Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем»

Нажмите для полного просмотра!

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №2

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №3

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №4

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №5

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №6

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №7

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №8

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №9

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №10

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №11

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №12

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №13

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №14

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №15

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №16

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №17

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №18

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №19

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №20

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №21

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №22

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №23

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №24

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №25

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №26

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №27

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №28

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №29

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №30

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №31

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №32

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №33

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №34

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №35

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №36

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №37

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №38

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №39

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №40

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №41

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №42

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №43

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №44

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №45

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем», слайд №46

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем». Доклад-сообщение содержит 46 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Курс лекций: «Методы диагностики и анализа микро- и наносистем» Лекция №1: «Представление об объектах анализа. Атомарно-чистые поверхности. Методы получения атомарно-чистых поверхностей. Структурные дефекты поверхности» доц. каф. ППиМЭ Остертак Д.И.

Слайд 2

Описание слайда:

Основные понятия кристаллографии Решетка – параллельное, подобное узлам сетки рас-положение точек, причём около любой точки прочие точки распределены совершенно одинаково. Базис – группы атомов, связанные с узлами решет-ки, причём все группы идентичны по составу, распо-ложению и ориентации. Элементарная ячейка = узел решётки + базис Кристаллическая структура = Решётка + Базис = Σ элементарных ячеек. Идеальный кристалл можно представить как ре-зультат построения путём бесконечного числа пов-торений в пространстве элементарной ячейки.

Слайд 3

Описание слайда:

В силу идеальности и симметрии кристалла существуют такие три векторы a, b и с, называемых векторами элементарных трансляций, что при рассмотрении атомной решетки из произвольной точки r ре-шетка имеет тот же вид, что и при рассмотрении из точки r': В силу идеальности и симметрии кристалла существуют такие три векторы a, b и с, называемых векторами элементарных трансляций, что при рассмотрении атомной решетки из произвольной точки r ре-шетка имеет тот же вид, что и при рассмотрении из точки r': r' = r + n1а + n2b + n3c, где п1, п2, п3 – целые числа (0, ±1, ±2, …). Векторы элементарных трансляций называют основными, если две любые точки r и r', при наблюдении из которых атомное расположение имеет одинаковый вид, ясно что они всегда удовлетворяют соотноше-нию при произвольном выборе чисел п1, п2, п3. Кристаллическая структура образуется, если присоединить базис к каж-дой точке решётки

Слайд 4

Описание слайда:

Концепция двумерной (2D) решётки Поверхности кристалла и границы раздела являются по сути 2D объектами, несмотря на конечную толщи-ну. Кристаллография поверхности двумерная r' = r + nа + mb, Элементарная ячейка – параллелограмм со сторонами а и b. Примитивная ячейка – элементарная ячейка, имеющая минимальную площадь.

Слайд 5

Описание слайда:

Ячейка Вигнера-Зейтца Существует и другой тип примитивной ячейки. Это ячейка Вигне-ра-Зейтца, строится она следующим образом: соединить произвольную точку решетки прямыми линиями со все-ми соседними точками; через середины этих линий провести перпендикулярные линии (в 3D случае провести плоскости); ограниченная таким образом ячейка минимальной площади (в 3D случае минимального объема) представляет собой примитивную ячейку Вигнера-Зейтца.

Слайд 6

Описание слайда:

Двумерные решётки Браве Все многообразие 2D-решеток описывается пятью основными типами решеток, называемых решетками Браве (в 3D случае существует 14 решеток Браве).

Слайд 7

Описание слайда:

Определение индексов Миллера Ориентацию плоскости кристалла принято описывать с помощью индексов Миллера, которые определяются следующим образом: найти точки пересечения данной плоскости с осями координат; ре-зультат записать в единицах постоянных решётки a, b, c; взять обратные значения полученных чисел; привести их к наименьшему целому, кратному каждого из чисел.

Слайд 8

Описание слайда:

Низкоиндексные плоскости некоторых важных кристаллов

Слайд 9

Описание слайда:

Низкоиндексные плоскости некоторых важных кристаллов

Слайд 10

Описание слайда:

Низкоиндексные плоскости некоторых важных кристаллов

Слайд 11

Описание слайда:

Высокоиндексные ступенчатые поверхности Плоскости отклонённые на небольшой угол относительно некоторой низ-коиндексной может быть записана комбинацией трёх параметров: угол наклона, азимут наклона и зоны наклона. Разоринетированная плоскость P’ получается путём поворота низкоиндек-сной плоскости P вокруг оси зоны в сторону направления азимута на угол разориентации φ.

