🗊Сплавы Лекция 2

Категория: Химия
Нажмите для полного просмотра!
Сплавы  Лекция 2, слайд №1Сплавы  Лекция 2, слайд №2Сплавы  Лекция 2, слайд №3Сплавы  Лекция 2, слайд №4Сплавы  Лекция 2, слайд №5Сплавы  Лекция 2, слайд №6Сплавы  Лекция 2, слайд №7Сплавы  Лекция 2, слайд №8Сплавы  Лекция 2, слайд №9Сплавы  Лекция 2, слайд №10Сплавы  Лекция 2, слайд №11Сплавы  Лекция 2, слайд №12Сплавы  Лекция 2, слайд №13Сплавы  Лекция 2, слайд №14Сплавы  Лекция 2, слайд №15Сплавы  Лекция 2, слайд №16Сплавы  Лекция 2, слайд №17Сплавы  Лекция 2, слайд №18

Вы можете ознакомиться и скачать Сплавы Лекция 2. Презентация содержит 18 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Сплавы
Лекция 2
Описание слайда:
Сплавы Лекция 2

Слайд 2





Неупорядоченные сплавы
Примесные атомы вместе с атомами кристалла (матрицы) образуют твердые растворы или сплавы. Различают два основных типа сплавов. 
Сплав замещения – в этом случае примесь занимает узлы самой решетки.  При этом считается, что примесные атомы должны быть близки по размерам к атомам матрицы. Только при выполнении этого условия примесь может заместить атомы кристалла.
Cплав внедрения образуется примесью, которая  попадает в междоузельные положения кристалла. Обычно сплавы внедрения образуются легкими примесями: H, B, C, S, N. Например, сталь – раствор в железе углерода с концентрацией до 2%.
Помимо указанных выше двух типов однородных твердых растворов (сплавов) существует также третий тип – растворы вычитания. 
Рассмотрим первый тип свплавов – раствор замещения. 
	Атомы двух сортов занимают узлы единой кристаллической решетки. Пусть структура состоит из N узлов и NА – число атомов типа А. 
	В неупорядоченных растворах замещения вероятность занятия произвольного узла для атомов каждого сорта пропорциональна концентрации CA=NA / N  и не зависит от узла и его окружения соседей. Заселение узлов происходит по случайному закону (здесь использовано приближение отсутствия корреляций, случайная засыпка). При этом трансляционная инвариантность будет нарушена, в системе реализуется ячеистый беспорядок.
Описание слайда:
Неупорядоченные сплавы Примесные атомы вместе с атомами кристалла (матрицы) образуют твердые растворы или сплавы. Различают два основных типа сплавов. Сплав замещения – в этом случае примесь занимает узлы самой решетки. При этом считается, что примесные атомы должны быть близки по размерам к атомам матрицы. Только при выполнении этого условия примесь может заместить атомы кристалла. Cплав внедрения образуется примесью, которая попадает в междоузельные положения кристалла. Обычно сплавы внедрения образуются легкими примесями: H, B, C, S, N. Например, сталь – раствор в железе углерода с концентрацией до 2%. Помимо указанных выше двух типов однородных твердых растворов (сплавов) существует также третий тип – растворы вычитания. Рассмотрим первый тип свплавов – раствор замещения. Атомы двух сортов занимают узлы единой кристаллической решетки. Пусть структура состоит из N узлов и NА – число атомов типа А. В неупорядоченных растворах замещения вероятность занятия произвольного узла для атомов каждого сорта пропорциональна концентрации CA=NA / N и не зависит от узла и его окружения соседей. Заселение узлов происходит по случайному закону (здесь использовано приближение отсутствия корреляций, случайная засыпка). При этом трансляционная инвариантность будет нарушена, в системе реализуется ячеистый беспорядок.

Слайд 3





Упорядоченные сплавы
 
ТИПЫ РЕШЕТОК С УПОРЯДОЧЕНИЕМ
Описание слайда:
Упорядоченные сплавы ТИПЫ РЕШЕТОК С УПОРЯДОЧЕНИЕМ

Слайд 4





Сверхпроводящие упорядоченные интерметаллиды и ВТСП
Описание слайда:
Сверхпроводящие упорядоченные интерметаллиды и ВТСП

Слайд 5


Сплавы  Лекция 2, слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6





Антисайт в упорядоченном  сплаве CuZn
Описание слайда:
Антисайт в упорядоченном сплаве CuZn

