🗊Презентация Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі

Категория: Химия
Нажмите для полного просмотра!
Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №1Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №2Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №3Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №4Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №5Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №6Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №7Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №8Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №9Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №10Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №11Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №12Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №13Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №14Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №15Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №16Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №17Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі, слайд №18
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі. Доклад-сообщение содержит 18 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі
Описание слайда:
Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі

Слайд 2


Актуальність - Твердотільні інжекційні лазери - Резонансно-тунельний транзистор - Одноелектронний транзистор Квантово-точкові кліткові автомати і безпровідна електронна логіка
Описание слайда:
Актуальність - Твердотільні інжекційні лазери - Резонансно-тунельний транзистор - Одноелектронний транзистор Квантово-точкові кліткові автомати і безпровідна електронна логіка

Слайд 3


Методи вирощування КТ InAs Молекулярно променева епітаксія МОС-гідридна епітаксія Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія
Описание слайда:
Методи вирощування КТ InAs Молекулярно променева епітаксія МОС-гідридна епітаксія Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія

Слайд 4


Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксії Формування пересиченої газової фази Коалесценція нанокластерів Забезпечення планарності масиву КТ InAs
Описание слайда:
Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксії Формування пересиченої газової фази Коалесценція нанокластерів Забезпечення планарності масиву КТ InAs

Слайд 5


Постановка задачі Оптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві в багатоканальному горизонтальному прямоточному реакторі методом низькотемпературної хлоридниї епітаксії. Ознайомлення з модельними уявленнями процесу росту плівок сполук А3В5. Аналіз модельних уявлень росту плівки InAs по відношенню до росту плівки Ga As. Розгляд модельних уявлень легування плівки Ga As домішкою In. Аналіз модельних уявлень легування масиву квантових точок InAs домішкою Ві згідно до моделі легування плівки Ga As домішкою In.
Описание слайда:
Постановка задачі Оптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві в багатоканальному горизонтальному прямоточному реакторі методом низькотемпературної хлоридниї епітаксії. Ознайомлення з модельними уявленнями процесу росту плівок сполук А3В5. Аналіз модельних уявлень росту плівки InAs по відношенню до росту плівки Ga As. Розгляд модельних уявлень легування плівки Ga As домішкою In. Аналіз модельних уявлень легування масиву квантових точок InAs домішкою Ві згідно до моделі легування плівки Ga As домішкою In.

Слайд 6


Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
Описание слайда:
Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі

Слайд 7


Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
Описание слайда:
Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі

Слайд 8


Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs GaClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔GaAss + HCl
Описание слайда:
Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs GaClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔GaAss + HCl

Слайд 9


Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температури На кривих представлені результати розрахунку (суцільна лінія), експериментальні результати (крапки) 1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 -5 К /см [Zhilyaev Yu. V. Dissertation Ioffe Institute, St. Peterburg (1990), Dostov V.L., Zhilyaev Yu. V., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Tech. Phys. Lett. 16, 955 (1990)].
Описание слайда:
Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температури На кривих представлені результати розрахунку (суцільна лінія), експериментальні результати (крапки) 1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 -5 К /см [Zhilyaev Yu. V. Dissertation Ioffe Institute, St. Peterburg (1990), Dostov V.L., Zhilyaev Yu. V., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Tech. Phys. Lett. 16, 955 (1990)].

Слайд 10


Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по відношенню до росту плівки GaAs InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
Описание слайда:
Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по відношенню до росту плівки GaAs InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl

Слайд 11


Швидкості росту плівки InAs для різних значень градієнта температури 1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 - 5 К /см
Описание слайда:
Швидкості росту плівки InAs для різних значень градієнта температури 1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 - 5 К /см

Слайд 12


Модельні уявлення легування плівки GaAs домішкою In InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
Описание слайда:
Модельні уявлення легування плівки GaAs домішкою In InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl

Слайд 13


Розподіл домішок по підкладці GaAs 1,2 - Розчинність домішок низька: 3 - Розчинність домішок висока [Dostov V.L., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Phys.-Tech. Phys. 35, 326 (1990)]
Описание слайда:
Розподіл домішок по підкладці GaAs 1,2 - Розчинність домішок низька: 3 - Розчинність домішок висока [Dostov V.L., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Phys.-Tech. Phys. 35, 326 (1990)]

Слайд 14


Самоорганізація КТ InAs в матриці GaAs
Описание слайда:
Самоорганізація КТ InAs в матриці GaAs

Слайд 15


Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs згідно моделі легування плівки GaAs BiClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔BiAss + HClg
Описание слайда:
Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs згідно моделі легування плівки GaAs BiClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔BiAss + HClg

Слайд 16


Розподіл домішки Ві по масиву КТ InAs
Описание слайда:
Розподіл домішки Ві по масиву КТ InAs

Слайд 17


Висновки Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He для формування масиву КТ InAs та легування їх домішкою Ві в прямоточному горизонтальному реакторі. Додаткова система Ga-HCl-H2 використовується для зарощування масиву КТ InAs легованих Ві, потрійним твердим розчином In1-xGaxAs. Описано процес росту плівки InAs та подальшу її самоорганізацію в масив квантових точок InAs в матриці GaAs. Розроблено модель легування КТ InAs домішкою Ві в матриці GaAs у хлоридній системі.
Описание слайда:
Висновки Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He для формування масиву КТ InAs та легування їх домішкою Ві в прямоточному горизонтальному реакторі. Додаткова система Ga-HCl-H2 використовується для зарощування масиву КТ InAs легованих Ві, потрійним твердим розчином In1-xGaxAs. Описано процес росту плівки InAs та подальшу її самоорганізацію в масив квантових точок InAs в матриці GaAs. Розроблено модель легування КТ InAs домішкою Ві в матриці GaAs у хлоридній системі.

Слайд 18


Дякую за увагу Дякую за увагу
Описание слайда:
Дякую за увагу Дякую за увагу

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию