🗊 Презентация Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация

Категория: Технология

Нажмите для полного просмотра!

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №1

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №2

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №3

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №4

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №5

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №6

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №7

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №8

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №9

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №10

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №11

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №12

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №13

Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация, слайд №14

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация. Доклад-сообщение содержит 14 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Глава 4. Полевые транзисторы 4.1. Основные сведения и классификация

Слайд 2

Описание слайда:

4.2. Устройство и принцип действия и ВАХ полевого транзистора с электронно-дырочным переходом

Слайд 3

Описание слайда:

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

Слайд 4

Описание слайда:

Статические характеристики полевого транзистора с р-п переходом

Слайд 5

Описание слайда:

Слайд 6

Описание слайда:

4.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП- или МОП-транзистор представляет собой прибор, в котором металлический затвор изолирован слоем диэлектрика от канала, образованного в приповерхностном слое полупроводника. Принцип действия МДП транзистора основан на управлении пространственным зарядом полупроводника через слой диэлектрика. Различают МДП-транзисторы с индуцированным и со встроенным каналом. В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между истоком и стоком индуцируется (наводится) управляющим напряжением затвора. В этих транзисторах при разности потенциалов между истоком и затвором, равной нулю, электропроводность между стоком и истоком практически отсутствует.