🗊Презентация Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы БТ

УГО и структура БТ

Режимы работы транзистора в активном режиме - на эммитерный переход подано прямое напряжение, на коллекторный переход – обратное. Этот режим является основным режимом работы транзистора. в режиме отсечки (или запирания) – на оба перехода подается обратное напряжение. Через переходы проходит незначительный обратный ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда. Практически транзистор в этом режиме заперт. в режиме насыщения – на оба перехода подается прямое напряжение. Ток в выходной цепи транзистора максимален и практически не регулируется током входной цепи. Транзистор полностью открыт. в инверсном режиме – на эмиттерный переход подано обратное напряжение, на коллекторный переход – прямое. Эмиттер и коллектор меняются своими ролями.

Схема включения транзистора содержит две цепи: входную и выходную. Схема включения транзистора содержит две цепи: входную и выходную. Входной характеристикой называют зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении:   Iвх = f (Uвх) при Uвых = const   Выходной характеристикой называют зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе:   Iвых = f (Uвых) при Iвх = const

Транзисторы разделяют на типы в зависимости от их назначения по граничной частоте усиливаемого сигнала и по мощности, рассеиваемой на коллекторе. Транзисторы разделяют на типы в зависимости от их назначения по граничной частоте усиливаемого сигнала и по мощности, рассеиваемой на коллекторе. По частотным свойствам транзисторы делятся на низкочастотные (f ≤ 3МГц), средней частоты (3 < f ≤ 30МГц), высокочастотные ( 30 < f ≤ 300МГц) и СВЧ (f > 300МГц). По максимально допустимой мощности, рассеиваемой коллектором, различат транзисторы малой мощности ( РКмакс ≤ 0,3 Вт), средней мощности (0,3< РКмакс ≤ 1,5 Вт) и большой мощности (РКмакс > 300МГц). Для улучшения теплоотвода транзисторов используют радиаторы охлаждения.

I диф = Iдиф р + Iдиф n IБ = IЭ – IК Iдиф n << Iдиф р IЭ = IЭр + IЭn IК ≈ IЭ IЭ = IБ + IК

Схемы включения БТ

В зависимости от выбранной схемы включения в расчетах удобней пользоваться коэффициентом прямой передачи тока для схемы с общей базой для схемы с общим эмиттером для схемы с общим коллектором

Характеристики БТ по схеме с ОЭ Входная статическая характеристика  IБ = f (UБЭ) при UКЭ = const Выходная статическая характеристика IК = f (UКЭ) при IБ = const

Характеристики БТ по схеме с ОБ входная характеристика I Э=f(UЭ) при UK=const Выходна я характеристика транзистора IК = f(UК) при IЭ = const

Характеристики БТ по схеме с ОБ

Система параметров транзистора как четырехполюсника

Полупроводниковый тиристор