Слайд 7





	Сплавы замещения –
	Сплавы замещения –
Упорядочение в сплавах замещения тесно связано со стехиометрическим соотношением компонент. Только стехиометрический состав может перейти во вполне упорядоченное состояние без геометрических искажений. При охлаждении упорядочивающегося сплава А-В ниже температуры упорядочения в разных местах образца возникают центры зарождения упорядоченной фазы. Вырастая, они заполняют весь сплав. При этом в разных таких центрах, узлами законными для атомов А, могут стать узлы различных подрешеток. В результате сплав будет разбит на области или домены, называемые «антифазными» доменами.
	Сплавы внедрения – реализуются обычно для систем с атомами, сильно различающимися по размерам (!!!). В кристалле каждая ячейка оказывается искаженной, таким образом, в системе возникает топологический беспорядок. При полном заполнении междоузельного пространства искажения исчезают, но возникающая решетка может иметь другие параметры. Однако и при неполном заполнении возможно пространственное упорядочение на междоузельных положениях.
	Растворы вычитания. Характерным здесь является наличие пустых узлов (вакансий), которые появляются не в результате термического или внешнего воздействии, а являются структурными элементами кристаллической решетки.
Описание слайда:
Сплавы замещения – Сплавы замещения – Упорядочение в сплавах замещения тесно связано со стехиометрическим соотношением компонент. Только стехиометрический состав может перейти во вполне упорядоченное состояние без геометрических искажений. При охлаждении упорядочивающегося сплава А-В ниже температуры упорядочения в разных местах образца возникают центры зарождения упорядоченной фазы. Вырастая, они заполняют весь сплав. При этом в разных таких центрах, узлами законными для атомов А, могут стать узлы различных подрешеток. В результате сплав будет разбит на области или домены, называемые «антифазными» доменами. Сплавы внедрения – реализуются обычно для систем с атомами, сильно различающимися по размерам (!!!). В кристалле каждая ячейка оказывается искаженной, таким образом, в системе возникает топологический беспорядок. При полном заполнении междоузельного пространства искажения исчезают, но возникающая решетка может иметь другие параметры. Однако и при неполном заполнении возможно пространственное упорядочение на междоузельных положениях. Растворы вычитания. Характерным здесь является наличие пустых узлов (вакансий), которые появляются не в результате термического или внешнего воздействии, а являются структурными элементами кристаллической решетки.

Слайд 8





	При температуре равной нулю концентрация равновесных дефектов кристалла должна стремиться к нулю,           . С ростом температуры возникают дефекты (за счет теплового возбуждения), со временем их концентрация выходит на значение, соответствующее равновесию при данной температуре. С понижением температуры концентрация дефектов уменьшается, однако и процессы релаксации резко замедляются, поэтому при низких температурах кристалл достаточно долго может содержать определенное количество неравновесных дефектов.
	При температуре равной нулю концентрация равновесных дефектов кристалла должна стремиться к нулю,           . С ростом температуры возникают дефекты (за счет теплового возбуждения), со временем их концентрация выходит на значение, соответствующее равновесию при данной температуре. С понижением температуры концентрация дефектов уменьшается, однако и процессы релаксации резко замедляются, поэтому при низких температурах кристалл достаточно долго может содержать определенное количество неравновесных дефектов.
Качественные температурные зависимости концентрации и времени жизни равновесных дефектов
Описание слайда:
При температуре равной нулю концентрация равновесных дефектов кристалла должна стремиться к нулю, . С ростом температуры возникают дефекты (за счет теплового возбуждения), со временем их концентрация выходит на значение, соответствующее равновесию при данной температуре. С понижением температуры концентрация дефектов уменьшается, однако и процессы релаксации резко замедляются, поэтому при низких температурах кристалл достаточно долго может содержать определенное количество неравновесных дефектов. При температуре равной нулю концентрация равновесных дефектов кристалла должна стремиться к нулю, . С ростом температуры возникают дефекты (за счет теплового возбуждения), со временем их концентрация выходит на значение, соответствующее равновесию при данной температуре. С понижением температуры концентрация дефектов уменьшается, однако и процессы релаксации резко замедляются, поэтому при низких температурах кристалл достаточно долго может содержать определенное количество неравновесных дефектов. Качественные температурные зависимости концентрации и времени жизни равновесных дефектов

Слайд 9





Существует множество процессов, при которых возникают точечные дефекты. Большинству прямых процессов рождения можно сопоставить обратные процессы рекомбинации.
Существует множество процессов, при которых возникают точечные дефекты. Большинству прямых процессов рождения можно сопоставить обратные процессы рекомбинации.
В кристаллах возможны следующие процессы рождения дефектов:
Под воздействием тепловых колебаний решетки существует вероятность выброса атома из узла решетки. Образуется вакансия и междоузлие – пара Френкеля. Как отмечалось, если эти дефекты находятся внутри рекомбинационного объема, они рекомбинируют (атом сваливается обратно в узел) – «мигающие» коррелированные пары. 
Возможно также и рождение дефектов с поверхности.  Этот процесс допускает неравенство концентраций точечных дефектов при условии сохранения числа атомов в системе.
Описание слайда:
Существует множество процессов, при которых возникают точечные дефекты. Большинству прямых процессов рождения можно сопоставить обратные процессы рекомбинации. Существует множество процессов, при которых возникают точечные дефекты. Большинству прямых процессов рождения можно сопоставить обратные процессы рекомбинации. В кристаллах возможны следующие процессы рождения дефектов: Под воздействием тепловых колебаний решетки существует вероятность выброса атома из узла решетки. Образуется вакансия и междоузлие – пара Френкеля. Как отмечалось, если эти дефекты находятся внутри рекомбинационного объема, они рекомбинируют (атом сваливается обратно в узел) – «мигающие» коррелированные пары. Возможно также и рождение дефектов с поверхности. Этот процесс допускает неравенство концентраций точечных дефектов при условии сохранения числа атомов в системе.

