУ203

Штыревой кремниевый тиристор

Корейские ученые создали нанотранзистор Транзистор состоит из шести атомов углерода, помещенных между двумя золотыми электродами. Такой транзистор позволит уменьшить размер микросхем, тем самым повысив их производительность, и снизить энергопотребление. Из собранных образцов рабочими оказываются лишь 15%.Пока нет технологии, позволяющей строить микросхемы с использованием таких транзисторов.

CХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой. 1. Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой. 2. Схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором. 3. Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером.

1.Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой (ОБ)

2. Схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель)

3. Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером (ОЭ)

Сводная таблица параметров схем включения биполярных транзисторов

Полевые транзисторы

1.Назначение и классификация полевых транзисторов. 1.Назначение и классификация полевых транзисторов. 2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом . 3.Полевые транзисторы с изолированным затвором.

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, имеющий три электрода: Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, имеющий три электрода: исток, сток и затвор, в котором ток создается только основными носителями заряда. Управление током осуществляется электрическим полем, которое создается приложением напряжения к управляющему электроду.

1.Назначение и классификация полевых транзисторов.

МДП – транзисторы делятся на два вида МДП – транзисторы делятся на два вида -с индуцированным каналом - со встроенным каналом. в МОП–транзисторах (металл-окисел-полупроводник) в качестве диэлектрика используются оксиды, например, SiО2

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Предельные режимы Параметр Величина UСИ МАКС, В 3.5 UЗИ МАКС, В –2.5 UЗС МАКС, В –6.0 Р МАКС, мВт 35 Т, град С –60 +85

Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) МОП-транзисторы (металл-окисел-полупроводник

МНОП – транзистор с плавающим затвором М - металл, Н – сплав HSi3N4, О – оксид металла, П – полупроводник Принцип действия этих транзисторов основан на том, что в сильных электрических полях электроны могут проникать в диэлектрик на глубину до 1мкм.

Разработан полевой транзистором (FET) с двойным плавающим затвором на основе аморфного полупроводника индий- галлий- цинк-оксид . Хранит данные в виде электрического заряда, позволит создавать на его базе ячейки памяти, размером в 16 нм.

Транзисторы на углеродных нанотрубках

Параметры МОП- транзисторов