Биполярные транзисторы - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Биполярные транзисторы. Доклад-сообщение содержит 17 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Тема: Биполярные транзисторы

Слайд 2

Описание слайда:

Транзистор — это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генертрования, преобразования электри-ческих сигналов, а также переключения электрических импульсов в электронных цепях различных устройств. Транзистор — это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генертрования, преобразования электри-ческих сигналов, а также переключения электрических импульсов в электронных цепях различных устройств. Различают биполярные транзисторы, в которых используются кристаллы n и p типа, и полевые (униполярные) транзисторы, изготовленные на кристалле германия или кремния с одним типом проводимости.

Слайд 3

Описание слайда:

Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы — это полупроводниковые приборы, выполненные на кристаллах со структурой p –n- p типа (а) или n-p-n типа с тремя выводами, связанными с тремя слоями (областями): коллектор (К), база (Б) и эмиттер (Э)

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

База Б — это средний тонкий слой, служащий для смещения эмиттерного и коллекторного пере-ходов. Толщина базы должна быть меньше длины свободного пробега носителей заряда. База Б — это средний тонкий слой, служащий для смещения эмиттерного и коллекторного пере-ходов. Толщина базы должна быть меньше длины свободного пробега носителей заряда. Эмиттер Э — наружный слой, источник носителей заряда с высокой концентрацией носителей, значительно бóльшей, чем в базе. Второй наружный слой К, принимающий носителей заря-да, называют коллектором. Ток в таком транзисторе определяется движением зарядов двух типов: электронов и дырок. Отсюда его название — биполярный транзистор. Физические процессы в транзисторах pnpтипа и npnтипа одинаковы. Отличие их в том, что токи в базах транзисторов p-n-p типа переносятся основными носителями зарядов — дырками, а в транзисторах n-p-n типа — электронами.

Слайд 6

Описание слайда:

Каждый из переходов транзистора — эмиттерный (БЭ) и коллекторный (БК) Каждый из переходов транзистора — эмиттерный (БЭ) и коллекторный (БК) можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают три режима работы транзистора: режим отсечки — оба pnперехода закрыты, при этом через транзистор протекает сравнительно небольшой ток I0 , обусловленный неосновными носителями зарядов;

Слайд 7

Описание слайда:

режим насыщения — оба pnперехода открыты; режим насыщения — оба pnперехода открыты; активный режим — один из p-n переходов открыт, а другой закрыт. В режимах отсечки и насыщения управле-ние транзистором практически отсутствует. В активном режиме транзистор выполняет функцию активного элемента электрических схем усиления сигналов, генерирования колебаний, переключения и т. п. Если на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном обратное, то такое включение транзистора считают нормальным, при противоположной полярности напряжений — инверсным.

Слайд 8

Описание слайда:

Классификация биполярных транзисторов Биполярные транзисторы классифицируют: по мощности рассеяния (маломощные (до 0,3 Вт), средней мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт) и мощные (свыше 1,5 Вт)); по частотным свойствам (низкочастотные (до 3 МГц), средней частоты (330 МГц), высокой (30300 МГц) и сверхвысокой частоты (более 300 МГц)); по назначению: универсальные, усилительные, генераторные, переключательные и импульсные

Слайд 9

Описание слайда:

Маркировка биполярных транзисторов При маркировке биполярных транзисторов вначале записывают букву или цифру, указывающую на исходный полупроводниковый материал: Г или 1 — германиевый,К или 2 — кремниевый; затем цифру от 1 до 9 (1, 2 или 3 — низкочастотные, 4, 5 или 6 — высокой частоты, 7, 8 или 9 — сверхвысокой частоты соответственно в каждой группе малой, средней или большой мощности). Следующие две цифры от 01 до 99 —порядковый номер разработки, а в конце буква (от А и выше) указывает на параметрическую группу прибора, например, на напряжение питания транзистора и т. п. Например, транзистор ГТ109Г: низкочастотный германиевый, малой мощности