SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения

Нажмите для полного просмотра!

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения, слайд №2

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения, слайд №3

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения, слайд №4

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения, слайд №5

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения, слайд №6

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения, слайд №7

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения, слайд №8

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения, слайд №9

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения. Доклад-сообщение содержит 9 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения. Студент: Фолимонова М.В.

Слайд 2

Описание слайда:

Карбид кремния

Слайд 3

Описание слайда:

Структура, политипы

Слайд 4

Описание слайда:

Электрофизические свойства

Слайд 5

Описание слайда:

Физико-химические свойства Теплопроводность 3,6-4,9 (Вт/(см·К)), Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0·10−6K) При нагревании на воздухе окисляется при 800 С˚ (т.е. высокая температурная стабильность) Химически стойкий Жаростойкий

Слайд 6

Описание слайда:

Применение В качестве абразивного материала Конструкционные материалы ( композиты) Автомобильные запчасти Электроника (варисторы) Пирометрия Ядерная энергетика Ювелирные изделия

Слайд 7

Описание слайда:

Применение в электронных приборах SiC используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, транзисторах и в высокотемпературных тиристорах. По сравнению с приборами на основе Si и GaAs приборы из SiC имеют следующие преимущества: в несколько раз большая ширина запрещённой зоны; в 10 раз большая электрическая прочность; высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C); теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия; устойчивость к воздействию радиации; стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.