🗊Презентация Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera, слайд №1Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera, слайд №2Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera, слайд №3Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera, слайд №4Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera, слайд №5Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera, слайд №6Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera, слайд №7

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Wzmacniacz tranzystorowy w układzie wspólnego emitera. Доклад-сообщение содержит 7 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





UKŁADY ANALOGOWE
WYKŁAD 04
 
WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY 
W UKŁADZIE WSPÓLNEGO EMITERA
Описание слайда:
UKŁADY ANALOGOWE WYKŁAD 04   WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY W UKŁADZIE WSPÓLNEGO EMITERA

Слайд 2





Podstawową funkcją wzmacniacza jest wzmocnienie mocy sygnału zmiennego bez zmiany jego kształtu. 
Podstawową funkcją wzmacniacza jest wzmocnienie mocy sygnału zmiennego bez zmiany jego kształtu. 
Wzmocnienie sygnału zmiennego odbywa się kosztem energii dostarczanej ze stałego źródła zasilania wzmacniacza napięciem stałym.
Описание слайда:
Podstawową funkcją wzmacniacza jest wzmocnienie mocy sygnału zmiennego bez zmiany jego kształtu. Podstawową funkcją wzmacniacza jest wzmocnienie mocy sygnału zmiennego bez zmiany jego kształtu. Wzmocnienie sygnału zmiennego odbywa się kosztem energii dostarczanej ze stałego źródła zasilania wzmacniacza napięciem stałym.

Слайд 3





ZNIEKSZTAŁCENIA WE WZMACNIACZACH
Описание слайда:
ZNIEKSZTAŁCENIA WE WZMACNIACZACH

Слайд 4





METODY ANALIZY WZMACNIACZA M.CZ.
Układ wzmacniacza małych sygnałów może być opisywany przy zastosowaniu metody czwórnikowej, w której traktuje się, że sygnał wejściowy jest doprowadzony do wejścia czwórnika a wyjściowy jest zbierany z jego wyjścia. Zakłada się przy tym, że czwórnik jest zbudowany bądź z elementów liniowych lub z elementów nieliniowych, ale pracujących w zakresie pracy liniowej.
W takich warunkach czwórnik jest charakteryzowany przy użyciu dwóch równań liniowych wiążących ze sobą napięcia i prądy wejściowe i wyjściowe.
W zależności od analizowanego układu stosowana jest jedna z 6 macierzy opisujących właściwości czwórnika. W przypadku ukłądu wzmacniacza tranzystorowego najchętniej jest wykorzystywana macierz MIESZANA h .
Описание слайда:
METODY ANALIZY WZMACNIACZA M.CZ. Układ wzmacniacza małych sygnałów może być opisywany przy zastosowaniu metody czwórnikowej, w której traktuje się, że sygnał wejściowy jest doprowadzony do wejścia czwórnika a wyjściowy jest zbierany z jego wyjścia. Zakłada się przy tym, że czwórnik jest zbudowany bądź z elementów liniowych lub z elementów nieliniowych, ale pracujących w zakresie pracy liniowej. W takich warunkach czwórnik jest charakteryzowany przy użyciu dwóch równań liniowych wiążących ze sobą napięcia i prądy wejściowe i wyjściowe. W zależności od analizowanego układu stosowana jest jedna z 6 macierzy opisujących właściwości czwórnika. W przypadku ukłądu wzmacniacza tranzystorowego najchętniej jest wykorzystywana macierz MIESZANA h .

Слайд 5






Parametry macierzy h określane są w stanach zwarcia wyjścia lub rozwarcia wejścia i mają prostą interpretację jako :
h11 – impedancja wejściowa
h12 – współczynnik oddziaływania wstecznego
h22 – współczynnik wzmocnienia prądowego
h22 – admitancja wyjściowa
Описание слайда:
Parametry macierzy h określane są w stanach zwarcia wyjścia lub rozwarcia wejścia i mają prostą interpretację jako : h11 – impedancja wejściowa h12 – współczynnik oddziaływania wstecznego h22 – współczynnik wzmocnienia prądowego h22 – admitancja wyjściowa

Слайд 6





Ponieważ w warunkach rzeczywistych czwórnik jest pobudzany z generatora o impedancji wewnętrznej ZG i jest obciążany impedancją Z0 , parametry robocze czwórnika zmieniają się i mają postać :
Ponieważ w warunkach rzeczywistych czwórnik jest pobudzany z generatora o impedancji wewnętrznej ZG i jest obciążany impedancją Z0 , parametry robocze czwórnika zmieniają się i mają postać :
Impedancja wejściowa :
Admitacja wyjściowa : h22 – ( h12 h21 ) / ( h11 + ZG )
Wzmocnienie prądowe :
Описание слайда:
Ponieważ w warunkach rzeczywistych czwórnik jest pobudzany z generatora o impedancji wewnętrznej ZG i jest obciążany impedancją Z0 , parametry robocze czwórnika zmieniają się i mają postać : Ponieważ w warunkach rzeczywistych czwórnik jest pobudzany z generatora o impedancji wewnętrznej ZG i jest obciążany impedancją Z0 , parametry robocze czwórnika zmieniają się i mają postać : Impedancja wejściowa : Admitacja wyjściowa : h22 – ( h12 h21 ) / ( h11 + ZG ) Wzmocnienie prądowe :

Слайд 7





Wartości wyrazów macierzy h są ściśle związane z budową tranzystora i dla różnych układów pracy tranzystora wynoszą :
Wartości wyrazów macierzy h są ściśle związane z budową tranzystora i dla różnych układów pracy tranzystora wynoszą :
Описание слайда:
Wartości wyrazów macierzy h są ściśle związane z budową tranzystora i dla różnych układów pracy tranzystora wynoszą : Wartości wyrazów macierzy h są ściśle związane z budową tranzystora i dla różnych układów pracy tranzystora wynoszą :



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию