Молекулярно-лучевая эпитаксия - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №10

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №11

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №12

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №13

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №14

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №15

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №16

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №17

Молекулярно-лучевая эпитаксия, слайд №18

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Молекулярно-лучевая эпитаксия. Доклад-сообщение содержит 18 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Молекулярно-лучевая эпитаксия

Слайд 2

Описание слайда:

Молекулярно-лучевая эпитаксия Молекулярно-лучевая эпитаксия - это процесс синтеза веществ, реакций, потоков атомов молекул и компонентов в сверхвысоком вакууме (~ 10-8 - 10-9 Па)

Слайд 3

Описание слайда:

Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок Наиболее важные индивидуальные атомные процессы, сопровождающие эпитаксиальный рост : адсорбция составляющих атомов или молекул на поверхности подложки; поверхностная миграция атомов и диссоциация адсорбированных молекул; присоединение атомов к кристаллической решетке подложки или эпитаксиальным слоям, выращенным ранее; термическая десорбция атомов или молекул, не внедренных в кристаллическую решетку.

Слайд 4

Описание слайда:

Механизм эпитаксии

Слайд 5

Описание слайда:

Механизм эпитаксии

Слайд 6

Описание слайда:

Механизм эпитаксии В зависимости от энергии связи (Е) с подложкой и её температуры (Т) дефекты могут либо мигрировать по поверхности либо переходить в объем Для атомов, адсорбированных на поверхность существует также вероятность испарения в окружающую среду.

Слайд 7

Описание слайда:

Механизм эпитаксии Время жизни дефекта на поверхности

Слайд 8

Описание слайда:

Эпитаксия GaAs Синтез GaAs осуществляется из молекулярных потоков Ga и As2 или Ga и As4 . Скорость испарения вещества J Коэфициент прилипания адсорбированных молекул SGa= 1 при 300K< T

Слайд 9

Описание слайда:

Рост из пучков Ga и As4 при 300K < Т < 450 K Физическая адсорбция S (As4)= 0 (отсутствие. св атомов Ga) (As4),без Ga=9.0*10-10exp[0.38эВ/(kT)]

Слайд 10

Описание слайда:

Рост из пучков Ga и As4 при 400K < Т < 600 K При наличии атомов Ga коэфициент прилипания независит от Т. Если [PGa >> p (As4)] то S(As4) Если [p(Ga)

Слайд 11

Описание слайда:

Рост из пучков Ga и As4 при 600 К < Т < 900 К

Слайд 12

Описание слайда:

Модель трехмерного островка пленки Если  то островок “растекается” тонким слоем по поверхности подложки, что соответствует слоевому механизму роста , тогда

Слайд 13

Описание слайда:

Послойный рост Послойный рост (layer-by-layer growth). При этом механизме роста каждый последующий слой пленки начинает формироваться только после полного завершения роста предыдущего слоя. Этот механизм роста называют также ростом Франка-ван дер Мерве (Frank-van der Merve, FM). Послойный рост имеет место, когда взаимодействие между подложкой и слоем атомов значительно больше, чем между ближайшими атомами в слое.

Слайд 14

Описание слайда:

Островковый рост Островковый рост или рост Вольмера-Вебера (island growth, Vollmer-Weber, VW). Этот механизм является полной противоположностью послойному росту. Условием его реализации является преобладание взаимодействия между ближайшими атомами над взаимодействием этих атомов с подложкой. При островковом механизме роста вещество с самого начала оседает на поверхности в виде многослойных конгломератов атомов.

Слайд 15

Описание слайда:

Рост Странски-Крастанова Промежуточным между этими двумя механизмами является рост Странски-Крастанова (Stransky-Krastanov, SK, layer-plus-islandgrows), при котором первый слой полностью покрывает поверхность подложки, а на нем происходит рост трехмерных островков пленки. К этому механизму могут приводит многие факторы, в частности достаточно большое несоответствие между параметрами кристаллических решеток пленки и подложки.

Слайд 16

Описание слайда:

Схематичное изображение установки М.Л.Э

Слайд 17

Описание слайда:

Схематичная установка МЛЭ

Слайд 18

Описание слайда:

Описание установки Испарение материалов, осаждаемых в сверхвысоком вакууме на подложку, закрепленную на манипуляторе с нагревательным устройством, осуществляется с помощью эффузионных ячеек. Ростовые камеры современных установок оборудованы квадрупольным масс-спектрометром для анализа остаточной атмосферы в камере и контроля элементного состава на всем технологическом процессе. Для контроля структуры и морфологии формируемых эпитаксиальных структур в камере роста располагается также дифрактометр отраженных быстрых электронов. Дифрактометр состоит из электронной пушки, которая формирует хорошо сфокусированный электронный пучок с энергий 10 – 40 кэВ. Электронный луч падает на подложку под очень небольшим углом к ее плоскости, рассеянные электронные волны дают дифракционную картину на люминесцентном экране. Часто ростовые камеры или в многокамерных комплексах МЛЭ в камере для подготовки и анализа подложек и эпитаксиальных структур располагаются электронная пушка с энергоанализатором вторичных электронов и ионная пушка для очистки подложек ионным травлением и послойного анализа состава эпитаксиальных структур.