Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов

Нажмите для полного просмотра!

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №2

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №3

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №4

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №5

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №6

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №7

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №8

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №9

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №10

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №11

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №12

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №13

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов, слайд №14

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов. Доклад-сообщение содержит 14 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов Тимошенко Александр Геннадиевич Лекция 3

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Подложка – легированный кремний одного типа (для n-МОП легирование бором (p-тип примеси), для p-МОП легирование фосфором (n-тип примеси)) Подложка – легированный кремний одного типа (для n-МОП легирование бором (p-тип примеси), для p-МОП легирование фосфором (n-тип примеси)) Сток-исток – сильнолегированный кремний другого типа Подзатворный диэлектрик – оксид или нитрид кремния (SiO2 или Si3N4) Затвор – поликристаллический кремний (Si*) Изолирующие слои – толстый оксид кремния Соединительный слой – металл

Слайд 4

Описание слайда:

Выращивание кристалла Si Выращивание кристалла Si Нарезка пластин Si Механическая полировка Химическая полировка Ионная имплантация глубоких областей Выращивание эпитаксиального слоя Формирование кармана Выращивание окисла Фотолитография

Слайд 5

Описание слайда:

Нанесение фоторезиста (Фоторезист – вещество, меняющее свои свойства при воздействии определенного рода излучений) Нанесение фоторезиста (Фоторезист – вещество, меняющее свои свойства при воздействии определенного рода излучений) Фотолитография Ионная имплантация фосфором Удаление фоторезиста

Слайд 6

Описание слайда:

Слайд 7

Описание слайда:

Плазмохимическое травление Плазмохимическое травление Удаление фоторезиста

Слайд 8

Описание слайда:

Формирование тонкого подзатворного окисла Формирование тонкого подзатворного окисла Выращивание поликристаллического кремния Создание активных областей транзистора (самосовмещенная технология)

Слайд 9

Описание слайда:

Легирование бором/фосфором высокой концентрации (p+/n+), прямо через поликристаллический кремний и тонкий окисел Легирование бором/фосфором высокой концентрации (p+/n+), прямо через поликристаллический кремний и тонкий окисел Диффузия n- и p- областей (разгон примесей)

Слайд 10

Описание слайда:

Выращивание толстого окисла Выращивание толстого окисла Вскрытие контактных окон (травление) Осаждение металла (магнетронное распыление)

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

λ – норма проектирования равная половине технологического размера λ – норма проектирования равная половине технологического размера Минимальный размер области n-кармана неограничен Минимальное расстояние между карманами неограниченно Минимальная ширина тонкого окисла – 2λ Минимальная ширина p+ и n+ областей – 4λ Минимальный зазор между диффузионными областями – 4λ Перекрытие n-канальным карманом области p-канального транзистора – 6λ Минимальная ширина канала транзистора – 4λ

Слайд 13

Описание слайда:

Минимальная длина затвора транзистора – 2λ Минимальная длина затвора транзистора – 2λ Вылет (хвост) затвора на фоновый окисел – 2λ Минимальная ширина поликремниевой шины вне активной области – 2λ Размер поликремния в месте контакта – 6λ Размер контактного окна – 2λ Зазор между окнами – 5λ Зазор между металлом в одном слое – 4λ Минимальная ширина металлической шины – 4λ