Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе

Нажмите для полного просмотра!

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе, слайд №2

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе, слайд №3

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе, слайд №4

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе, слайд №5

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе, слайд №6

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе, слайд №7

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе, слайд №8

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе, слайд №9

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе. Доклад-сообщение содержит 9 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе Студент Жукова Е. В. Преподаватель Субботин К.А.

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Основные свойства

Слайд 4

Описание слайда:

Применение Широко используется для создания: светодиодов полупроводниковых лазеров оптикоэлектронных, мощных и высокочастотных устройств массивов солнечных батарей на спутниках в качестве подложек

Слайд 5

Описание слайда:

Твердые растворы GaN Нитриды галлия, алюминия, индия и твердые растворы на их основе являются перспективными материалами для оптоэлектронных устройств, работающих в голубой и фиолетовой областях спектра.

Слайд 6

Описание слайда:

AlGaN Среди них пристальное внимание исследователей привлекает твердый раствор AlGaN вследствие применения не только в лазерных структурах, но и в полевых транзисторах, работающих под большим напряжением и при высоких температурах. Вследствие большого пьезоэлектрического коэффициента и механических напряжений, возникающих между слоями GaN и AlGaN, в гетероструктурах AlGaN/GaN могут генерироваться сильные электрические поля, способствующие образованию на гетерограницах между слоями большой концентрации электронного газа.

Слайд 7

Описание слайда:

AlGaN Рассмотрим энергетическую диаграмму AlGaN, в которой между внешними р- и n-областями полупроводника с большими величинами ширины запрещенной зоны Еg2, Еg3 расположен тонкий слой с меньшей шириной Еg*. Толщину этого слоя можно сделать очень малой, порядка сотен или даже десятков атомных слоев.