🗊Презентация Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №1Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №2Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №3Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №4Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №5Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №6Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №7Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №8Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №9Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №10Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №11Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №12Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №13Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №14Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №15Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №16Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №17Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №18Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №19
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe. Доклад-сообщение содержит 19 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ИНСТИТУТ ЛАЗЕРНЫХ И ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Тема выпускной работы: Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe Студент-дипломник: Дашевская А.А. Руководитель проекта: д.ф.-м.н.профессор Ананьин О.Б.    
Описание слайда:
Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ИНСТИТУТ ЛАЗЕРНЫХ И ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Тема выпускной работы: Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe Студент-дипломник: Дашевская А.А. Руководитель проекта: д.ф.-м.н.профессор Ананьин О.Б.    

Слайд 2


Цель работы изучение методом масс-спектрометрии влияния МРИ на элементный состав приповерхностных слоев полупроводника.
Описание слайда:
Цель работы изучение методом масс-спектрометрии влияния МРИ на элементный состав приповерхностных слоев полупроводника.

Слайд 3


Фотографии источников МРИ: а – Источник МРИ - 1, б – источник МРИ-2
Описание слайда:
Фотографии источников МРИ: а – Источник МРИ - 1, б – источник МРИ-2

Слайд 4


Источник МРИ - 1
Описание слайда:
Источник МРИ - 1

Слайд 5


Примерный вид спектра рентгеновского излучения вакуумной искры
Описание слайда:
Примерный вид спектра рентгеновского излучения вакуумной искры

Слайд 6


Преобразование источника для проведения эксперимента
Описание слайда:
Преобразование источника для проведения эксперимента

Слайд 7


Схема масс-спектрометра
Описание слайда:
Схема масс-спектрометра

Слайд 8


Типовой масс-спектр образца CdHgTe
Описание слайда:
Типовой масс-спектр образца CdHgTe

Слайд 9


Работа в Mathcad 2000
Описание слайда:
Работа в Mathcad 2000

Слайд 10


Результаты измерения облученных и необлученных образцов CdHgTe
Описание слайда:
Результаты измерения облученных и необлученных образцов CdHgTe

Слайд 11


Схема источника МРИ-2
Описание слайда:
Схема источника МРИ-2

Слайд 12


Спектр излучения на входе и выходе рентгеновского концентратора
Описание слайда:
Спектр излучения на входе и выходе рентгеновского концентратора

Слайд 13


Процесс облучения и получение масс-спектров
Описание слайда:
Процесс облучения и получение масс-спектров

Слайд 14


Образец CdHgTe размещенный на насадке для масс-спектрального анализа
Описание слайда:
Образец CdHgTe размещенный на насадке для масс-спектрального анализа

Слайд 15


Типовой масс-спектр
Описание слайда:
Типовой масс-спектр

Слайд 16


Результат обработки масс-спектров облученных и необлученных областей
Описание слайда:
Результат обработки масс-спектров облученных и необлученных областей

Слайд 17


Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №17
Описание слайда:

Слайд 18


Выводы Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ вакуумно-искрового разряда На источнике МРИ - 1 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев Освоена методика работы на времяпролетном масс-спектрометре Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ лазерно-плазменного источника На источнике МРИ - 2 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев Сделано предположение о механизме выхода ионов Hg с поверхности образца CdHgTe после облучения источником МРИ -1. Механизм изменения приповерхностного состава CdHgTe после облучения источником МРИ -2 на данный момент не понятен и требуется повторение данных экспериментов
Описание слайда:
Выводы Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ вакуумно-искрового разряда На источнике МРИ - 1 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев Освоена методика работы на времяпролетном масс-спектрометре Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ лазерно-плазменного источника На источнике МРИ - 2 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев Сделано предположение о механизме выхода ионов Hg с поверхности образца CdHgTe после облучения источником МРИ -1. Механизм изменения приповерхностного состава CdHgTe после облучения источником МРИ -2 на данный момент не понятен и требуется повторение данных экспериментов

Слайд 19


Спасибо за внимание
Описание слайда:
Спасибо за внимание

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию