🗊Презентация Основные методы получения моно- и поликристаллического SiC. Диаграмма состояния

ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ МОНО- И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SIC. ДИАГРАММА СОСТОЯНИЯ. Студент: Любимов Д.М.

ПОЛУЧЕНИЕ Простейшим способом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1800—2300 °C из смеси кварцевого песка (51—55%), кокса (35—40%) с добавкой NaCI (1—5%) и древесных опилок (5—10%).  SiO2 + 3C → (1600−2500˚C) SiC + 2CO Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового электрода в печи. Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-жёлтого и зелёного цвета находятся ближе всего к электроду. С увеличением расстояния от электрода цвет изменяется на синий или черный из-за присутствия примесей.

ПОЛУЧЕНИЕ Используют методы выращивания кристаллов SiC из газовой фазы или из растворов в расплаве. Большое распространение получил метод сублимации. В этом методе рост кристаллов карбида кремния происходит из газовой фазы в графитовых тиглях в атмосфере инертных газов при температуре 2500-2600 °C. Эпитаксиальные слои и твердые растворы на основе карбида кремния можно получать всеми известными методами, используемыми в полупроводниковой технологии. Технология формирования структур карбида кремния на подложках кремния принципиально не отличается от процессов получения кремниевых пленок. Гетероэпитаксиальные слои выращиваются методом газофазной эпитаксии в открытой системе. В качестве газа-носителя используется водород диффузионной очистки; в первой зоне свободный углерод связывается с водородом и переносится в зону роста полупроводниковой пленки

МЕТОД ЛЕЛИ 1 – горячая графитовая труба 2 – холодная графитовая труба 3 – болванка SiC 4 – крышка (SiC, C) 5 – полученные кристаллы

МОДИФИЦИРОВАННЫЙ МЕТОД ЛЕЛИ

СVD-МЕТОД

ДИАГРАММА СОСТОЯНИЯ

Спасибо за внимание