Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe

Нажмите для полного просмотра!

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №2

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №3

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №4

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №5

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №6

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №7

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №8

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №9

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №10

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №11

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №12

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №13

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №14

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №15

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №16

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №17

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №18

Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe, слайд №19

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe. Доклад-сообщение содержит 19 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ИНСТИТУТ ЛАЗЕРНЫХ И ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Тема выпускной работы: Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe Студент-дипломник: Дашевская А.А. Руководитель проекта: д.ф.-м.н.профессор Ананьин О.Б.

Слайд 2

Описание слайда:

Цель работы изучение методом масс-спектрометрии влияния МРИ на элементный состав приповерхностных слоев полупроводника.

Слайд 3

Описание слайда:

Фотографии источников МРИ: а – Источник МРИ - 1, б – источник МРИ-2

Слайд 4

Описание слайда:

Источник МРИ - 1

Слайд 5

Описание слайда:

Примерный вид спектра рентгеновского излучения вакуумной искры

Слайд 6

Описание слайда:

Преобразование источника для проведения эксперимента

Слайд 7

Описание слайда:

Схема масс-спектрометра

Слайд 8

Описание слайда:

Типовой масс-спектр образца CdHgTe

Слайд 9

Описание слайда:

Работа в Mathcad 2000

Слайд 10

Описание слайда:

Результаты измерения облученных и необлученных образцов CdHgTe

Слайд 11

Описание слайда:

Схема источника МРИ-2

Слайд 12

Описание слайда:

Спектр излучения на входе и выходе рентгеновского концентратора

Слайд 13

Описание слайда:

Процесс облучения и получение масс-спектров

Слайд 14

Описание слайда:

Образец CdHgTe размещенный на насадке для масс-спектрального анализа

Слайд 15

Описание слайда:

Типовой масс-спектр

Слайд 16

Описание слайда:

Результат обработки масс-спектров облученных и необлученных областей

Слайд 17

Описание слайда:

Слайд 18

Описание слайда:

Выводы Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ вакуумно-искрового разряда На источнике МРИ - 1 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев Освоена методика работы на времяпролетном масс-спектрометре Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ лазерно-плазменного источника На источнике МРИ - 2 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев Сделано предположение о механизме выхода ионов Hg с поверхности образца CdHgTe после облучения источником МРИ -1. Механизм изменения приповерхностного состава CdHgTe после облучения источником МРИ -2 на данный момент не понятен и требуется повторение данных экспериментов