Ionimplantáció. Monolit technika előadás - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №1

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №2

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №3

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №4

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №5

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №6

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №7

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №8

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №9

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №10

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №11

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №12

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №13

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №14

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №15

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №16

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №17

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №18

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №19

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №20

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №21

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №22

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №23

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №24

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №25

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №26

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №27

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №28

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №29

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №30

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №31

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №32

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №33

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №34

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №35

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №36

Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №37

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Ionimplantáció. Monolit technika előadás. Доклад-сообщение содержит 37 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Ionimplantáció

Слайд 2

Описание слайда:

Ionimplantáció alapok Alapelv: A kívánt adalék atomokat felgyorsított ionokként (B+, P+, As+) bombázzuk a félvezető szelet felszíni, felszín közeli rétegeibe Vákuum technológia Mind rétegnövelő, mind rétegalakító művelet A diffúzióval szemben az ionimplantáció erősen nem egyensúlyi folyamat (pár keV-MeV a becsapódó ion energiája) Diffúzió energiája : , amely 1200°C-on 0,1eV

Слайд 3

Описание слайда:

Az ionimplanter felépítése I.

Слайд 4

Описание слайда:

Az ionimplanter felépítése II.

Слайд 5

Описание слайда:

Az ionimplanter felépítése III. A becsapódó ion energiája jól szabályozható a gyorsító feszültséggel (keV-MeV) Mágneses térrel hangolható m/q szelekció, ez igen tiszta technológiát tesz lehetővé Az ion-nyaláb képes végigpásztázni a hordozó felületét A target-tartó vákuum zsilipben helyezkedik el, hogy ne kelljen szelet cserénél újra leszívni az ultra nagy vákuumot (UHV)

Слайд 6

Описание слайда:

Слайд 7

Описание слайда:

Tömegszeparátor A mágneses tér és az ionok sebességvektora merőlegesek egymásra -> az ionok körpályára kerülnek A kör sugara függ az ion tömegétől

Слайд 8

Описание слайда:

Belőtt ionok és a szubsztrát kölcsönhatása Az ionimplantáció porlasztással jár kis és közepes energiák esetén is (egy belépő ionra 5-10 porlasztott ion jut) Ez nagyobb dózisok és energiák esetén egyensúlyba kerülhet a részecskeárammal A belépő ionok fékeződését a Coulomb-erők okozzák Kétféle mechanizmus: Elektronfékeződés Nukleáris fékeződés

Слайд 9

Описание слайда:

Elektronfékeződés Belépő ionok és a szubsztrát atomjainak elektronfelhői közti kölcsönhatás A fékeződés mechanizmusa az ion pillanatnyi energiájától függ Ez dominál nagyobb (1 MeV-100 keV) energiákon „Rugalmatlan” folyamatok, azaz az ionok kinetikus energiája fény-, röntgensugárzás formájában emésztődik fel Polarizálja a rácsot, de kevés, zömmel ponthibát kelt csak

Слайд 10

Описание слайда:

Nukleáris fékeződés Kisebb energiákon a magok közti Coulomb kölcsönhatás dominál „Rugalmas” ütközés, azaz képes rácsatomokat kiütni a helyéről Ez az energiaátadás vezet rácshibák keletkezéséhez

Слайд 11

Описание слайда:

Fékező hatások összehasonlítása

Слайд 12

Описание слайда:

Becsapódás R – az ion által megtett út Rp – a hordozó felületétől való távolság R függ a belőtt anyag rendszámától Nagy rendszámú anyagba kis rendszámú lövedék: R>>Rp

Слайд 13

Описание слайда:

Alapfogalmak Összes belőtt adalék: Dózis: Energia –> Gyorsító feszültség [eV]

Слайд 14

Описание слайда:

Adalékeloszlás A folyamatokat az implantált ion rendszáma a gyorsító energia és a szubsztrátot alkotó elem rendszáma befolyásolja A becsapódó ionok átlagos mélységben, normális eloszlás szerint kerülnek nyugalmi állapotba

Слайд 15

Описание слайда:

Rp és Rp meghatározása I. LSS elmélet (Lindhard, Scharff, Schiøtt) Mitől áll meg az ion és hol?

Слайд 16

Описание слайда:

Rp és Rp meghatározása II.

Слайд 17

Описание слайда:

Bór ionok eloszlása Si hordozóban

Слайд 18

Описание слайда:

Csatorna hatás I.

Слайд 19

Описание слайда:

Csatorna hatás II.

Слайд 20

Описание слайда:

Csatorna hatás elkerülése A szelet pozicionálása (döntés és csavarás) Amorf vékony oxid réteg növesztése (200-250Å) A kristály amorffá tétele implantációval (Pl. Si implantálás Si hordozóba) A kirstály amorffá tétele nagy dózisú, nagy tömegű atomokkal (As)

Слайд 21

Описание слайда:

Слайд 22

Описание слайда:

Слайд 23

Описание слайда:

Hőkezelés Alkalmas az implantáció okozta roncsolás (kristályhibák) kijavítására Már 700-800°C-on is újra rendeződik az egykristály szerkezet A hőkezelésnek összhangban kell lennie az egyéb technológiai lépésekkel (Pl. ne indítson el egy diffúziós folyamatot)

Слайд 24

Описание слайда:

Maszkolás I.

Слайд 25

Описание слайда:

Maszkolás II. A legnagyobb koncentráció nem a felszínen van Következő lépésként diffúzióval beljebb hajthatjuk az adalékot

Слайд 26

Описание слайда:

Ionimplantáció félvezető-technológiai alkamazása

Слайд 27

Описание слайда:

Ionimplantáció félvezető-technológiai alkamazása

Слайд 28

Описание слайда:

Mellékjelenség: nem minden implantált atom aktív elektromosan

Слайд 29

Описание слайда:

Előnyök Nagyon pontos Kis oldalirányú szóródás Tömeg szeparáció lehetséges Utólag is lehetséges új réteg létrehozása Meredek adalékprofil hozható létre Alacsony hőmérsékleten végezhető A vákuum miatt igen tiszta eljárás Az egyensúlyi technológiákhoz képest nagyobb koncentráció is létrehozható

Слайд 30

Описание слайда:

Hátrányok A rácsszerkezet rongálódik Nehéz atomokkal csak sekély implantáció valósítható meg Alacsonyabb termelékenység, mint diffúzióval Drága, bonyolult berendezések Veszélyes üzemeltetés

Слайд 31

Описание слайда:

RBS spektroszkópia Rutherford backscattering Egy hordozóban különféle elemek meghatározása a mélység függvényében 2-4 MeV-os kis tömegű (He++) ionsugárral bombázzák a mintát Egy detektor összegyűjti a közel 180°-ban visszaverődő ionokat Ezeknek az energiája függ a kezdeti energiától, és a részecske tömegétől, amiről visszaverődtek Az energia mértéke, amit elnyel a vizsgált atom, a két részecske tömegének az arányától függ Meghatározhatjuk a minta kémiai összetételét