История развития оперативной памяти ЭВМ - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №1

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №2

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №3

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №4

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №5

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №6

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №7

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №8

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №9

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №10

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №11

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №12

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №13

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №14

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №15

История развития оперативной памяти ЭВМ, слайд №16

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему История развития оперативной памяти ЭВМ. Доклад-сообщение содержит 16 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Слайд 2

Описание слайда:

Полупроводниковая статическая (SRAM) Полупроводниковая статическая (SRAM) ячейки представляют собой полупроводниковые триггеры используется в качестве кеш-памяти. Полупроводниковая динамическая (DRAM) каждая ячейка представляет собой конденсатор. Основной тип памяти, применяемый в ЭВМ. Ферромагнитная Использовалась на ЭВМ первых поколений, однако в последнее время интерес к ней возобновился в связи с разработками MRAM и FeRaM

Слайд 3

Описание слайда:

Физически DRAM-память представляет собой набор запоминающих ячеек, которые состоят из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри полупроводниковой микросхем памяти. Физически DRAM-память представляет собой набор запоминающих ячеек, которые состоят из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри полупроводниковой микросхем памяти. Так как DRAM изготавливается на основе конденсаторов небольшой ёмкости, которые быстро теряют заряд, поэтому информацию приходится обновлять через определённые промежутки времени во избежание потерь данных. Этот процесс называется регенерация памяти.

Слайд 4

Описание слайда:

Патент на первый 16 битовый чип памяти принадлежит Thomas J. Watson работавшим в IBM в 1968 Патент на первый 16 битовый чип памяти принадлежит Thomas J. Watson работавшим в IBM в 1968 Первый коммерческий чип Intel 1103 (1024kbit) был выпущен в 1970

Слайд 5

Описание слайда:

Слайд 6

Описание слайда:

IBM PC комплектовался 8 или 32 отдельными чипами 2KB SDRAM памяти. IBM PC комплектовался 8 или 32 отдельными чипами 2KB SDRAM памяти. С началом массового производства PC/XT стандартный объем памяти увеличился до 256 Кб, затем появились платы расширения объемом 384 Кб. Установка дополнительной памяти проходила следующим образом: в специальную плату расширения вставлялись микросхемы памяти, затем с помощью перемычек на материнской плате компьютеру сообщалось, сколько у него памяти. Таким образом, суммарная емкость оперативной памяти стала достигать «целых» 640 Кб. Это было уже в 80-х годах. Именно тогда, в 1981 году, Билл Гейтс сделал свое знаменитое заявление: «640 килобайт должно хватить всем!».

Слайд 7

Описание слайда:

Этот тип памяти использовался в ПК 80286 начиная с 1982 года. Начиная с 1983 были заменены SIMM памятью Этот тип памяти использовался в ПК 80286 начиная с 1982 года. Начиная с 1983 были заменены SIMM памятью

Слайд 8

Описание слайда:

Начиная с 1983 и вплоть до конца 1990 этот тип памяти стал основным для ПК(вначале 30 контактные версии, позже 72) Начиная с 1983 и вплоть до конца 1990 этот тип памяти стал основным для ПК(вначале 30 контактные версии, позже 72) Использовались чипы памяти FPM(память со страничной адресацией) и позже EDO. Объем 256KB - 16 MB для 30 контактной версии, до 128 МВ для 72 Максимальная частота шины 75 МГц(EDO)

Слайд 9

Описание слайда:

форм-фактор модулей памяти DRAM появился в 1997 году форм-фактор модулей памяти DRAM появился в 1997 году Тактовая частота 66-133Mhz Объем до 256Мб Пропускная способность – до 1600 Мбайт/сек

Слайд 10

Описание слайда:

RDRAM — cтандарт оперативной памяти, разработанный компанией Rambus в сотрудничестве с Intel в 1996 году. Основными преимуществами были многоканальный режим и высокая тактовая чатота. RDRAM — cтандарт оперативной памяти, разработанный компанией Rambus в сотрудничестве с Intel в 1996 году. Основными преимуществами были многоканальный режим и высокая тактовая чатота. Пропускная способность памяти до 1 Гб\с Частоты: 300-800Mhz Недостатки: Главным и основным недостатком нового типа памяти являлись очень большая стоимость производства, а так же неверная политика лицензирования Rambus и Intel. Применение: Использовались вместе с некоторыми первыми процессорами Pentium 4 и серверными Xeon. Широкого распространения так и не получила, и Intel отказался от поддержки этого типа памяти. В настоящий момент применяются в некоторых игровых приставках.

Слайд 11

Описание слайда:

В то время, как Intel продвигал RdRam AMD продолжал усовершенствовать SDRAM В то время, как Intel продвигал RdRam AMD продолжал усовершенствовать SDRAM Совместно с Samsung выпускается стандарт SDRAM II или DDR SDRAM. Основным преимуществом которого являлся двухканальный режим. Тактовая частота 100-266Mhz Пропускная способность до 8533 Мбайт/сек

Слайд 12

Описание слайда:

Приходит на смену DDR в 2003 году, Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти, а так же пониженное электропитание 1,8 В (для DDR1 - 2,5 В ) Приходит на смену DDR в 2003 году, Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти, а так же пониженное электропитание 1,8 В (для DDR1 - 2,5 В ) Тактовая частота 266 МГц-600 МГцMhz Пропускная способность 9600 МБ/с

Слайд 13

Описание слайда:

DDR3 имеет еще более пониженное рабочее напряжение(1,5В) DDR3 имеет еще более пониженное рабочее напряжение(1,5В) Возможность работы в трехканальном режиме Пропускная способность до 19200 МБ/с Частота : до 1200 МГц

Слайд 14

Описание слайда:

Слайд 15

Описание слайда:

Слайд 16

Описание слайда:

В наиболее производительных графических картах уже используется GDDR5 c пропускной способностью до В наиболее производительных графических картах уже используется GDDR5 c пропускной способностью до 28 ГБ/с. Как было с DDR2 и DDR3 через 2-3 года новый тип памяти видеокарт становится стандартом и для ПК. Вероятнее всего это же произойдет с DDR5( DDR4 оказался неудачным, и скорее всего он так и останется памятью для видеокарт) Существует большое количество перспективных разработок, с новым подходом. Например разработки быстрой памяти, способной сохранять информацию без подачи электроэнергии. Некоторые из таких разработок FeRAM и MRAM(Магниторезистивная оперативная память “Универсальная память”).