Слайд 10





      В описанных выше механизмах рождения дефектов речь шла о термоактивированных процессах. Появляющиеся в этих процессах дефекты оказываются равновесными. Помимо равновесных дефектов в кристалле могут возникать также и неравновесные дефекты. Приведем некоторые возможные способы создания неравновесных дефектов:
      В описанных выше механизмах рождения дефектов речь шла о термоактивированных процессах. Появляющиеся в этих процессах дефекты оказываются равновесными. Помимо равновесных дефектов в кристалле могут возникать также и неравновесные дефекты. Приведем некоторые возможные способы создания неравновесных дефектов:
	- закалка (резкое изменение температуры);
	- пластическая деформация (перемещение дислокаций);
	- рождение дефектов под действием излучения.
   
  Обратные процессы:
	- рекомбинация между точечными дефектами противоположного типа при их миграции;
	- выход на сток, в том числе на дислокации и на поверхность; 
	- образование кластеров из дефектов одного типа (конденсация).
Описание слайда:
В описанных выше механизмах рождения дефектов речь шла о термоактивированных процессах. Появляющиеся в этих процессах дефекты оказываются равновесными. Помимо равновесных дефектов в кристалле могут возникать также и неравновесные дефекты. Приведем некоторые возможные способы создания неравновесных дефектов: В описанных выше механизмах рождения дефектов речь шла о термоактивированных процессах. Появляющиеся в этих процессах дефекты оказываются равновесными. Помимо равновесных дефектов в кристалле могут возникать также и неравновесные дефекты. Приведем некоторые возможные способы создания неравновесных дефектов: - закалка (резкое изменение температуры); - пластическая деформация (перемещение дислокаций); - рождение дефектов под действием излучения. Обратные процессы: - рекомбинация между точечными дефектами противоположного типа при их миграции; - выход на сток, в том числе на дислокации и на поверхность; - образование кластеров из дефектов одного типа (конденсация).

Слайд 11





Упорядочивающиеся сплавы
	В упорядочивающихся сплавах появляется новый тип дефектов – антисайт. В кристалле упорядочивающегося сплава из двух сортов атомов AmBn существуют две подрешетки, заселенные соответственно атомами А и В.  
	С ростом температуры атомы другого сорта появляются не на своей подрешетке. Их предельная концентрация может быть достаточно большой – порядка долей единицы.
	Упорядочивающийся сплав – двух компонентный кристалл, обладающий следующими свойствами равновесного состояния:
	- При температуре равной нулю бинарная структура состоит из двух подрешеток, на каждой из которой свой тип атомов, следовательно, в системе реализуется полное упорядочение.
	- При высоких температурах наблюдается полный беспорядок: атомы распределены хаотически.
	- Остатки порядка сохраняются в промежуточном состоянии. В промежуточном состоянии только часть подрешетки заселена своими атомами. “Чужие” атомы – антисайты создают ячеистый беспорядок.
Описание слайда:
Упорядочивающиеся сплавы В упорядочивающихся сплавах появляется новый тип дефектов – антисайт. В кристалле упорядочивающегося сплава из двух сортов атомов AmBn существуют две подрешетки, заселенные соответственно атомами А и В. С ростом температуры атомы другого сорта появляются не на своей подрешетке. Их предельная концентрация может быть достаточно большой – порядка долей единицы. Упорядочивающийся сплав – двух компонентный кристалл, обладающий следующими свойствами равновесного состояния: - При температуре равной нулю бинарная структура состоит из двух подрешеток, на каждой из которой свой тип атомов, следовательно, в системе реализуется полное упорядочение. - При высоких температурах наблюдается полный беспорядок: атомы распределены хаотически. - Остатки порядка сохраняются в промежуточном состоянии. В промежуточном состоянии только часть подрешетки заселена своими атомами. “Чужие” атомы – антисайты создают ячеистый беспорядок.

Слайд 12


Сплавы  Лекция 2, слайд №12
Описание слайда:

Слайд 13


Сплавы  Лекция 2, слайд №13
Описание слайда:

Слайд 14


Сплавы  Лекция 2, слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15





Равновесная концентрация точечных дефектов в простых веществах
Описание слайда:
Равновесная концентрация точечных дефектов в простых веществах

Слайд 16





Равновесная концентрация точечных дефектов в простых веществах
Описание слайда:
Равновесная концентрация точечных дефектов в простых веществах

Слайд 17





ДЗ
Описание слайда:
ДЗ

Слайд 18





Пространственная неоднородность и  зависимость от времени распределения
Описание слайда:
Пространственная неоднородность и зависимость от времени распределения



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию