🗊Презентация Ionimplantáció. Monolit technika előadás

Категория: Химия
Нажмите для полного просмотра!
Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №1Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №2Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №3Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №4Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №5Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №6Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №7Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №8Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №9Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №10Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №11Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №12Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №13Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №14Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №15Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №16Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №17Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №18Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №19Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №20Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №21Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №22Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №23Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №24Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №25Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №26Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №27Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №28Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №29Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №30Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №31Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №32Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №33Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №34Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №35Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №36Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №37
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Ionimplantáció. Monolit technika előadás. Доклад-сообщение содержит 37 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Ionimplantáció
Описание слайда:
Ionimplantáció

Слайд 2


Ionimplantáció alapok Alapelv: A kívánt adalék atomokat felgyorsított ionokként (B+, P+, As+) bombázzuk a félvezető szelet felszíni, felszín közeli rétegeibe Vákuum technológia Mind rétegnövelő, mind rétegalakító művelet A diffúzióval szemben az ionimplantáció erősen nem egyensúlyi folyamat (pár keV-MeV a becsapódó ion energiája) Diffúzió energiája : , amely 1200°C-on 0,1eV
Описание слайда:
Ionimplantáció alapok Alapelv: A kívánt adalék atomokat felgyorsított ionokként (B+, P+, As+) bombázzuk a félvezető szelet felszíni, felszín közeli rétegeibe Vákuum technológia Mind rétegnövelő, mind rétegalakító művelet A diffúzióval szemben az ionimplantáció erősen nem egyensúlyi folyamat (pár keV-MeV a becsapódó ion energiája) Diffúzió energiája : , amely 1200°C-on 0,1eV

Слайд 3


Az ionimplanter felépítése I.
Описание слайда:
Az ionimplanter felépítése I.

Слайд 4


Az ionimplanter felépítése II.
Описание слайда:
Az ionimplanter felépítése II.

Слайд 5


Az ionimplanter felépítése III. A becsapódó ion energiája jól szabályozható a gyorsító feszültséggel (keV-MeV) Mágneses térrel hangolható m/q szelekció, ez igen tiszta technológiát tesz lehetővé Az ion-nyaláb képes végigpásztázni a hordozó felületét A target-tartó vákuum zsilipben helyezkedik el, hogy ne kelljen szelet cserénél újra leszívni az ultra nagy vákuumot (UHV)
Описание слайда:
Az ionimplanter felépítése III. A becsapódó ion energiája jól szabályozható a gyorsító feszültséggel (keV-MeV) Mágneses térrel hangolható m/q szelekció, ez igen tiszta technológiát tesz lehetővé Az ion-nyaláb képes végigpásztázni a hordozó felületét A target-tartó vákuum zsilipben helyezkedik el, hogy ne kelljen szelet cserénél újra leszívni az ultra nagy vákuumot (UHV)

Слайд 6


Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №6
Описание слайда:

Слайд 7


Tömegszeparátor A mágneses tér és az ionok sebességvektora merőlegesek egymásra -> az ionok körpályára kerülnek A kör sugara függ az ion tömegétől
Описание слайда:
Tömegszeparátor A mágneses tér és az ionok sebességvektora merőlegesek egymásra -> az ionok körpályára kerülnek A kör sugara függ az ion tömegétől

Слайд 8


Belőtt ionok és a szubsztrát kölcsönhatása Az ionimplantáció porlasztással jár kis és közepes energiák esetén is (egy belépő ionra 5-10 porlasztott ion jut) Ez nagyobb dózisok és energiák esetén egyensúlyba kerülhet a részecskeárammal A belépő ionok fékeződését a Coulomb-erők okozzák Kétféle mechanizmus: Elektronfékeződés Nukleáris fékeződés
Описание слайда:
Belőtt ionok és a szubsztrát kölcsönhatása Az ionimplantáció porlasztással jár kis és közepes energiák esetén is (egy belépő ionra 5-10 porlasztott ion jut) Ez nagyobb dózisok és energiák esetén egyensúlyba kerülhet a részecskeárammal A belépő ionok fékeződését a Coulomb-erők okozzák Kétféle mechanizmus: Elektronfékeződés Nukleáris fékeződés

Слайд 9


Elektronfékeződés Belépő ionok és a szubsztrát atomjainak elektronfelhői közti kölcsönhatás A fékeződés mechanizmusa az ion pillanatnyi energiájától függ Ez dominál nagyobb (1 MeV-100 keV) energiákon „Rugalmatlan” folyamatok, azaz az ionok kinetikus energiája fény-, röntgensugárzás formájában emésztődik fel Polarizálja a rácsot, de kevés, zömmel ponthibát kelt csak
Описание слайда:
Elektronfékeződés Belépő ionok és a szubsztrát atomjainak elektronfelhői közti kölcsönhatás A fékeződés mechanizmusa az ion pillanatnyi energiájától függ Ez dominál nagyobb (1 MeV-100 keV) energiákon „Rugalmatlan” folyamatok, azaz az ionok kinetikus energiája fény-, röntgensugárzás formájában emésztődik fel Polarizálja a rácsot, de kevés, zömmel ponthibát kelt csak

Слайд 10


Nukleáris fékeződés Kisebb energiákon a magok közti Coulomb kölcsönhatás dominál „Rugalmas” ütközés, azaz képes rácsatomokat kiütni a helyéről Ez az energiaátadás vezet rácshibák keletkezéséhez
Описание слайда:
Nukleáris fékeződés Kisebb energiákon a magok közti Coulomb kölcsönhatás dominál „Rugalmas” ütközés, azaz képes rácsatomokat kiütni a helyéről Ez az energiaátadás vezet rácshibák keletkezéséhez

Слайд 11


Fékező hatások összehasonlítása
Описание слайда:
Fékező hatások összehasonlítása

Слайд 12


Becsapódás R – az ion által megtett út Rp – a hordozó felületétől való távolság R függ a belőtt anyag rendszámától Nagy rendszámú anyagba kis rendszámú lövedék: R>>Rp
Описание слайда:
Becsapódás R – az ion által megtett út Rp – a hordozó felületétől való távolság R függ a belőtt anyag rendszámától Nagy rendszámú anyagba kis rendszámú lövedék: R>>Rp

Слайд 13


Alapfogalmak Összes belőtt adalék: Dózis: Energia –> Gyorsító feszültség [eV]
Описание слайда:
Alapfogalmak Összes belőtt adalék: Dózis: Energia –> Gyorsító feszültség [eV]

Слайд 14


Adalékeloszlás A folyamatokat az implantált ion rendszáma a gyorsító energia és a szubsztrátot alkotó elem rendszáma befolyásolja A becsapódó ionok átlagos mélységben, normális eloszlás szerint kerülnek nyugalmi állapotba
Описание слайда:
Adalékeloszlás A folyamatokat az implantált ion rendszáma a gyorsító energia és a szubsztrátot alkotó elem rendszáma befolyásolja A becsapódó ionok átlagos mélységben, normális eloszlás szerint kerülnek nyugalmi állapotba

Слайд 15


Rp és Rp meghatározása I. LSS elmélet (Lindhard, Scharff, Schiøtt) Mitől áll meg az ion és hol?
Описание слайда:
Rp és Rp meghatározása I. LSS elmélet (Lindhard, Scharff, Schiøtt) Mitől áll meg az ion és hol?

Слайд 16


Rp és Rp meghatározása II.
Описание слайда:
Rp és Rp meghatározása II.

Слайд 17


Bór ionok eloszlása Si hordozóban
Описание слайда:
Bór ionok eloszlása Si hordozóban

Слайд 18


Csatorna hatás I.
Описание слайда:
Csatorna hatás I.

Слайд 19


Csatorna hatás II.
Описание слайда:
Csatorna hatás II.

Слайд 20


Csatorna hatás elkerülése A szelet pozicionálása (döntés és csavarás) Amorf vékony oxid réteg növesztése (200-250Å) A kristály amorffá tétele implantációval (Pl. Si implantálás Si hordozóba) A kirstály amorffá tétele nagy dózisú, nagy tömegű atomokkal (As)
Описание слайда:
Csatorna hatás elkerülése A szelet pozicionálása (döntés és csavarás) Amorf vékony oxid réteg növesztése (200-250Å) A kristály amorffá tétele implantációval (Pl. Si implantálás Si hordozóba) A kirstály amorffá tétele nagy dózisú, nagy tömegű atomokkal (As)

Слайд 21


Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №21
Описание слайда:

Слайд 22


Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №22
Описание слайда:

Слайд 23


Hőkezelés Alkalmas az implantáció okozta roncsolás (kristályhibák) kijavítására Már 700-800°C-on is újra rendeződik az egykristály szerkezet A hőkezelésnek összhangban kell lennie az egyéb technológiai lépésekkel (Pl. ne indítson el egy diffúziós folyamatot)
Описание слайда:
Hőkezelés Alkalmas az implantáció okozta roncsolás (kristályhibák) kijavítására Már 700-800°C-on is újra rendeződik az egykristály szerkezet A hőkezelésnek összhangban kell lennie az egyéb technológiai lépésekkel (Pl. ne indítson el egy diffúziós folyamatot)

Слайд 24


Maszkolás I.
Описание слайда:
Maszkolás I.

