Биполярные транзисторы - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Биполярные транзисторы. Доклад-сообщение содержит 48 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Биполярные транзисторы

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Слайд 4

Описание слайда:

Транзисторами называются полупроводниковые электронные приборы , предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов

Слайд 5

Описание слайда:

Слайд 6

Описание слайда:

Слайд 7

Описание слайда:

Классификация транзисторов по основному полупроводниковому материалу Германиевые Germanium (Ge), 32 Кремниевые Silicium (Si), 14 Арсенид-галлиевые (GaAs) химическое соединение галлия и мышьяка

Слайд 8

Описание слайда:

Классификация транзисторов по принципу действия биполярные полевые (униполярные)

Слайд 9

Описание слайда:

Классификация транзисторов по частоте НЧ (30 МГц)

Слайд 10

Описание слайда:

Классификация транзисторов по мощности ММ (3 Вт) мощные

Слайд 11

Описание слайда:

Устройство и принцип действия биполярных транзисторов n-p-n p-n-p

Слайд 12

Описание слайда:

Действие биполярного транзистора (БТ) основано на использовании носителей зарядов обоих знаков: дырок и электронов. Действие биполярного транзистора (БТ) основано на использовании носителей зарядов обоих знаков: дырок и электронов. Управление протекающим через БТ током осуществляется с помощью другого управляющего тока. БТ управляется током .

Слайд 13

Описание слайда:

Слайд 14

Описание слайда:

Слайд 15

Описание слайда:

Режимы работы биполярного транзистора 1. активный режим «эмиттер-база» открыт, «коллектор-база» закрыт 2. инверсный режим «эмиттер- база» закрыт, «коллектор - база» открыт 3. режим насыщения «эмиттер - база» закрыт, «коллектор - база» открыт 4. режим отсечки «эмиттер – база» закрыт, «коллектор - база» закрыт

Слайд 16

Описание слайда:

Тиристоры Тиристоры — полупроводниковые приборы с тремя (или более) р-n переходами, которые имеют два устойчивых состояния и применяются как мощные электронные ключи. Закрытое состояние - состояние низкой проводимости Открытое состояние -состояние высокой проводимости

Слайд 17

Описание слайда:

Тиристоры

Слайд 18

Описание слайда:

Слайд 19

Описание слайда:

Динисторы применяются в виде бесконтактных переключательных устройств.

Слайд 20

Описание слайда:

Принцип действия. Основные носители зарядов переходят из анода в базу 1, а из катода – в базу 2, где они становятся неосновными и в базах происходит интенсивная рекомбинация зарядов, в результате которой количество свободных носителей зарядов уменьшается. Эти носители заряда подходят к коллекторному переходу, поле которых для них будет ускоряющим, затем проходят базу и переходят через открытый эмиттерный переход, т. к. в базах они опять становятся основными. Пройдя эмиттерные переходы, электроны переходят в анод, а дырки – в катод, где они вторично становятся неосновными и вторично происходит интенсивная рекомбинация. В результате количество зарядов, прошедших через динистор, будет очень мало и прямой ток также будет очень мал. При увеличении напряжения прямой ток незначительно возрастает, т. к. увеличивается скорость движения носителей, а интенсивность рекомбинации уменьшается. При увеличении напряжения до определённой величины происходит электрический пробой коллекторного перехода. Сопротивление динистора резко уменьшается, ток через него сильно увеличивается и падение напряжения на нём значительно уменьшается - динистор перешёл из выключенного состояния во включённое.

Слайд 21

Описание слайда:

Слайд 22

Описание слайда:

Слайд 23

Описание слайда:

Параметры тиристоров КУ203

Слайд 24

Описание слайда:

Слайд 25

Описание слайда:

Штыревой кремниевый тиристор

Слайд 26

Описание слайда:

Корейские ученые создали нанотранзистор Транзистор состоит из шести атомов углерода, помещенных между двумя золотыми электродами. Такой транзистор позволит уменьшить размер микросхем, тем самым повысив их производительность, и снизить энергопотребление. Из собранных образцов рабочими оказываются лишь 15%.Пока нет технологии, позволяющей строить микросхемы с использованием таких транзисторов.

Слайд 27

Описание слайда:

CХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Слайд 28

Описание слайда:

1. Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой. 1. Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой. 2. Схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором. 3. Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером.

Слайд 29

Описание слайда:

1.Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой (ОБ)

Слайд 30

Описание слайда:

2. Схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель)

Слайд 31

Описание слайда:

3. Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером (ОЭ)

Слайд 32

Описание слайда:

Сводная таблица параметров схем включения биполярных транзисторов

Слайд 33

Описание слайда:

Полевые транзисторы

Слайд 34

Описание слайда:

1.Назначение и классификация полевых транзисторов. 1.Назначение и классификация полевых транзисторов. 2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом . 3.Полевые транзисторы с изолированным затвором.

Слайд 35

Описание слайда:

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, имеющий три электрода: Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, имеющий три электрода: исток, сток и затвор, в котором ток создается только основными носителями заряда. Управление током осуществляется электрическим полем, которое создается приложением напряжения к управляющему электроду.

Слайд 36

Описание слайда:

1.Назначение и классификация полевых транзисторов.

Слайд 37

Описание слайда:

МДП – транзисторы делятся на два вида МДП – транзисторы делятся на два вида -с индуцированным каналом - со встроенным каналом. в МОП–транзисторах (металл-окисел-полупроводник) в качестве диэлектрика используются оксиды, например, SiО2

Слайд 38

Описание слайда:

Слайд 39

Описание слайда:

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Слайд 40

Описание слайда:

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Слайд 41

Описание слайда:

Предельные режимы Параметр Величина UСИ МАКС, В 3.5 UЗИ МАКС, В –2.5 UЗС МАКС, В –6.0 Р МАКС, мВт 35 Т, град С –60 +85

Слайд 42

Описание слайда:

Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) МОП-транзисторы (металл-окисел-полупроводник

Слайд 43

Описание слайда:

Слайд 44

Описание слайда:

МНОП – транзистор с плавающим затвором М - металл, Н – сплав HSi3N4, О – оксид металла, П – полупроводник Принцип действия этих транзисторов основан на том, что в сильных электрических полях электроны могут проникать в диэлектрик на глубину до 1мкм.

Слайд 45

Описание слайда:

Разработан полевой транзистором (FET) с двойным плавающим затвором на основе аморфного полупроводника индий- галлий- цинк-оксид . Хранит данные в виде электрического заряда, позволит создавать на его базе ячейки памяти, размером в 16 нм.