Слайд 12

Описание слайда:

Высокоиндексные ступенчатые поверхности На атомном масштабе такая поверхность, называемая ступенчатой или вицинальной, состоит обычно из узких террас, разделенных ступенями моно-атомной высоты. Для её описания можно использовать как обычные индексы Миллера, так и более наглядную запись предложенную Лэнгом, Джойнером и Соморджеем n(htktlt)×(hsksls), где (htktlt) и (hsksls) – индексы Миллера плоскости террасы и плоскости ступени, соответственно, n – число атомных рядов на террасе, параллельных краю ступени.

Слайд 13

Описание слайда:

Реальная кристаллическая структура поверхности Структура поверхности большинства кристаллов сильно модифици-рована по отношению к структуре соответствующих атомных плос-костей в объеме кристалла. Из-за отсутствия атомов с одной сторо-ны характер межатомных сил на поверхности должен измениться. Основные типы этих модификаций: релаксация и реконструкция. Релаксация: нормальная – когда атомная структура верхнего слоя та же что и в объёме, но расстояние между верхним и вторым слоем отличается от расстояния между плоскостями в объёме; параллельная (тангециальная) – однородное смещение верхнего слоя параллельно поверхности.

Слайд 14

Описание слайда:

Реконструкция – модификация атомной структуры верхнего слоя, обычно реконструированная поверхность имеет симметрию и периодичность, кото-рая отличается от таков для плоскостей в объёме. Реконструкция – модификация атомной структуры верхнего слоя, обычно реконструированная поверхность имеет симметрию и периодичность, кото-рая отличается от таков для плоскостей в объёме. Консервативная реконструкция – число атомов в поверхностном слое сохра-няется и реконструкция заключается лишь в смещении поверхностных ато-мов из их идеальных положений. Неконсервативная реконструкция – число атомов в реконструированном слое отличается от объёма.

Слайд 15

Описание слайда:

Запись для описания структуры поверхности Для описания специфической структуры верхнего атомного слоя (или нескольких слоёв) принято использовать термин суперструктура. Матричная запись. Заключается в определении матрицы, которая устанавливает связи между векторами примитивных трансляций поверхности as, bs и векторами примитивных трансляций идеальной плоскости подложки a, b. as = G11a + G12b, bs = G21a + G22b, где Gij – четыре коэффициента, образующих матрицу. Элементы матрицы Gij показывают, является ли структура поверхности соразмерной или несоразмерной по отношению к подложке. если det G – целое число, и все матричные компоненты - целые числа: то две ячейки связаны однозначно, причем ячейка адсорбата имеет ту же трансляционную симметрию, что и вся поверхность; если det G – рациональная дробь (или det G – целое число, а некоторые матричные элементы – рациональные дроби): то две ячейки связаны относительно; если det G – иррациональное число: тогда две ячейки несоизмеримы, и истинная поверхностная ячейка не существует. Это означает, что подложка служит просто плоской поверхностью, на которой адсорбат или кромка могут образовывать свою собственную двумерную структуру.

Слайд 16

Описание слайда:

Запись Вуда Более наглядная, но менее универсальная запись была предложена Вудом. В этой записи указывается 1) соотношение длин векторов примитив-ных трансляций суперструктуры и плоскости подложки и 2) угол на ко-торый следует повернуть элементарную ячейку поверхности, чтобы её оси совместились с векторами примитивных трансляций подложки. Если на поверхности подложки X(hkl) образовалась суперструктура с векторами примитивных трансляций |as| = m|a|, |bs| = n|b| и углом пово-рота φ°, то эта структура поверхности описывается в виде X(hkl) m × n – R φ°. Если оси элементарной ячейки совпадают с осями подложки, то нулевой угол не указывается (например, Si(111)7×7). Для обозначения центрированной решётки используется буква c (нап-ример, Si(100)c(4×2)). Если образование суперструктуры вызвано адсорбатом, то в конце за-писи указывается химический символ этого адсорбата (например, Si(111)4×1-In). Иногда указывают число атомов адсорбата на элементарную ячейку (например, Si(111) √3× √3 –R30°-3Bi).

Слайд 17

Описание слайда:

Запись Вуда применима только в тех случаях, когда углы поворота базисных векторов элементарных ячеек поверхности и подложки одинаковы (равны по величине). Запись Вуда применима только в тех случаях, когда углы поворота базисных векторов элементарных ячеек поверхности и подложки одинаковы (равны по величине). Следовательно, такие обозначения пригодны для систем, в которых ячейки поверхности и подложки имеют одну и ту же решетку Браве или в которых одна из решеток прямоугольная, а другая квадратная.

Слайд 18

Описание слайда:

Когда элементарная ячейка суперструктуры имеет тот же размер и ту же ориентацию, что и элементарная ячейка подложки, т.е. обе решётки совпадают, то такая структура описывается как Когда элементарная ячейка суперструктуры имеет тот же размер и ту же ориентацию, что и элементарная ячейка подложки, т.е. обе решётки совпадают, то такая структура описывается как