Слайд 25


Maszkolás II. A legnagyobb koncentráció nem a felszínen van Következő lépésként diffúzióval beljebb hajthatjuk az adalékot
Описание слайда:
Maszkolás II. A legnagyobb koncentráció nem a felszínen van Következő lépésként diffúzióval beljebb hajthatjuk az adalékot

Слайд 26


Ionimplantáció félvezető-technológiai alkamazása
Описание слайда:
Ionimplantáció félvezető-technológiai alkamazása

Слайд 27


Ionimplantáció félvezető-technológiai alkamazása
Описание слайда:
Ionimplantáció félvezető-technológiai alkamazása

Слайд 28


Mellékjelenség: nem minden implantált atom aktív elektromosan
Описание слайда:
Mellékjelenség: nem minden implantált atom aktív elektromosan

Слайд 29


Előnyök Nagyon pontos Kis oldalirányú szóródás Tömeg szeparáció lehetséges Utólag is lehetséges új réteg létrehozása Meredek adalékprofil hozható létre Alacsony hőmérsékleten végezhető A vákuum miatt igen tiszta eljárás Az egyensúlyi technológiákhoz képest nagyobb koncentráció is létrehozható
Описание слайда:
Előnyök Nagyon pontos Kis oldalirányú szóródás Tömeg szeparáció lehetséges Utólag is lehetséges új réteg létrehozása Meredek adalékprofil hozható létre Alacsony hőmérsékleten végezhető A vákuum miatt igen tiszta eljárás Az egyensúlyi technológiákhoz képest nagyobb koncentráció is létrehozható

Слайд 30


Hátrányok A rácsszerkezet rongálódik Nehéz atomokkal csak sekély implantáció valósítható meg Alacsonyabb termelékenység, mint diffúzióval Drága, bonyolult berendezések Veszélyes üzemeltetés
Описание слайда:
Hátrányok A rácsszerkezet rongálódik Nehéz atomokkal csak sekély implantáció valósítható meg Alacsonyabb termelékenység, mint diffúzióval Drága, bonyolult berendezések Veszélyes üzemeltetés

Слайд 31


RBS spektroszkópia Rutherford backscattering Egy hordozóban különféle elemek meghatározása a mélység függvényében 2-4 MeV-os kis tömegű (He++) ionsugárral bombázzák a mintát Egy detektor összegyűjti a közel 180°-ban visszaverődő ionokat Ezeknek az energiája függ a kezdeti energiától, és a részecske tömegétől, amiről visszaverődtek Az energia mértéke, amit elnyel a vizsgált atom, a két részecske tömegének az arányától függ Meghatározhatjuk a minta kémiai összetételét
Описание слайда:
RBS spektroszkópia Rutherford backscattering Egy hordozóban különféle elemek meghatározása a mélység függvényében 2-4 MeV-os kis tömegű (He++) ionsugárral bombázzák a mintát Egy detektor összegyűjti a közel 180°-ban visszaverődő ionokat Ezeknek az energiája függ a kezdeti energiától, és a részecske tömegétől, amiről visszaverődtek Az energia mértéke, amit elnyel a vizsgált atom, a két részecske tömegének az arányától függ Meghatározhatjuk a minta kémiai összetételét

Слайд 32


Források Dr. Mojzes Imre: Mikroelektronika és elektronikai technológia http://www.vsea.com/pubs.nsf/home http://www.casetechnology.com/links.html http://en.wikipedia.org/wiki/Ion_implantation http://www.gs68.de/tutorials/implant.pdf http://en.wikipedia.org/wiki/Rutherford_backscattering
Описание слайда:
Források Dr. Mojzes Imre: Mikroelektronika és elektronikai technológia http://www.vsea.com/pubs.nsf/home http://www.casetechnology.com/links.html http://en.wikipedia.org/wiki/Ion_implantation http://www.gs68.de/tutorials/implant.pdf http://en.wikipedia.org/wiki/Rutherford_backscattering

Слайд 33


Adalékolás neutronsugárzással NTD (neutron transmutational doping)
Описание слайда:
Adalékolás neutronsugárzással NTD (neutron transmutational doping)

Слайд 34


Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №34
Описание слайда:

Слайд 35


Ionimplantáció. Monolit technika előadás, слайд №35
Описание слайда:

Слайд 36


Implantálás plazma immerzióval
Описание слайда:
Implantálás plazma immerzióval

Слайд 37


Változatok plazma immerzióra
Описание слайда:
Változatok plazma immerzióra

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию